物料型号:
- 74LV259N: -40°C 至 +125°C, DIP16封装
- 74LV259D: -40°C 至 +125°C, SO16封装
- 74LV259DB: -40°C 至 +125°C, SSOP16封装
- 74LV259PW: -40°C 至 +125°C, TSSOP16封装
- 74LV259BQ: -40°C 至 +125°C, DHVQFN16封装
器件简介:
74LV259是一款低电压Si-gate CMOS设备,与74HC259和74HCT259引脚和功能兼容。它是一个高速8位可寻址锁存器,设计用于数字系统中的通用存储应用。该设备能够存储单线数据至八个可寻址的锁存器中,并且具备3至8解码器和解复用器功能,具有主动HIGH输出(Q0至Q7)。此外,74LV259还包含一个主动LOW公共复位(MR)以及一个主动LOW使能输入(LE)。
引脚分配:
- AO, A1, A2: 地址输入
- D: 数据输入
- Q[0:7]: 锁存器输出
- LE: 锁存器使能输入(主动LOW)
- MR: 条件复位输入(主动LOW)
- Vcc: 供电电压
- GND: 地(0V)
参数特性:
- 优化低电压应用:1.0V至3.6V
- 接受TTL输入电平:在2.7V至3.6V之间
- 典型输出地弹跳:<0.8V,在3.3V供电和25°C环境温度下
- 高电平输出电压下冲:>2V,在3.3V供电和25°C环境温度下
功能详解:
74LV259有四种工作模式,包括可寻址锁存器模式、存储模式、3至8解码或解复用模式以及复位模式。在可寻址锁存器模式下,数据线(D)上的数据被写入被寻址的锁存器中。在存储模式下,所有锁存器保持之前的状态,不受数据或地址输入的影响。在3至8解码或解复用模式下,被寻址的输出跟随(D)输入的状态,所有其他输出为低电平状态。在复位模式下,所有输出为低电平,不受地址(A0至A2)和数据(D)输入的影响。
应用信息:
74LV259可用作3至8主动HIGH解码器,具备ESD保护功能,并且有多种封装选项。工作温度范围从-40°C至+85°C和-40°C至+125°C。
封装信息:
- DIP16: 塑料双列直插式封装;16个引脚(300 mil)
- SO16: 塑料小外形封装;16个引脚;体宽3.9 mm
- SSOP16: 塑料收缩小外形封装;16个引脚;体宽5.3 mm
- TSSOP16: 塑料薄型收缩小外形封装;16个引脚;体宽4.4 mm
- DHVQFN16: 塑料双列兼容热增强超薄四扁平封装;无引脚;16个终端;体2.5x3.5x0.85 mm