2N6728

2N6728 & 2N6730 Silicon PNP Transistor General Purpose Power Amp, Switch TO−237 Type Package Description: The 2N6728 and 2N6730 are silicon NPN power transistors in a TO−237 type package designed for general purpose power amplifier and switching applications. Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO 2N6728 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V 2N6730 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector−Emitter Voltage, VCEO 2N6728 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V 2N6730 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA Power Dissipation, PD TA = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W TC = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125C/W Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5C/W Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Collector−Base Breakdown Voltage 2N6728 Symbol V(BR)CBO Condition Min Typ Max Unit 60 − − V 100 − − V 60 − − V 100 − − V IE = 0.1mA 5 − − V IC = 0.1mA 2N6730 Collector−Emitter Breakdown Voltage 2N6728 V(BR)CEO IC = 1mA 2N6730 Emitter−Base Breakdown Voltage V(BR)EBO Collector Cutoff Current ICBO VCB = Rated VCBO − − 0.1 A Emitter Cutoff Current IEBO VEB = Rated VEBO − − 10 A Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol DC Current Gain hFE Condition Min Typ Max VCE = 1V, IC = 50mA 80 − − VCE = 1V, IC = 250mA 50 − 250 Unit Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 250mA, IB = 10mA − − 0.5 V Base−Emitter ON Voltage VBE(on) IC = 250mA, VCE = 1V − − 1.2 V VCE = 5V, IC = 200mA, f = 20MHz 50 − 500 MHz VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz − − 30 pF Transition Frequency fT Output Capacitance Cob .200 (5.08) .180 (4.57) .100 (2.54) E B C .180 (4.57) .594 (15.09) .018 (0.46) .015 (0.38) .050 (1.27) .050 (1.27) .050 (1.27) .140 (3.55) .090 (2.28) R