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NTE2677

NTE2677

  • 厂商:

    NTE

  • 封装:

    TO-3P-3

  • 描述:

    TRANS NPN 800V 10A TO3PIS

  • 数据手册
  • 价格&库存
NTE2677 数据手册
NTE2677 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch TO3P(H)IS Type Package Features: D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V Min D High Switching Speed D Low Saturation Voltage Applications: D Color TV Horizontal Deflection Output Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A − − 5.0 V Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A − − 1.5 V ICES VCE = 1400V, VBE = 0 − − 1.0 mA ICBO VCB = 800V, IE = 0 − − 10 μA VEB = 4V, IC = 0 − − 1.0 mA IC = 1A, VCE = 5V 15 − 40 IC = 8A, VCE = 5V 8 − 10 IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = −2.4A, VCC = 200V, RL = 33.3Ω − − 0.3 Collector Cutoff Current DC Current Gain Fall Time hFE tf μs Rev. 12−10 .217 (5.5) .610 (15.5) .130 (3.3) .177 (4.5) .378 (9.6) .965 (24.5) .177 (4.5) .720 (18.3) Min B .215 (5.47) C E .138 (3.5)
NTE2677 价格&库存

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