NTE186A

NTE186A

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    TO-202

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 3A TO202M

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
NTE186A 数据手册
NTE186A (NPN) & NTE187A (PNP) Silicon Complementary Transistors Medium Power Audio Amplifier Features: D 5W Output in Complementary Pair Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Peak Collector Current, ICP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Collector Power Dissipation (TC = +25C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C Electrical Characteristics: (TC = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector−Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0 50 − − V Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0 40 − − V Collector Cutoff Current ICBO VCB = 20V, IE = 0 − − 1 A ICEO VCE = 12V, IB = 0 − − 100 A Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 5V, IC = 0 − − 100 A DC Current Gain hFE VCE = 5V, IC = 1A 50 120 220 VCE = 5V, IC = 500mA − 150 − MHz Transition Frequency fT Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 2A, IB = 200mA − − 1.5 V Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 2A, IB = 200mA − 0.4 1.0 V VCB = 5V, IE = 0, f = 1MHz − 50 − pF Collector Output Capacitance Cob Rev. 4−13 .394 (10.0) .165 (4.2) Dia C .492 (12.5) .335 (8.5) .197 (5.0) .059 (1.5) x 45 Chamf .335 (8.5) .119 (3.0) .532 (13.5) B .098 (2.5) C E .181 (4.6) .138 (3.5)
NTE186A
物料型号:NTE186A(NPN型)和NTE187A(PNP型)

器件简介:这些是中等功率音频放大器用的互补对晶体管,具有5W的输出能力。

引脚分配:文档中提供了引脚的物理布局,但未明确列出每个引脚的功能。

参数特性: - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VcB0)50V,集电极-发射极电压(VcE)40V等。 - 电气特性包括集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO),集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO),直流电流增益(hFE)等。

功能详解:文档详细列出了晶体管的电气特性,如击穿电压、截止电流、直流电流增益、过渡频率等。

应用信息:文档没有明确提供应用信息,但根据其特性,这些晶体管适用于中等功率的音频放大器。

封装信息:文档提供了封装的尺寸信息,包括直径和引脚间距。
NTE186A 价格&库存

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