NTE306

NTE306 Silicon NPN Transistor AM, CB Transmitter Driver Absolute Maximum Ratings: (Ta = +25°C, unless otherwise specified) Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter−Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A Total Device Dissipation, PC Ta = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 950mW Tc = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.9W Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −50° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −50° to +150°C Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12°C/W Electrical Characteristics: (TC = +75°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector−Base Cutoff Current ICBO VCB = 25V, IE = 0 − − 0.2 µA Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 6V, IC = 0 − − 0.2 µA Base−Emitter Voltage VBE VCE = 6V, IC = 5mA − − 0.7 V Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 2mA 50 − − V Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) − − 0.3 V Base−Emitter Saturation Voltage VBE(Sat) − − 1.0 V VCE = 2V, IC = 100mA 98 − 649 VCE = 1V, IC = 1A 70 − − VCB = 2V, IE = 10mA, f = 10MHz − 18 − db VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz − 16 40 pF DC Current Gain Small Signal Current Gain Collector Capacitence hFE |hFE| CC IC = 1A 1A, IB = 50 50mA A .386 (9.8) Max .165 (4.2) Max .075 (1.9) .284 (7.22) .323 (8.2) Max .122 (3.1) Dia .288 (7.3) Max .118 (3.0) B C E .490 (12.44) Min 0.25 (0.65) Max