1. 物料型号:
- 型号为BC849W和BC850W,这两种型号均为NPN型通用晶体管。
2. 器件简介:
- 这是NXP半导体生产的NPN通用晶体管,采用SOT323塑料封装。它们的PNP补充型号为BC859W和BC860W。
3. 引脚分配:
- | PIN | DESCRIPTION |
| --- | --- |
| 1 | base |
| 2 | emitter |
| 3 | collector |
4. 参数特性:
- 极限值:
- VCBO(集电-基极电压):BC849W为30V,BC850W为50V。
- VCEO(集电-发射极电压):BC849W为30V,BC850W为45V。
- VEBO(发射-基极电压):5V。
- Ic(集电极电流):最大100mA。
- ICM(峰值集电极电流):200mA。
- BM(峰值基极电流):200mA。
- Ptot(总功率耗散):200mW。
- 存储温度范围:-65°C至+150°C。
- 结温范围:-65°C至+150°C。
- 工作环境温度范围:-65°C至+150°C。
5. 功能详解:
- 这些晶体管适用于低噪声阶段,如磁带录音机、高保真放大器和其他音频频率设备。
6. 应用信息:
- 应用包括磁带录音机、高保真放大器等音频设备中的低噪声阶段。
7. 封装信息:
- 封装为塑料表面贴装封装,3引脚SOT323。