物料型号：BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
器件简介：NPN硅平面外延晶体管，适用于GHz范围内的射频前端应用，例如模拟和数字手机、无绳电话、雷达探测器、寻呼机和卫星电视调谐器以及光纤系统中的中继放大器。
引脚分配：
- BFG520: 1-collector, 2-base, 3-emitter, 4-emitter
- BFG520/X: 1-collector, 2-emitter, 3-base, 4-emitter
- BFG520/XR: 1-collector, 2-emitter, 3-base, 4-emitter
参数特性：
- 集电极-基极电压(VCBO): 20V
- 集电极-发射极电压(VCEO): 15V
- 发射极-基极电压(VEBO): 2.5V
- 直流集电极电流(IC): 70mA
- 总功耗(Ptot): 300mW
- 存储温度(Tstg): -65°C至150°C
- 结温: 175°C
功能详解：
- 高功率增益
- 低噪声系数
- 高过渡频率
- 金质金属化确保了卓越的可靠性
应用信息：适用于GHz范围内的射频前端应用。
封装信息：4引脚双发射极塑料SOT143和SOT143R封装。
