NTE5418

NTE5417 thru NTE5419 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp, TO220 Isolated Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +110°C), VRRM NTE5417 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5418 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5419 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Repetitive Peak Off−State Voltage (TC = +110°C), VDRM NTE5417 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5418 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5419 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V RMS On−State Current (TC = +80°C, Conduction Angle of 180°), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . 100A Peak Gate−Trigger Current (3μs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Peak Gate−Power Dissipation (IGT ≤ IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +110°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified) Parameter Peak Off−State Current Symbol IRRM IDRM Maximum Peak On−State Voltage DC Holding Current VTM IHOLD Test Conditions Min Typ Max Unit VRRM = Max, VDRM = Max, TC = +110°C − − 0.5 mA − − 0.5 mA IT = 10A − − 1.8 V Gate Open − − 30 mA DC Gate−Trigger Current IGT VD = 6VDC, RL = 60Ω − − 25 mA DC Gate−Trigger Voltage VGT VD = 6VDC, RL = 60Ω − − 1.5 V IGT = 100mA − 2.5 − μs − 200 − V/μs Gate Controlled Turn−On Time Critical Rate of Off−State Voltage tgt dv/dt Gate Open, TC = +100°C (critical) .420 (10.67) Max .110 (2.79) .147 (3.75) Dia Max Isolated .500 (12.7) Max .250 (6.35) Max .500 (12.7) Min .070 (1.78) Max Cathode .100 (2.54) Gate Anode