BAP70AM

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NXP(恩智浦)
封装：
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BAP70AM - Silicon PIN diode array - NXP Semiconductors

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BAP70AM Silicon PIN diode array Rev. 01 — 20 November 2006 Product data sheet 1. Product proﬁle 1.1 General description Four planar PIN diode array in SOT363 small SMD plastic package. 1.2 Features I I I I High voltage current controlled RF resistor for RF attenuators Low diode capacitance Very low series inductance Low distortion 1.3 Applications I RF attenuators I (SAT) TV applications I Car radio applications 2. Pinning information Table 1. Pin 1 2 3 4 5 6 Discrete pinning Description anode diode 1 cathode diode 2 anode diode 3 / cathode diode 4 anode diode 4 cathode diode 3 anode diode 2 / cathode diode 1 1 2 3 1 2 3 sym118 Simpliﬁed outline 6 5 4 Symbol 6 5 4 3. Ordering information Table 2. Ordering information Name BAP70AM Description plastic surface-mounted package; 6 leads Version SOT363 Type number Package NXP Semiconductors BAP70AM Silicon PIN diode array 4. Marking Table 3. BAP70AM Marking Marking code N9 Type number 5. Limiting values Table 4. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol VR IF Ptot Tstg Tj Parameter reverse voltage forward current total power dissipation storage temperature junction temperature Tsp = 90 °C Conditions Min −65 −65 Max 50 100 300 +150 +150 Unit V mA mW °C °C 6. Thermal characteristics Table 5. Symbol Rth(j-sp) Thermal characteristics Parameter thermal resistance from junction to solder point Conditions Typ 260 Unit K/W BAP70AM_1 © NXP B.V. 2006. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 20 November 2006 2 of 7 NXP Semiconductors BAP70AM Silicon PIN diode array 7. Characteristics Table 6. Characteristics Tamb = 25 °C unless otherwise speciﬁed. Symbol VF IR Cd Parameter forward voltage reverse current diode capacitance Conditions IF = 50 mA VR = 50 V see Figure 1; f = 1 MHz; VR = 0 V VR = 1 V VR = 5 V VR = 20 V rD diode forward resistance see Figure 2; f = 100 MHz; IF = 0.5 mA IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 100 mA τL charge carrier life time when switched from IF = 10 mA to IR = 6 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 3 mA IF = 100 mA; f = 100 MHz Min 77 40 5.4 1.4 1.25 100 50 7 1.9 Ω Ω Ω Ω µs 570 400 270 200 250 fF fF fF fF Typ 0.9 Max 1.1

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BAP70AM

1. 物料型号： - 型号：BAP70AM - 封装：塑料表面贴装包，6引脚，SOT363

2. 器件简介： - 四平面PIN二极管阵列，采用SOT363小型SMD塑料封装。 - 特点包括高电压电流控制射频电阻器，用于射频衰减器、低二极管电容、非常低的串联电感和低失真。

3. 引脚分配： - 1：阳极二极管1 - 2：阴极二极管2 - 3：阳极二极管3/阴极二极管4 - 4：阳极二极管4 - 5：阴极二极管3 - 6：阳极二极管2/阴极二极管1

4. 参数特性： - 反向电压（VR）：0至50V - 正向电流（IF）：0至100mA - 总功率耗散（Ptot）：在Tsp=90°C时，0至300mW - 存储温度（Tstg）：-65至+150°C - 结温（Tj）：-65至+150°C

5. 功能详解： - 正向电压（VF）：在IF=50mA时，0.9至1.1V - 反向电流（IR）：在VR=50V时，小于100nA - 二极管电容（Cd）：在1MHz时，VR=0V时为570fF，VR=1V时为400fF，VR=5V时为270fF，VR=20V时为200至250fF - 二极管正向电阻（rD）：在IF=0.5mA时为77至100欧姆，IF=1mA时为40至50欧姆，IF=10mA时为5.4至7皮欧姆，IF=100mA时为1.4至1.9欧姆 - 电荷载流子寿命（L）：在从IF=10mA切换到IR=6mA时，RL=100欧姆，IR=3mA时为1.25秒 - 串联电感（Ls）：在IF=100mA和f=100MHz时，为0.6nH

6. 应用信息： - 射频衰减器（SAT）、电视应用、汽车收音机应用

7. 封装信息： - 封装类型：塑料表面贴装包，6引脚，SOT363 - 尺寸和引脚布局遵循SOT363标准。

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