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NTE2365

NTE2365

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    TO-3P-3

  • 描述:

    TRANS NPN 800V 15A TO3PBL

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
NTE2365 数据手册
NTE2365 Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Deflection Output TO3PBL Type Package Features: D High Speed: tf = 100ns typ D High Reliability D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector to Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V Collector to Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180W Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified) Parameter Collector Cutoff Current Collector Sustaining Voltage Emitter Cutoff Current Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit ICBO VCB = 800V, IE = 0 − − 10 μA ICES VCE = 1500V, RBE = 0 − − 1.0 mA 800 − − V VEB = 4V, IC = 0 − − 1.0 mA VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0 IEBO Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 2.5A − − 5 V Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 10A, IB = 2.5A − − 1.5 V hFE(1) VCE = 5V, IC = 1A 8 − 30 hFE(2) VCE = 5V, IC = 10A 4 − 8 IC = 8A, IB1 = 1.6A, IB2 = −3.2A − − 3.0 μs − − 0.2 μs DC Current Gain Storage Time Fall Time tstg tf .204 (5.2) .810 (20.57) Max .236 (6.0) 1.030 (26.16) .137 (3.5) Dia Max .098 (2.5) .215 (5.45) .787 (20.0) .040 (1.0) B C .023 (0.6) E Note: Pin2 connected to metal part of mounting surface.
NTE2365
- 物料型号: NTE2365 - 器件简介: 高速、高可靠性、高击穿电压的NPN晶体管,适用于高电压水平偏转输出,封装类型为TO3PBL。 - 引脚分配: 文档中未明确列出,但通常TO3PBL封装的晶体管有3个引脚:基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。 - 参数特性: - 集电极到基极电压(VcB0)最大1500V - 集电极到发射极电压(VcEo)最大800V - 发射极到基极电压(VEB0)最大6V - 集电极电流(Ic)连续15A,峰值35A - 集电极耗散(Pc)最大180W - 结温(T)最高+150°C - 存储温度范围(Tsg)-55°C至+150°C - 功能详解: 提供了详细的电气特性表,包括截止电流、维持电压、饱和电压、存储时间和下降时间等参数。 - 应用信息: 适用于高电压水平偏转输出。 - 封装信息: TO3PBL型封装,注意引脚2连接到安装表面的金属部分。
NTE2365 价格&库存

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