NTE6090

厂商：
NTE
封装：
TO3P
描述：
R-DUAL SCHOTTKY 45V 30A

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NTE6090 数据手册

NTE6090 Silicon Dual Power Rectifier 45V, 30 Amp TO−3P Type Package Features: D Schottky Barrier Chip D Guard Ring for Transient Protection D Low Forward Voltage Drop D Low Power Loss, High Efficiency D High Surge Current Capability Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified. Single Phase, half−wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%) Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V RMS Reverse Voltage, VR(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V Average Rectified Output Current (TC = +1005C), IO Per Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A Per Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Non−Repetitive Peak Forward Surge Current, IFSM (8.3ms Single Half Sine−Wave Surge Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . 250A Forward Voltage Drop (Per Diode, IF = 15A), VFM TJ = +255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.55V TJ = +1255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.50V Peak Reverse Current (VR = 45V), IRM TJ = +255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA TJ = +1005C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Typical Junction Capacitance (Note 1), CJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750pF Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C Peak Surge Junction Temperature (Forward Current Applied), TJ(pk) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1755C Thermal Resistance, Junction−to−Case (Per Diode), RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.45C/W Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Per Diode), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 405C/W Note 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC. Rev. 7−14 TO3P Type Package .638 (16.2) Max .197 (5.0) .906 (23.0) Max K .217 (5.5) .480 (12.2) .130 (3.3) Dia .748 (19.0) Min A K A .215 (5.47)

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NTE6090

物料型号：NTE6090

器件简介：NTE6090是一款硅双整流器，具有肖特基势垒芯片保护环，用于瞬态保护，低正向电压降，低功耗，高效率，高浪涌电流能力。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配信息，但根据TO-3P封装类型，通常有三个引脚，可能包括阳极、阴极和中心引脚。

参数特性： - 最大额定值和电气特性：包括45V的峰值重复反向电压(VRRM)，45V的工作峰值反向电压(VRWM)，45V的直流阻断电压(VR)，32V的有效值反向电压(VR(RMS))。 - 平均整流输出电流(IO)：每设备30A，每个二极管15A。 - 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)：250A。 - 正向电压降(VFM)：在15A电流下，TJ=+25C时为0.55V，TJ=+125C时为0.50V。 - 峰值反向电流(IRM)：在45V反向电压下，TJ=+25C时为1.0mA，TJ=+100C时为20mA。 - 典型结电容(CJ)：750pF。

功能详解：NTE6090用于整流应用，具有高效率和高浪涌电流能力，适用于需要瞬态保护的场合。

应用信息：适用于需要高效率和高浪涌电流能力的整流应用。

封装信息：TO-3P型封装，尺寸信息提供了最大和最小值，例如，最大直径为19.0mm，最小A点直径为5.47mm。

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