物料型号：IRFZ24N
器件简介：这是一种N通道增强型标准电平场效应功率晶体管，采用“沟槽”技术，具有非常低的导通电阻，并内置齐纳二极管提供高达2kV的ESD保护。适用于开关电源和一般开关应用。
引脚分配：TO220AB封装，引脚1为栅极(gate)，引脚2为漏极(drain)，引脚3为源极(source)，tab也连接到漏极。
参数特性：
- 漏源电压(V DS)最大55V
- 漏极电流(DC)最大17A
- 总功率耗散最大45W
- 结温最高175°C
- 导通电阻在VGs=10V时最大70mΩ
功能详解：
- 该器件具有较低的导通电阻和高耐压特性，适用于高效率的开关电源设计。
- 内置的齐纳二极管提供了对静电放电的保护。
应用信息：主要应用于开关电源和一般开关应用。
封装信息：采用SOT78 (TO220AB)封装，注意在处理时要遵循ESD敏感器件的一般操作注意事项，以防止MOS门氧化层损坏。环氧树脂符合UL94 V0标准。
