1. 物料型号:BSR52,由NXP Semiconductors生产,是一款NPN达林顿晶体管。
2. 器件简介:
- BSR52是一款NPN达林顿晶体管,具有高电流(最大1A)和低电压(最大80V)特性,并且集成了二极管和电阻。
- 封装形式为TO-92和SOT54塑料封装。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(base)
- 引脚2:集电极(collector)
- 引脚3:发射极(emitter)
4. 参数特性:
- 集基电压(VCBO):90V
- 集电极-发射极电压(VCES):80V
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):最大1A(直流)
- 峰值集电极电流(ICM):2A
- 基极电流(IB):最大100mA(直流)
- 总功率耗散(Ptot):830mW(环境温度≤25°C)
- 存储温度(Tstg):-65°C至+150°C
- 结温(T):最大150°C
- 环境温度(Tamb):-65°C至+150°C
5. 功能详解:
- BSR52达林顿晶体管适用于工业高增益放大,具有高达2000的直流电流增益(hFE)。
- 饱和电压VcEsat在Ic=0.5A时为1.3V,Ic=1A时为1.6V。
- 基极-发射极饱和电压VBEsat在Ic=0.5A时为1.9V,Ic=1A时为2.2V。
- 转换频率fr在VcE=5V,Ic=500mA时为200MHz。
6. 应用信息:
- 工业高增益放大。
7. 封装信息:
- BSR52有SC-43A(塑料单端引线通孔封装,3引脚)和SOT54两种封装形式。