NTE2550

NTE2550 Silicon NPN Transistor Darlington Driver, Switch TO−220 Full Pack Absolute Maximum Ratings: Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Base Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A Collector Power Dissipation (TC = +25C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W Dielectric Strength (Terminal to Case, AC1 minute), Vdis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2kV Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5C/W Mounting Torque (Note 1), TOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5kg  cm Note 1. Recommended torque: 3kg  cm. Electrical Characteristics: (TC = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO Collector Cut−Off Current Test Conditions Min Typ Max Unit VCE (Clamp) 400 − − V ICBO VCB = 500V − − 0.1 mA ICEO VCE = 400V − − 0.1 mA Emitter Cut−Off Current IEBO VEB = 12V − − 100 mA DC Current Gain hFE VCE = 2V, IC = 7A 150 − − Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 7A, IB = 70mA − − 1.5 V Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 7A, IB = 70mA − − 2.0 V Gain−Bandwidth Product fT VCE = 10V, IC = 1A − 10 − MHz Turn−On Time ton − − 2.0 s Storage Time ts − − 15 s Fall Time tf IB1 = IB2 = 70mA, IC = 7A, RL = 10, VBB2 = 4V − − 15 s Rev. 9−17 Schematic Diagram C B E .071 (1.8) .394 (10.0) .177 (4.5) .276 (7.0) .110 (2.8) .669 (17.0) .472 (12.0) B C E .532 (13.5) Min .100 (2.54) .102 (2.6)