NTE5540

NTE5539 & NTE5540 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps, TO218 Features: D High Voltage Capability D High Surge Capability D Glass Passivated Chip Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) Repetitive Peak Off−State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Maximum RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A Average On−State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A DC Gate Trigger Current (VD = 12V, RL = 30Ω), IGT Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA Maximum Peak Off−State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, IRRM (TC = +25°C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10μA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20μA (TC = +100°C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA (TC = +125°C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA Peak On−State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT . . . . . . . . . . . . . . 1.5V Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT . . . . . . . . . . . . . . 0.2V Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On−State Current = 400mA(DC)), IH . . . . 60mA Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 10μs), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width ≤ 10μs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A Minimum Critical Rate−of−Applied Forward Voltage, dv/dt (TC = +100°C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/μs NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/μs (TC = +125°C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/μs NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/μs Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) RMS Surge (Non−Repetitive) On−State Current for Fusing (8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . 1750A2sec Maximum Rate−of−Change of On−State Current (IGT = 150mA, tr = 0.1μs), di/dt . . . . . . . . 175A/μs Gate Controlled Turn−On Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15μs, tr ≤ 0.1μs), tgt . . . 2.5μs Circuit Commutated Turn−Off Time (Note 1), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35μs Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +230°C Note 1. iT = 2A, Pulse Duration = 50μs, dv/dt = 20V/μs, di/dt = −30A/μs, IGT = 200mA at Turn−On .600 (15.24) .060 (1.52) .173 (4.4) A .156 (3.96) Dia. K A .550 (13.97) .430 (10.92) G .500 (12.7) Min .055 (1.4) .015 (0.39) .215 (5.45) NOTE: Dotted line indicates that case may have square corners.