NTE5578

NTE5576 & NTE5578 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 175 Amps, TO94 Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non−Repetitive Peak Off−State Voltage, VDSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Average On−State Current (Half Sine Wave, TC = +90°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A RMS On−State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A Continuous On−State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A Peak One−Cycle, Non−Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM 60% VRRM reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A2sec 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A2sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 19A Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 18V Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W Peak Gate Power (100μs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/μs Rate of Rise of ON−State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1μs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM) Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/μs Non−Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/μs Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified) Peak On−State Voltage (ITM = 377A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79mΩ Repetitive Peak Off−State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IGT . . 150mA Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), VGT . . . . . 3V Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified) Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C Thermal Resistance, Junction−to−Case (VF = Max Rating), RtnJC DC and 180° Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W 120° Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28°C/W Thermal Resistance, Case−to−Heat Sink, RthC−HS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.08°C/W 1.227 (31.18) Max (Across Corners) ÇÇ ÇÇ .875 (22.22) Dia (Ceramic) For No. 6 Screw Cathode .280 (7.11) Dia Max Gate (White) 7.500 Cathode (190.5) (Red) Max (Terminals 1 & 2) 6.260 (159.0) Max (Terminal 3) 2.500 (63.5) Max 1.031 (26.18) Dia Max Seating Plane .827 (27.0) Max .500 (12.7) Max) 1/2−20 UNF Anode