NTE5594

NTE5561, NTE5594 thru NTE5596 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 850 Amp, TO200AC Ratings: (Maximum Values at TJ = +125°C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltage, VDRM NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V Non−Repetitive Peak Off−State Voltage, VDSM NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V Average On−State Current (Half Sine Wave), IT(AV) +55°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 820A +85°C Heatsink Temperature, Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320A RMS On−State Current (+25°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled), IT(RMS) . . . . . 1640A Continuous On−State Current (+25°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled), IT . . . . 1400A Peak One Cycle Surge (Non−Repetitive) On−State Current (10ms Duration), ITSM 60% VRRM re−applied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11500A VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12650A Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8000000A2s 3ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5900000A2s Peak Forward Gate Current (Anode Positive with respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20A Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . . 22V Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4W Peak Gate Power (100μs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120W Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM Gate Open−Circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . 500V/μs Rate of Rise of Off−State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1μs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM) Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/μs Non−Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/μs Operating Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Storage Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C Rev. 8−12 Characteristics: (Maximum values at TJ = +125°C unless otherwise specified) Peak On−State Voltage (ITM = 1700A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75V Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.395Ω Repetitive Peak Off−State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), IGT . . 200mA Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), VGT . . . . . 3V Maximum Holding Current (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Maximum Gate Voltage which will Not Trigger Any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V Thermal Resistance, Junction−to−Heatsink for a Device with a Max. Forward Voltage Drop, RthJ−HS Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.044°C/W Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.088°C/W 8.500 (21.59) Max 2.290 (58.16) Max For No. 6 Screws Cathode 1.343 (34.13) Max 1.060 (26.92) Max Cathode Potential (Red) Gate (White) .040 (1.01) Min 2.090 (53.08) Max Marking Anode