NTE5547

NTE5541 thru NTE5548 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp, TO48 Description: The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temperature, motor, light and welder controls. Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off−State Voltage (TJ = +100C) VDRM NTE5541 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5543 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5544 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5545 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5546 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V NTE5547 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5548 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100C) VRRM NTE5541 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5543 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5544 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5545 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5546 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V NTE5547 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5548 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V RMS On−State Current (TC = +75C), I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), ITSM . . . . . . . 300A Peak Gate−Trigger Current (3s Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A Peak Gate−Power Dissipation (IGT  IGTM for 3s Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW Operating Temperature Range, Toper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4C/W Note 1. NTE5541, NTE5542, NTE5544, and NTE5546 are a discontinued devices and no longer available. Rev. 5−13 Electrical Characteristics: (At “Maximum Ratings” and Specified Case Temperatures) Parameter Symbol Peak Off−State Current IDRM, IRRM Test Conditions Min Typ Max Unit VDRM & VRRM = Max Rating, TJ = +100C, Gate Open − − 2.0 mA Maximum On−State Voltage (Peak) IHO TC = +25C − − 50 mA DC Gate Trigger Current IGT Anode Voltage = 12V, RL = 30, TC = +25C − − 30 mA DC Gate Trigger Voltage VGT Anode Voltage = 12V, RL = 30, TC = +25C − − 2.0 V IGT = 150mA − 2.5 − s − 100 − V/s Gate Controlled Turn−On Time Critical Rate of Rise of Off−State Voltage tgt dv/dt Gate Open, TC = +100C (Critical) .562 (14.28) Max Gate Cathode 1.193 (30.33) Max .200 (5.08) Max .453 (11.5) Max Anode 1/4−28 UNF−2A