NTE5428

NTE5427 thru NTE5429 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 7 Amp, TO−39 Type Package Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +110C), VRRM NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Repetitive Peak Off−State Voltage (TC = +110C), VDRM NTE5427 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5428 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5429 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V RMS On−State Current (TC = +80C, Conduction Angle of 180), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . 80A Peak Gate−Trigger Current (3s Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Peak Gate−Power Dissipation (IGT  IGTM), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +110C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5C/W Electrical Characteristics: (TC = +25C unless otherwise specified) Parameter Peak Off−State Current Symbol IRRM IDRM Maximum On−State Voltage DC Holding Current VTM Test Conditions Min Typ Max Unit VRRM = Max, VDRM = Max, TC = +110C, RGK = 1k − − 1 mA − − 1 mA IT = 7A − − 2 V − − 50 mA IHOLD DC Gate−Trigger Current IGT VD = 6VDC, RL = 100 − − 25 mA DC Gate−Trigger Voltage VGT VD = 6VDC, RL = 100 − − 1.5 V Gate Controlled Turn−On Time tgt IG x 3GT − 2 − s I2t for Fusing Reference I2t For SCR Protection − − 2.6 A2sec − 100 − V/s Critical Rate of Off−State Voltage dv/dt Gate Open, TC = +100C (critical) Rev. 11−17 .370 (9.39) Dia Max .355 (9.03) Dia Max .260 (6.06) Max .500 (12.7) Min .019 (0.5) Gate Cathode Anode 45 .031 (.793)