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NTE2353

NTE2353

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    TO-3P-3

  • 描述:

    TRANS NPN 800V 10A TO3PML

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
NTE2353 数据手册
NTE2353 Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode TO−3PML Type Package Features: D High Speed: tf = 100nsec D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V D On−Chip Damper Diode Absolute Maximum Ratings: (TA = +255C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A Collector Dissipation (TC = +255C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1505C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified) Parameter Collector Cutoff Current Collector Sustain Voltage Emitter Cutoff Current Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit ICES VCE = 1500V − − 1.0 mA ICBO VCB = 800V − − 10 mA 800 − − V VEB = 4V 40 − 130 mA VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0 IEBO Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A − − 5 V Base Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A − − 1.5 V hFE1 VCE = 5V, IC = 1A 8 − − hFE2 VCE = 5V, IC = 8A 5 − 10 IEC = 10A − − 2.0 V IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A − 0.1 0.3 ms DC Current Gain Diode Forward Voltage FallTime VF tf Rev. 7−14 .134 (3.4) Dia .221 (5.6) .123 (3.1) .630 (16.0) .315 (8.0) .866 (22.0) B C E .158 (4.0) .804 (20.4) .215 (5.45) .040 (1.0)
NTE2353
1. 物料型号:NTE2353 2. 器件简介:NTE2353是一款用于电视水平偏转输出的高速硅NPN晶体管,具有内置阻尼二极管,采用TO−3PML封装。 3. 引脚分配:文档中未明确列出引脚分配,但通常B(基极)、C(集电极)、E(发射极)是NPN晶体管的标准配置。 4. 参数特性: - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C - 集电极-基极电压(VcBo):1500V - 集电极-发射极电压(VcEo):800V - 发射极-基极电压(VEBo):6V - 集电极电流(Ic):连续10A,峰值30A - 集电极耗散(Pc):70W - 工作结温(T):+150°C 5. 功能详解:NTE2353晶体管具有高速开关特性,tf = 100ns,适用于高速开关应用。 6. 应用信息:适用于电视水平偏转输出电路。 7. 封装信息:TO−3PML型封装。
NTE2353 价格&库存

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