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MC9RS08KA2CSC

MC9RS08KA2CSC

  • 厂商:

    NXP(恩智浦)

  • 封装:

    SOIC8

  • 描述:

    IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC

  • 数据手册
  • 价格&库存
MC9RS08KA2CSC 数据手册
MC9RS08KA2 数据手册 : 技术数据 MC9RS08KA1 数据手册:技术数据 MC9RS08KA2 MC9RS08KA1 数据手册 RS08 微控制器 MC9RS08KA2ZHS 第1版 2006 年 4 月 飞思卡尔半导体 rMC9RS08KA2 特性 es 8- 位 RS08 中央处理器 (CPU) • 简化的 S08 指令集,增加了高性能指令 • LDA、 STA 和 CLR 指令 支持短型寻址模 式:$0000 至 $001F 能被单字节指令访问 • DD、 SUB、 INC 和 DEC 指令 支持小型寻 址模式;地址 $0000-$000F 能被具有精简 指令周期的单字节指令访问 • PC 寄存器指令 : SHA 和 SLA • 等待中断指示 • 通过 D[X] 和 X 寄存器变址寻址 • 通过分页区访问整个存储器 存储器 • 片内 Flash EEPROM • MC9RS08KA2: 2048 字节 • MC9RS08KA1:1024 字节 • 63 字节 RAM 省电模式 • 等待和停止模式 • 在省电模式下,通过实时中断 (RTI)、KBI、ACMP 唤醒 时钟源 • ICS — 可调整的 20 MHz 内部时钟源 • 最大到 10MHz 内部总线工作频率 • 0.2% 可调精度 , 在全温度和电压范围 2% 精度 系统保护 • 计算机正常工作 (COP) 复位可以不依赖总线时钟正 常工作 • 低电压检测产生复位或唤醒停止状态 外设 • MTIM — 8 位模定时器 • ACMP — 模拟比较器 • 轨对轨电压工作 • 可选择内部固定的待隙参考电压做比较 • 能在停止模式下工作 • KBI — 键盘中断口 • • 6 管脚封装有 3 个 KBI 8 管脚封装有 5 个 KBI 开发支持 • 后台调试系统 • 在线调试允许设置单断点 封装选择 • 6 管脚 DFN 封装 • • • • 8 管脚 2 个输入 / 输出脚 1 个输入脚 1 个输出脚 PDIP 封装 • 4 个输入 / 输出脚 • 1 个输入脚 • 1 个输出脚 • 8 管脚 SOIC 封装 • • • 4 个输入 / 输出脚 1 个输入脚 1 个输出脚 MC9RS08KA2 系列 数据手册 包括 :MC9RS08KA2 MC9RS08KA1 MC9RS08KA2 数据手册 MC9RS08KA2ZHS MC9RS08KA2 系列 第 1 版 第1版 2006 年 4 月 2006 年 4 月 修订历史 为了提供最新日期的信息,网上文档的版本是最新的。已经印刷的册子也许是早期的版本。为了 获得最新版的信息,可以查阅: http://freescale.com 下面修订本历史表总结在这个文档中的变化。 Table 1 修订编号 修订日期 1.0 4/2006 变化描述 第一版 此文档包含新产品开发的信息。飞思卡尔保留改变或停止此产品而不布告的权力。 这个产品结合了获得 SST 许可的 SuperFlash® 技术。 飞思卡尔和飞思卡尔标识是飞思卡尔半导体有限公司的商标。 © 飞思卡尔半导体有限公司, 2006。保留所有权力。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 # 飞思卡尔半导体公司 章节号 标题 页 第 1 章 MC9RS08KA2 系列 概述. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 第 2 章 管脚和连接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 第 3 章 工作模式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 第 4 章 存储器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 第 6 章 并行输入 / 输出控制 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 第 8 章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 第 9 章 内部时钟源 (RS08ICSV1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 第 10 章 模拟比较器 (RS08ACMPV1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 第 11 章 模定时器 (RS08MTIMV1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 第 12 章 开发支持 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 附录 A 电气特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 附录 B 订货信息和机械图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 7 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 8 飞思卡尔半导体 Running H/F 2 第1章 MC9RS08KA2 系列 概述 1.1 1.2 1.3 概述 ................................................................................................................................. 15 MCU 方框图 ..................................................................................................................... 15 系统时钟描述 ................................................................................................................... 16 第2章 管脚和连接 2.1 2.2 2.3 2.4 介绍 ................................................................................................................................. 17 管脚分配 .......................................................................................................................... 17 推荐的系统连接 ...............................................................................................................18 管脚详述 .......................................................................................................................... 18 2.4.1 电源 ..................................................................................................................... 18 2.4.2 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/Vpp ......................................................................... 19 2.4.3 PTA3/ACMPO/BKGD/MS ...................................................................................19 2.4.4 通用 I/O 和外围端口 ............................................................................................ 19 第3章 工作模式 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 介绍 ................................................................................................................................. 21 特点 ................................................................................................................................. 21 运行模式 .......................................................................................................................... 21 主动后台模式 ................................................................................................................... 21 等待模式 .......................................................................................................................... 22 停止模式 .......................................................................................................................... 22 3.6.1 停止模式下主动 BDM 使能 .................................................................................. 23 3.6.2 停止模式下低电压检测使能 ................................................................................. 24 第4章 存储器 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 存储器映象 ....................................................................................................................... 25 无效存储器 ....................................................................................................................... 26 变址 / 间接寻址 ................................................................................................................ 27 RAM 和寄存器地址和位分配 ............................................................................................ 27 RAM ................................................................................................................................. 29 Flash ................................................................................................................................ 29 4.6.1 特点 ..................................................................................................................... 29 4.6.2 Flash 编程步骤 .................................................................................................... 30 4.6.3 Flash 块擦除操作 ................................................................................................ 30 4.6.4 安全性 ................................................................................................................. 31 Flash 寄存器和控制位 ...................................................................................................... 31 4.7.1 Flash 选项寄存器 (FOPT 和 NVOPT) ................................................................. 31 4.7.2 Flash 控制寄存器 (FLCR) ...................................................................................32 页选择寄存器 (PAGESEL) ............................................................................................... 32 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体公司 # Running H/F 4 第5章 复位,中断,和通用系统控制 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 介绍 ................................................................................................................................. 35 特点 ................................................................................................................................. 35 MCU 复位 ........................................................................................................................ 35 计算机正常工作 (COP) 看门狗 ......................................................................................... 36 中断 ................................................................................................................................. 36 低电压检测 (LVD) 系统 .................................................................................................... 36 5.6.1 上电复位 (POR) 工作 ..........................................................................................37 5.6.2 LVD 复位工作 ...................................................................................................... 37 5.6.3 LVD 中断工作 ...................................................................................................... 37 实时中断 (RTI) ................................................................................................................. 37 复位,中断,及系统控制寄存器和控制位 ........................................................................ 37 5.8.1 系统复位状态寄存器 (SRS) ................................................................................. 37 5.8.2 系统选项寄存器 (SOPT) ..................................................................................... 39 5.8.3 系统设备识别寄存器 (SDIDH, SDIDL) ................................................................ 40 5.8.4 系统实时中断状态和控制寄存器 (SRTISC) ......................................................... 41 5.8.5 系统电源管理状态和控制 1 寄存器 (SPMSC1) ................................................... 42 5.8.6 系统中断等待寄存器 (SIP1) ................................................................................ 42 第6章 并行输入 / 输出控制 6.1 6.2 6.3 在低功耗模式下管脚状态 .................................................................................................46 并口 I/O 寄存器 ................................................................................................................ 46 6.2.1 端口 A 寄存器 ..................................................................................................... 46 管脚控制寄存器 ...............................................................................................................47 第7章 键盘中断 (RS08KBIV1) 7.1 7.2 7.3 7.4 介绍 ................................................................................................................................. 49 7.1.1 特点 ..................................................................................................................... 49 7.1.2 工作模式 ............................................................................................................. 50 7.1.3 方框图 ................................................................................................................. 50 外部信号描述 ................................................................................................................... 50 寄存器定义 ....................................................................................................................... 50 7.3.1 KBI 状态和控制寄存器 (KBISC) .......................................................................... 51 7.3.2 KBI 管脚允许寄存器 (KBIPE) .............................................................................. 52 7.3.3 KBI 边沿选择寄存器 (KBIES) .............................................................................. 52 功能描述 .......................................................................................................................... 52 7.4.1 仅边沿触发 .......................................................................................................... 53 7.4.2 边沿和电平触发 ................................................................................................... 53 7.4.3 KBI 上拉 / 下拉设备 ............................................................................................. 53 7.4.4 KBI 初始化 .......................................................................................................... 53 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 # 飞思卡尔半导体公司 Running H/F 2 第8章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 介绍 ................................................................................................................................. 55 程序设计器模型和 CPU 寄存器 ........................................................................................ 55 8.2.1 程序计数器 (PC) .................................................................................................56 8.2.2 影子程序计数器 (SPC) ........................................................................................ 56 8.2.3 条件代码寄存器 (CCR) ....................................................................................... 57 8.2.4 变址数据寄存器 (D[X]) ........................................................................................ 58 8.2.5 变址寄存器 (X) .................................................................................................... 58 8.2.6 页选择寄存器 (PAGESEL) .................................................................................. 58 寻址方式 .......................................................................................................................... 58 8.3.1 隐含寻址方式 (INH) ............................................................................................. 58 8.3.2 相对寻址方式 (REL) ............................................................................................ 58 8.3.3 立即数寻址方式 (IMM) ........................................................................................ 59 8.3.4 小型寻址方式 (TNY) ............................................................................................ 59 8.3.5 短型寻址方式 (SRT) ............................................................................................ 59 8.3.6 直接寻址方式 (DIR) ............................................................................................. 59 8.3.7 扩展寻址方式 (EXT) ............................................................................................ 59 8.3.8 变址寻址方式 (IX, 被伪指令执行 ) ....................................................................... 59 特殊操作 .......................................................................................................................... 60 8.4.1 复位顺序 ............................................................................................................. 60 8.4.2 中断 ..................................................................................................................... 60 8.4.3 等待和停止模式 ................................................................................................... 60 8.4.4 工作后台模式 ...................................................................................................... 60 指令表摘要 ....................................................................................................................... 61 第9章 内部时钟源 (RS08ICSV1) 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 介绍 ................................................................................................................................. 69 介绍 ................................................................................................................................. 70 9.2.1 特性 ..................................................................................................................... 70 9.2.2 工作模式 ............................................................................................................. 70 9.2.3 方框图 ................................................................................................................. 70 外部信号描述 ................................................................................................................... 71 寄存器定义 ....................................................................................................................... 71 9.4.1 ICS 控制寄存器 1 (ICSC1) .................................................................................. 71 9.4.2 ICS 控制寄存器 2 (ICSC2) .................................................................................. 72 9.4.3 ICS 调整寄存器 (ICSTRM) .................................................................................. 73 9.4.4 ICS 状态和控制 (ICSSC) .................................................................................... 73 功能描述 .......................................................................................................................... 73 9.5.1 工作模式 ............................................................................................................. 73 9.5.2 模式切换 ............................................................................................................. 75 9.5.3 总线频率分频器 ................................................................................................... 75 9.5.4 低功耗位使用 ...................................................................................................... 75 9.5.5 内部参考时钟 ...................................................................................................... 75 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体公司 # Running H/F 4 9.5.6 固定频率时钟 ...................................................................................................... 75 第 10 章 模拟比较器 (RS08ACMPV1) 10.1 介绍 ................................................................................................................................. 77 10.1.1 特点 ..................................................................................................................... 78 10.1.2 工作模式 ............................................................................................................. 78 10.1.3 方框图 ................................................................................................................. 78 10.2 外部信号描述 ................................................................................................................... 79 10.3 寄存器定义 ....................................................................................................................... 79 10.3.1 ACMP 状态和控制寄存器 (ACMPSC) ................................................................. 79 10.4 功能描述 .......................................................................................................................... 80 第 11 章 模定时器 (RS08MTIMV1) 11.1 介绍 ................................................................................................................................. 83 11.1.1 特点 ..................................................................................................................... 84 11.1.2 工作模式 ............................................................................................................. 84 11.1.3 方框图 ................................................................................................................. 84 11.2 外部信号描述 ................................................................................................................... 85 11.3 寄存器定义 ....................................................................................................................... 85 11.3.1 MTIM 状态和控制寄存器 (MTIMSC) ................................................................... 86 11.3.2 MTIM 时钟配置寄存器 (MTIMCLK) .....................................................................86 11.3.3 MTIM 计数寄存器 (MTIMCNT) ............................................................................87 11.3.4 MTIM 模寄存器 (MTIMMOD) .............................................................................. 88 11.4 功能描述 .......................................................................................................................... 88 11.4.1 MTIM 工作例子 ................................................................................................... 89 第 12 章 开发支持 12.1 介绍 ................................................................................................................................. 91 12.2 特点 ................................................................................................................................. 91 12.3 RS08 后台调试控制器 (BDC) ........................................................................................... 92 12.3.1 BKGD 管脚描述 .................................................................................................. 92 12.3.2 通讯详述 ............................................................................................................. 93 12.3.3 同步和串行通讯定时溢出 .................................................................................... 95 12.4 BDC 寄存器和控制位 ....................................................................................................... 95 12.4.1 BDC 状态和控制寄存器 (BDCSCR) .................................................................... 96 12.4.2 BDC 断点匹配寄存器 ..........................................................................................97 12.5 RS08 BDC 命令 ...............................................................................................................97 附录 A 电气特性 A.1 介绍 ................................................................................................................................ 101 A.2 最大绝对额定值 .............................................................................................................. 101 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 # 飞思卡尔半导体公司 Running H/F 2 热特性 ............................................................................................................................. 102 静电 (ESD) 保护特性 ......................................................................................................103 DC 特性 .......................................................................................................................... 103 电源电流特性 .................................................................................................................. 107 模拟比较器 (ACMP) 电气特性......................................................................................... 109 内部时钟源特性 .............................................................................................................. 109 AC 特性 .......................................................................................................................... 109 A.9.1 控制时间 ............................................................................................................ 110 A.10 Flash 特性....................................................................................................................... 110 A.3 A.4 A.5 A.6 A.7 A.8 A.9 附录 B 订货信息和机械图 B.1 订货信息 ......................................................................................................................... 113 B.2 机械图 ............................................................................................................................. 113 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体公司 # Running H/F 4 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 # 飞思卡尔半导体公司 第1章 MC9RS08KA2 系列 概述 概述 1.1 MC9RS08KA2 系列 微控制器 (MCU) 是一款极低成本、低管脚数的芯片,可用在家电、玩具和小设备 等。这款芯片是由标准的片内模块构成,包括一个非常小的、高效的 RS08 CPU 内核, 63 字节大小的 RAM, 2K 字节大小的 FLASH,一个 8 位模定时器,键盘中断和模拟比较器。这款芯片有 6 管脚和 8 管脚两种封装。 MCU 方框图 1.2 图 1-1 列出了 MC9RS08KA2 系列 MCU 结构。 RS08 CORE 5-BIT KEYBOARD BDC INTERRUPT MODULE (KBI) CPU 5 ANALOG COMPARATOR PTA0/KBIP0/ACMP+ (1) ACMPTCLK PTA1/KBIP1/ACMP- (1) RESET AND STOP WAKEUP MODULE (ACMP) MODES OF OPERATION ACMPO POWER MANAGEMENT RTI COP WAKEUP LVD MODULO TIMER MODULE (MTIM) PTA ACMP+ RS08 SYSTEM CONTROL PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP (1),( 2) PTA3/ACMPO/BKGD/MS PTA4/KBIP4 (1),(3) PTA5/KBIP5 (1), (3) USER FLASH — 2,048 BYTES USER RAM — 63 BYTES INTERNAL CLOCK SOURCE (ICS) VSS VDD 注意 : (1) 当作为输入时,由软件设置管脚内部上拉 / 下拉。 (2) 当作为复位功能,内部上拉自动使能。 (RSTPE=1). (3) 在 6 脚封装中这些管脚不存在。 POWER AND INTERNAL REGULATOR 图 1-1. MC9RS08KA2 系列 方框图 表 1-1 列出了片内模块的功能版本 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 15 第 1 章 MC9RS08KA2 系列 概述 表 1-1. 框图版本 模块 1.3 版本 模拟比较器 (ACMP) 1 键盘中断 (KBI) 1 模定时器 (MTIM) 1 内部时钟源 (ICS) 1 系统时钟描述 SYSTEM CONTROL LOGIC TCLK RTICLKS MTIM 1-kHz ICSIRCLK ICSFFCLK RTI ÷32 FIXED CLOCK (XCLK) ICS ICSOUT ÷2 BUS CLOCK COP CPU BDC FLASH 图 1-2. 系统时钟分配图 图 1-2 列出了此 MCU 简单的时钟连接方框图。总线时钟频率是 ICS 输出频率的一半,用于所有的模块。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 16 飞思卡尔半导体 第2章 管脚和连接 2.1 介绍 本章描述了所有连接到封装管脚的信号。它包括管脚接线图、信号特性表和一个详细的信号讨论。 2.2 管脚分配 图 2-1 和图 2-3 列出了所有的 MC9RS08KA2 系列封装的管脚分配情况。 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 1 6 PTA0/KBIP0/ACMP+ PTA3/ACMPO/BKGD/MS 2 5 PTA1/KBIP1/ACMP- VDD 3 4 VSS 图 2-1. MC9RS08KA2 系列 in 6-Pin DFN PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 1 8 PTA0/KBIP0/ACMP+ PTA3/ACMPO/BKGD/MS 2 7 PTA1/KBIP1/ACMP- VDD 3 6 PTA4/KBIP4 VSS 4 5 PTA5/KBIP5 图 2-2. MC9RS08KA2 系列 in 8-Pin PDIP PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 1 8 PTA0/KBIP0/ACMP+ PTA3/ACMPO/BKGD/MS 2 7 PTA1/KBIP1/ACMP– VDD 3 6 PTA4/KBIP4 VSS 4 5 PTA5/KBIP5 图 2-3. MC9RS08KA2 系列 in 8-Pin Narrow Body SOIC MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 17 第 2 章 管脚和连接 推荐的系统连接 2.3 图 2-4 列出了后台调试和 FLASH 编程的参考连接。 VDD MC9RS08KA2 VDD CBUK 10 μF CBY 0.1 μF VSS VDD BKGD/MS BACKGROUND HEADER RESET/VPP PTA0/KBIP0/ACMP+ PTA1/KBIP1/ACMPPTA4/KBIP4 (Note 1) PTA5/KBIP5 (Note 1) 注意 1 6 引脚封装无此引脚。 图 2-4. 系统连接方框图参考 管脚详述 2.4 本节提供了系统连接的详细描述。 2.4.1 电源 VDD 和 VSS 是 MCU 基本的电源管脚。这个电压源给所有的 I/O 电路和内部参考电压调节器提供电源。内部 电压调节器提供一个可调的更低电压源给 CPU 和 MCU 的其它内部电路。 典型地,应用系统有两个独立的电容连接在电源管脚:一个大的电解电容,如一个 10 μF 旦电容,给整个 系统提供大充电电荷;以及一个旁路电容,如一个 0.1 μF 陶瓷电容,放在离 MCU 电源管脚最近的地方,用于 抑止高频噪音。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 18 飞思卡尔半导体 第 2 章 管脚和连接 2.4.2 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/Vpp 上电复位 (POR) 进入用户模式后,PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 管脚默认为输入管脚, PTA2。将 SOPT 寄存器的 RSTPE 置位,此管脚作为复位输入脚。配置为复位脚后,此管脚一直为复位脚,直到下次上 电复位。当此管脚被拉低,复位脚被一个外部源复位 MCU。当被设置为复位脚 (RSTPE = 1),内部上拉功能 自动使能。 当执行 FLASH 编程或擦除时,此管脚需要一个外部 VPP 电压 ( 典型值 12 V, 参见 Section A.10, 褾 LASH 特性 ”) 。不管此管脚为何功能,VPP 接线总是连接到内部 FLASH 模块。当没有作为 FLASH 编程或擦除时, 为了避免 FLASH 过重负荷,外部 VPP 电压必须被切断,并且高于 VDD 的电压必须避免。 注意 此管脚没有包含一个钳压二极管连接到 VDD ,当没有执行 FLASH 编程或擦除时 这个管脚的电压不能高于 VDD 。 2.4.3 PTA3/ACMPO/BKGD/MS 作为只输出的 PTA3 管脚的功能可以设置为后台调试或模拟比较输出。在复位期间,这个管脚功能模式可 选择。复位后,这个管脚功能立即作为后台调试模式并且被用于后台调试通讯。在后台调试功能期间,这管脚 有一个内部上拉设备使能。作为一个只输出端口, SOPT 寄存器中的 BKGDPE 位必须被清零。 假如没有任何东西连接到这个管脚, MCU 在复位的上升沿期间进入到正常工作模式。假如有一个调试系 统连接到 6 管脚的标准后台调试头,在上电复位期间将 BKGD/MS 一直拉低,强迫 MCU 进入后台调试模式。 BKGD 管脚主要用于后台调试控制器 (BDC)通讯,此通讯使用目标 MCU 的 BDC 时钟的 16 个时钟周 期的通讯协议。目标 MCU 的 BDC 时钟等于总线时钟。因此,大电容连接到 BKGD/MS 管脚将会干扰后台串 行通讯。 尽管 BKGD 管脚是个假的开漏极管脚,后台调试通讯协议提供了暂时的、积极驱动的高速脉冲确保快速 上升时间。来自电线的小电容和内部上拉设备在 BKGD 管脚的上升和下降沿几乎不起作用。 2.4.4 通用 I/O 和外围端口 剩下的管脚都具有通用 I/O 和芯片外设功能,如定时器和模拟比较器。上电复位后,所有这些管脚立即被 设置为高阻态通用输入且内部上拉 / 下拉设备禁止。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 19 第 2 章 管脚和连接 注意 为了避免外部漏电流进入悬浮的输入管脚,应用例程中的复位初始化程序应该使能 芯片的上拉 / 下拉设备或将管脚设置为输出。 表 2-1. 管脚共享参数 1 管脚名称 方向 上拉 / 下拉1 可选的功能2 VDD — — 电源 VSS — — 地 PTA0 I/O SWC PTA0 KBIP0 ACMP+ 通用输入 / 输出 (GPIO) 键盘中断 ( 只停止 / 等待唤醒 ) 模拟比较输入 PTA1 I/O SWC PTA1 KBIP1 ACMP- 通用输入 / 输出 (GPIO) 键盘中断 ( 只停止 / 等待唤醒) 模拟比较输入 PTA2 I SWC4 PTA2 KBIP2 TCLK RESET VPP 通用输入 键盘中断 ( 只停止 / 等待唤醒 ) 模定时器时钟源 复位 VPP PTA3 I/O3 —4 PTA3 ACMPO BKGD MS 通用输出 模拟比较器输出 后台调试数据 模式选择 PTA45 I/O SWC PTA4 KBIP4 通用输入 / 输出 (GPIO) 键盘中断 ( 只停止 / 等待唤醒) PTA55 I/O SWC PTA5 KBIP5 通用输入 / 输出 (GPIO) 键盘中断 ( 只停止 / 等待唤醒 ) SWC 是软件控制上拉 / 下拉电阻器,这个寄存器与各自端口有关。 2 任选功能首先从最低优先级被列出。例如,在 PTA0 管脚 GPIO 是最低优先级功能。 ACMP+ 是最高优先级功能。 当配置为 PTA3 功能是只输出。 4 当 PTA2 或 PTA3 配置为 RESET 或 BKGD/MS,各自的,上拉使能。当接上 VPP ,上拉 / 下拉自动禁止。 3 5 在 6 管脚封装中这个管脚没有。使能上拉或下拉设备可以确保防止外部漏电流进入输入管脚。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 20 飞思卡尔半导体 第3章 工作模式 介绍 3.1 本章介绍了 MC9RS08KA2 系列 的工作模式 , 也详细介绍了进入每种模式、退出每种模式和每种模式的功 能。 特点 3.2 • 主动后台模式 • 等待模式 : • • CPU 关闭降低功耗 • 系统时钟继续运行 • 全电压调节被保持 停止模式 : • 系统时钟被停止;电压调节器备用 • 所有内部电路保持供电用于快速恢复 运行模式 3.3 这是 MC9RS08KA2 系列正常工作模式。在复位的上升沿,当 BKGD/MS 管脚是高电平时选择这种模式。 在这种模式,CPU 执行启始地址为 $3FFD 的内部存储器开始执行代码。操作数位于 $3FFE–$3FFF 的一条 JMP 指令 ( 操作码 $BC) 必须被编程为正确的复位操作进入用户应用层。这个操作数定义在用户程序开始的地 点 , 取代 HC08/S08 系列中用于取出程序的向量。为确保 JMP 指令重新定位程序指针到正确的用户程序的起 始地址,需要用户程序负责完成。 主动后台模式 3.4 主动后台模式功能通过在 RS08 核中的后台调试控制器 (BDC) 管理。在软件调试期间 BDC 提供 分析 MCU 工作的方法。 主动后台模式通过四种方法中的任何一种可进入: • 在上电复位 (POR)期间 BKGD/MS 管脚被拉低或发出了一条后台调试强迫复位 (BDC_RESET) 命 令 • 当 BKGD 管脚收到后台调试命令 • 当 BGND 指令被执行 • 当遇到一个 BDC 断点 进入知道后台模式后, CPU 保持悬浮状态等待串行后台命令,而不会从用户应用程序执行指令。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 21 第 3 章 工作模式 后台命令有 2 种类型: • • 无指令命令,被定义为在用户程序运行时能被发出的命令, MCU 在运行状态时能够通过 BKGD 管脚 发出。当 MCU 在主动后台模式时无指令命令也可以执行。无指令命令包括: • 存储器存取命令 • 存储器存取与状态命令 • BACKGROUND 命令 主动后台命令,仅当 MCU 在主动后台模式时能被执行,包括: • 读或写 CPU 寄存器 • 在某个时间跟踪一条用户程序指令 • 离开主动后台模式返回到用户应用程序 (GO) 主动后台模式用于 MCU 在进入运行模式之前第一时间将用户应用代码编程到 Flash 程序存储器中。当 MC9RS08KA2 系列 从飞思卡尔半导体工厂运出, Flash 程序存储器通常被擦除,因此在运行模式没有程序可 以运行,除非 Flash 程序存储器被编程。在预先编程后,主动后台模式也可以擦除和重新编程 Flash 存储器。 关于主动后台模式附加的信息,请参考此数据手册开发的支持章节。 3.5 等待模式 通过执行 WAIT 指令进入等待模式。在执行 WAIT 指令后,没有时钟提供给 CPU,进入低功耗状态。程 序计数器 (PC) 停止在 WAIT 被执行的位置。当一个中断需求产生: 1. MCU 退出等待模式恢复工作。 2. PC 被加 1 并且取出下条指令执行。 由于没有向量被取出,用户程序需要查明唤醒 MCU 的相关中断源。 当 MCU 在等待模式,不是所有的后台调试命令都能够被使用,仅 BACKGROUND 命令和 存储器存取和 状态命令可用。存储器状态存取命令不允许存储器存取,但当 MCU 在停止或等待模式时可以报告一个错误的 标志。BACKGROUND 命令可以从等待模式下唤醒 MCU 进入主动后台模式。 表 3-1 总结了 MCU 在等待模式下的状态。 表 3-1. 等待模式状态 3.6 Mode CPU Digital Peripherals ICS ACMP Regulator I/O Pins RTI Wait Standby Optionally on On Optionally on On States held Optionally on 停止模式 当系统选型寄存器的 STOPE 位被置位,执行 STOP 指令进入停止模式。在停止模式,所有 CPU 和模块 的内部时钟被停止。假如 STOPE 位没有被置位,当 CPU 执行 STOP 指令时, MCU 不会进入停止模式,并 且产生一个非法指令强迫复位。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 22 飞思卡尔半导体 第 3 章 工作模式 表 3-2 总结了 MCU 在停止模式下的状态。 表 3-2. 停止模式状态 Mode CPU Digital Peripherals ICS1 ACMP2 Regulator I/O Pins RTI3 Stop Standby Standby Optionally on Optionally on Standby States held Optionally on 1 在停止模式,内部时钟源需要 IREFSTEN = 1 并且 LVDE 和 LVDSE 必须被置位才能允许工作。 2 假如需要待隙参考,进入停止模式前, SPMSC1 中的 LVDE 和 LVDSE 位必须被置位。 假如在 ICS 模块中的 32 kHz 可调时钟被选择用于作为 RTI 的时钟源,进入停止模式前,在 SPMSC1 中的 LVDE 和 LVDSE 位必须被置位。 3 进入停止模式后 MCU 内的所有时钟停止。当 IREFSTEN 位被清除内部时钟源默认关闭,电压调整器进 入旁路状态。所有内部寄存器和逻辑单元的状态保持不变,如 RAM 内容。 I/O 管脚状态被钳住。 任何异步中断或实时中断,都可以退出 STOP 模式。异步中断包括键盘中断,低电压检测中断或模拟比 较中断。 假如是通过复位管脚退出停止模式, MCU 将复位且程序从 $3FFD 地址开始运行。假如是通过异步中断 或实时中断退出停止模式,停止指令地址的下条指令被执行。用户程序需要查明唤醒 CPU 的相关中断源。 一个用于实时中断 (RTI) 的独立的时钟源 ( ≈1 kHz) 允许从停止模式唤醒 CPU 而不需要外部器件。当 RTIS = 000, 实时中断功能和 1 kHz 时钟源被禁止。当 1 kHz 时钟源被禁止时功耗更低,但在这种情况下,实 时中断不能将 MCU 从停止模式下唤醒。 在内部时钟源模块内可调的 32-kHz 时钟源可以用于实时中断,允许不需要外部器件就可以从停止模式唤 醒 MCU。IREFSTEN 位置位, 32-kHz 参考时钟使能。为了在停止模式下内部时钟源能运行,进入停止模式 前, SPMSC1 寄存器中的 LVDE 和 LVDSE 位必须都置位。 3.6.1 停止模式下主动 BDM 使能 假如 BDCSCR 寄存器中的 ENBDM 位被置位,从运行模式进入后台调试模式是允许的。本数据手册的开 发支持章有这个寄存器的描述。当 MCU 进入停止模式,后台调试逻辑的系统时钟保持活动的,因此后台调试 通讯依然可能。另外,电压调整器不会进入低功耗旁路状态;它维持全部的内部调节。 在停止模式下大部分后台调试命令不能用。存储器状态存取命令不允许存储器存取。但当 MCU 在停止或 等待模式时可以报告一个错误的标志。假如 ENBDM 位被置位, BACKGROUND 命令可以从停止模式下唤醒 MCU 进入主动后台模式。进入后台调试模式后,所有的后台命令可用。 表 3-3 总结了当进入后台模式使能时在停止模式下 MCU 的状态 表 3-3. BDM 使能停止模式状态 Mode CPU Digital Peripherals ICS ACMP Regulator I/O Pins RTI Stop Standby Standby On Optionally on On States held Optionally on MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 23 第 3 章 工作模式 3.6.2 停止模式下低电压检测使能 当电源下降低于 LVD 电压时, LVD 系统能够产生中断或复位。假如在停止模式下 LVD 使能 ( 在 SPMSC1 寄存器中的 LVDE 和 LVDSE 位被置位 ), CPU 执行 STOP 指令时,电压调整器保持活动状态。 表 3-4 总结了当允许 LVD 产生复位时停止模式下 MCU 的状态。 表 3-4. LVD 使能停止模式状态 Mode CPU Digital Peripherals Stop Standby Standby ICS ACMP Regulator I/O Pins RTI Optionally on Optionally on On States held Optionally on MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 24 飞思卡尔半导体 第4章 存储器 存储器映象 4.1 MCU 的存储器图被划分成以下块: • 快速存取 RAM 用于小型指令和短型指令 ($0000–$000E1 ) • 间接数据存储 D[X] ($000E) • 用于 D[X] 的变址寄存器 X ($000F) • 经常使用的外设寄存器 ($0010–$001E) • 页寄存器 ($001F) • RAM ($0020–$004F) • 分页窗口 ($00C0–$00FF) • 其它外设寄存器 ($0200–$023F) • 非易式性存储器 ($3800–$3FFF) 1. 当变址寄存器 X 内容是 $0E 时, $000E 的物理 RAM 能通过 D[X] 寄存器访问。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 25 第 4 章 存储器 $0000 $000D $000E $000F $0010 FAST ACCESS RAM PAGE REGISTER CONTENT $00 14 BYTES D[X] REGISTER X FREQUENTLY USED REGISTERS $001E $001F $0020 PAGESEL RAM 48 BYTES $004F UNIMPLEMENTED $00C0 PAGING WINDOW $00FF UNIMPLEMENTED $08 (reset value) $0200 $023F HIGH PAGE REGISTERS UNIMPLEMENTED $E0 $3800 FLASH 2044 BYTES $3FFB $3FFC $3FFD $3FFF NVOPT FLASH 图 4-1. MC9RS08KA2 存储器映象 4.2 无效存储器 在一个无效存储器地址试图存取数据或指令将会导致复位。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 26 飞思卡尔半导体 第 4 章 存储器 4.3 变址 / 间接寻址 寄存器 D[X] 和寄存器 X 一起实现间接数据存取。寄存器 D[X] 被映射地址 $000E. 寄存器 X 位于地址 $000F. 当寄存器 D[X] 被存取时这个 8 位寄存器 X 包含了被使用的地址。复位后寄存器 X 被清零。通过编程寄 存器 X,位于第一页 ($0000–$00FF) 内的任何位置都能够通过 D[X] 被读 / 写。图 4-2 显示了 D[X] 和寄存器 X 的相对关系。例如,当寄存器 X 被写给定值, HC08/S08 语句 lda ,x 相当于 RS08 的语句 lda D[X] 。 $000E 物理位置在 RAM 区,当寄存器 X 的值是 $0E 时,通过 D[X] 访问这个地址获得 $000E RAM 的内 容。 $000F 物理位置是寄存器 X 自身。通过 D[X] 读取这个地址获得寄存器 X 的内容;写这个地址修改寄存器 X。 $0000 $000E D[X] $000F Register X 寄存器 X 能表示位于 $0000–$00FF 间的任何位置 Address indicated in Register X Content of this location can be accessed via D[X] $00FF $0100 图 4-2. 间接寻址寄存器 4.4 RAM 和寄存器地址和位分配 使用小型、短型、直接寻址方式指令能访问直接存取 RAM 空间。对于小型寻址方式指令,操作数与操作 码被编码为一个单字节。 为了完成更快载入、存储和清除工作,频繁使用的寄存器可以使用短型寻址方式指令。对于短型寻址方 式指令,操作数与操作码被编码为一个单字节。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 27 第 4 章 存储器 表 4-1. 寄存器总结 地址 寄存器名称 位7 6 5 4 $0000– $000D 3 2 1 位0 2 1 Bit 0 Fast Access RAM $000E D[X]1 Bit 7 $000F X Bit 7 6 5 4 3 2 1 Bit 0 $0010 PTAD 0 0 PTAD5 PTAD4 PTAD3 PTAD2 PTAD1 PTAD0 6 5 4 3 $0011 PTADD 0 0 PTADD5 PTADD4 0 0 PTADD1 PTADD0 $0012 Unimplemented — — — — — — — — ACME ACBGS ACF ACIE ACO ACOPE 0 CLKS 0 0 0 0 0 IREFSTEN 0 0 LP 0 0 0 $0013 ACMPSC $0014 ICSC1 BDIV ACMOD $0015 ICSC2 $0016 ICSTRM $0017 ICSSC 0 0 0 0 0 CLKST 0 FTRIM $0018 MTIMSC TOF TOIE TRST TSTP 0 0 0 0 $0019 MTIMCLK 0 0 KBIE KBIMOD TRIM CLKS PS $001A MTIMCNT COUNT $001B MTIMMOD MOD $001C KBISC 0 0 $001D KBIPE — — $001E KBIES — — $001F PAGESEL AD13 AD12 AD11 0 0 KBF KBIPE5 KBIPE4 — KBIPE2 KBIPE1 KBIPE0 KBEDG5 KBEDG4 — KBEDG2 KBEDG1 KBEDG0 AD10 AD9 AD8 AD7 AD6 — — — — $0020– $004F KBACK RAM $0050– Unimplemented $00BF — — — $00C0 – $00FF — Paging Window $0100– Unimplemented $01FF — — — — — — — — POR PIN COP ILOP ILAD 0 LVD 0 $0200 SRS $0201 SOPT COPE COPT STOPE 0 0 0 BKGDPE RSTPE $0202 SIP1 — — — KBI ACMP MTIM RTI LVD $0203 Unimplemented — — — — — — — — $0204 Reserved — — — — — — — — $0205 Unimplemented — — — — $0206 SDIDH — — — — REV3 REV2 REV1 REV0 ID $0207 SDIDL $0208 SRTISC RTIF RTIACK RTICLKS RTIE ID 0 RTIS $0209 SPMSC1 LVDF LVDACK LVDIE LVDRE LVDSE LVDE 0 BGBE $020A Reserved — — — — — — — — $020B Reserved — — — — — — — — = Unimplemented or Reserved MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 28 飞思卡尔半导体 第 4 章 存储器 表 4-1. 寄存器总结 (continued) 位7 6 5 4 3 2 1 位0 $020C Unimplemented – $020F — — — — — — — — $0210 FOPT 0 0 0 0 0 0 0 SECD $0211 FLCR 地址 寄存器名称 0 0 0 0 HVEN MASS 0 PGM $0212– Reserved $0213 — — — — — — — — $0214– Unimplemented $021F — — — — — — — — — — — — — — — — $0220 PTAPE 0 0 PTAPE5 PTAPE4 0 PTAPE2 PTAPE1 PTAPE0 $0221 PTAPUD 0 0 PTAPUD5 PTAPUD4 0 PTAPUD2 PTAPUD1 PTAPUD0 $0222 PTASE 0 0 PTASE5 PTASE4 PTASE3 0 PTASE1 PTASE0 $0223– Unimplemented $023F — — — — — — — — $3FF8 Reserved — — — — — — — — $3FF9 Reserved — — — — — — — — $3FFA2 Reserved Reserved for Room Temperature ICS Trim $3FFB2 Reserved $3FFC NVOPT Reserved 0 0 0 0 FTRIM 0 0 0 SECD = Unimplemented or Reserved 1 2 当变址寄存器 X 内容是 $0E,在 $000E 的物理 RAM 能通过 D[X] 寄存器访问。 假如使用的 MCU 未调整,$3FFA 和 $3FFB 可以被应用程序载入。 4.5 RAM 此芯片包含两个区域的静态 RAM。从 $0000 到 $000D 的区域可以通过更高效的小型寻址方式指令和短 型寻址方式指令直接访问。当寄存器 X 值是 $0E 时,可以通过 D[X] 寄存器访问位于 $000E 的 RAM 值。或当 PAGESEL 寄存器值是 $00 时通过位于 $00CE 的分页窗口访问。第二个 RAM 区域从 $0020 到 $0040,它能 通过直接寻址方式指令访问。 当 MCU 在低功耗等待和停止模式时 RAM 保持数据。当给 RAM 供电的电压没有下降到低于维持 RAM 所 需的最小值时,任何复位都不会影响 RAM 数据 。 4.6 Flash Flash 存储器主要用于存储程序。在编译成功后,在线编程允许应用程序下载到 Flash 存储器中。通过单 线后台调试接口编程到整个空间是可以的。由于此芯片没有包括在线电压泵,在编程和擦除工作时需要外部 VPP 。 4.6.1 特点 Flash 存储器特点包括: • • 在典型电压和温度下超过 1000 次编程 / 擦除。 Flash 安全特性 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 29 第 4 章 存储器 4.6.2 Flash 编程步骤 基于行编程 Flash 存储器。一行由 64 个连续字节组成,起始地址为 $3X00, $3X40, $3X80, 或 $3XC0。 使用下列步骤编程一行 Flash 存储器: 1. 加外部电压 VPP。 2. PGM 位置位。这用于配置编程的存储器和允许锁住编程的地址和数据。 3. 写任何数据到任何 Flash 位置,经过高页存取窗口,内部的行地址范围被编程 ( 数据写操作之前, PAGESEL 寄存器必须配置正确去映射高页存取窗口到相关的 Flash 行 )。 4. 延时 tnvs。 5. HVEN 位置位。 6. 延时 tpgs。 7. 写数据到被编程的 Flash 空间。 8. 延时 tprog。 9. 重复步骤 7 和 8 直到行内所有字节编程完毕。 10. PGM 位清零。 11. 延时 tnvh。 12. HVEN 位清零。 13. 延时 trcv 后,存储器又能在读方式下访问。 14. 去除外部电压 VPP。 这个编程顺序重复到整个存储器,直到所有的数据被烧写。 注意 Flash 存储器不能被 Flash 空间内的代码执行编程或擦除。为了编程或擦除 Flash,必须来自 RAM 或 BDC 的命令才能执行。在擦除或编程过程中,用户代码 不能进入等待或停止模式。 这些操作必须在以上规定的步骤执行;其它一些不相干的操作可能在这些步骤之间 出现。 4.6.3 Flash 块擦除操作 用下面步骤块擦除整个 Flash 存储器: 1. 加外部电压 VPP。 2. 在 Flash 控制寄存器 MASS 位置位; 3. 写任何数据到任何 Flash 位置,通过高页存取窗口 $00C0–$00FF.。 ( 数据写操作之前, PAGESEL 寄 存器必须配置正确去映射高页存取窗口任何 Flash 位置 )。 4. 延时 tnvs。 5. HVEN 位置位。 6. 延时 tme。 7. MASS 位清零。 8. 延时 tnvh1。 9. HVEN 位清零。 10. 延时 trcv, 后,存储器又能在读模式下访问。 11. 去除外部电压 VPP。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 30 飞思卡尔半导体 第 4 章 存储器 注意 Flash 存储器不能被 Flash 空间内的代码执行编程或擦除。为了编程或擦除 Flash,必须来自 RAM 或 BDC 的命令才能执行。在擦除或编程过程中,用户代码 不能进入等待或停止模式。 这些操作必须在以上规定的步骤执行;其它一些不相干的操作可能在这些步骤之间 出现。 安全性 4.6.4 MC9RS08KA2 系列 拥有的电路帮助防止未授权访问 Flash 存储器的内容。当有安全机制保证时, Flash 可以认为是一个安全的资源。RAM、直接页寄存器和后台调试控制器被认为是不安全的资源。试图通过后台 调试接口,或无论 BKGDPE 是否被置位,访问一个安全的存储是行不通的 ( 读出全是 0)。 基于 FOPT 寄存器的非易式性寄存器位 (SECD) 的状态决定是否安全。在复位期间,非易式性寄存器 NVOPT 被拷贝到高页寄存器 FOPT 寄存器。通过对 NVOPT 编程用户获得安全机制保护,与 Flash 存储器被 编程的相同的时间完成。注意被擦除状态 (SECD = 1) 使 MCU 不安全。当 NVOPT 的 SECD 位被清零 (SECD = 0), 单片机下次通过上电复位,内部复位,或外部复位方式被复位,可以确保安全。为了使安全机制 失效,块擦除必须通过 BDM 命令执行并且跟随在任何复位后。 独立的后台调试控制器依然可以访问寄存器和 RAM。通过写 Flash 控制寄存器实现 Flash 块擦除是可以 的,通过 BDM 命令参考 4.6.3 节 Flash 块擦除操作。 由下面步骤通过后台调试接口总是能使安全机制失效: 1. 通过后台 BDM 命令或 RAM 装载程序块擦除 Flash 。 2. 执行复位单片机将用失效的安全保护引导。 注意 当单片机引导进入正常工作模式, MS 管脚在复位期间为高, SECD 位清零 (SECD = 0), Flash 安全机制起用。 BKGDPE 位复位后为 0,并且所有的 BDM 通 讯关闭,后台调试禁止。 Flash 寄存器和控制位 4.7 Flash 模块有一个非易式性寄存器,NVOPT ($3FFC),复位时在 Flash 存储器被拷贝到相关的控制寄存器 FOPT ($0210)。 Flash 选项寄存器 (FOPT 和 NVOPT) 4.7.1 复位时非易式性单元 NVOPT 的内容在 Flash 内被拷贝到 FOPT。位 7 至 1 不能使用并且读出总是为 0。 这个寄存器在任何时间都能被读出,但是写无意义或无效。为了改变这个寄存器的值,通常擦除和再编程 Flash 中的 NVOPT 寄存器后导致一次新的 MCU 复位。 R 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0 0 0 0 0 0 SECD W Reset 复位期间此寄存器从非易失性 NVOPT 载入 . = Unimplemented or Reserved 图 4-3. Flash 选项寄存器 (FOPT) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 31 第 4 章 存储器 表 4-2. FOPT 域描述 域 描述 0 SECD 安全状态代码 — 此位决定 MCU 的安全状态 . MCU 被保护,Flash 存储器内容不能被来自任何不安全源包括后台 调试接口访问。参考 4.6.4 节 安全性 ”. 0 安全使能 1 安全失效 Flash 控制寄存器 (FLCR) 4.7.2 R 7 6 5 4 0 0 0 0 3 2 HVEN MASS 0 0 1 0 0 PGM1 W Reset 0 0 0 0 0 0 = Unimplemented or Reserved 图 4-4. Flash 控制寄存器 (FLCR) 表 4-3. FLCR 域描述 1 域 描述 3 HVEN 高电压使能 — 此读 / 写位允许高电压加载到 Flash 阵列用于编程和擦除操作。只有当 PGM = 1 或 MASS = 1 和 正常编程或擦除顺序被跟随, HVEN 可以被置位。 0 高电压禁止加载到阵列 1 高电压允许加载到阵列 2 MASS 块擦除位 — 这个读 / 写位配置存储器块擦除工作。 0 块擦除没有被选择。 1 选择块擦除。 0 PGM1 编程控制位 — 这个读 / 写位配置存储器编程工作。PGM 与 MASS 位互锁因此这两个位不能同时等于 1 或置 1 。 0 不选择编程。 1 选择编程。 当 Flash 安全机制有效时,写 PGM 位是无效的。结果,Flash 编程不允许。 4.8 页选择寄存器 (PAGESEL) 这是一个在直接页地址可以分页访问 64 个字节的窗口 ($00C0–$00FF)。编程页选择寄存器可以通过直接 页访问确定存储器映射中的 64 个字节块。例如,当 PAGESEL 寄存器值位 $08 时,高页寄存器 ($0200–$023F) 能够由直接寻址方式指令通过页窗口 ($00C0–$00FF) 访问。 7 6 5 4 3 2 1 0 AD13 AD12 AD11 AD10 AD9 AD8 AD7 AD6 0 0 0 0 1 0 0 0 R W Reset 图 4-5. 页选择寄存器 (PAGESEL) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 32 飞思卡尔半导体 第 4 章 存储器 表 4-4. PAGESEL 区描述 Field Description 7:0 AD[13:6] 页选择器 — 这些位定义地址行位 6 到位 13,它们决定通过直接页窗口被访问的存储器块的 64 字节的块界线, 见 图 4-6 和表 4-5。 14- 位存储器地址 选择的存储器块地址 0 0 0 0 0 0 AD[13:6] 图 4-6. 存储器块界线选择器 表 4-5 列出了通过页窗口 ($00C0–$00FF) 访问的存储器块。 表 4-5. 页窗口对应于 $00C0–$00FF Page Memory Address $00 $0000–$003F $01 $0040–$007F $02 $0080–$00BF $03 $00C0–$00FF $04 $0100–$013F . . . . . . $FE $3F80–$3FBF $FF $3FC0–$3FFF 注意 物理地址 $0000-$000E 是 RAM。 物理地址 $000F 是寄存器 X。 D[X] 寄存器仅被 映射到地址 $000E 。当 X 寄存器值是 $0E 或 $CE, PAGESEL 是 $00 时,位于 $000E 的物理 RAM 能够通过 D[X] 寄存器访问。 当 PAGESEL 寄存器是 $00,页窗口被映射到第一页 ($00-$3F)。分页地址 $00C0–$00CE 被映射到物理地址 $0000-$000E,也就是, RAM。 分页地址 $00CF 被映射到寄存器 X。因此,访问地址 $CE 的内容返回实际 RAM $000E 的 内容。访问地址 $000E 返回 D[X] 寄存器内容。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 33 第 4 章 存储器 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 34 飞思卡尔半导体 第5章 复位,中断,和通用系统控制 介绍 5.1 本章讨论在 MC9RS08KA2 系列中的基本复位和中断机制和不同的复位与中断源。 MC9RS08KA2 系列一 些外设模块的中断源在本数据手册的其它章会更详细讨论。本章集合了关于所有中断和复位源的基本信息,放 在一起便于参考。一些复位和唤醒源,包括计算机正常工作 (COP) 看门狗和实时中断 (RTI), 在外设系统中没 有专门的篇章部分,但也是系统控制逻辑部分。 特点 5.2 复位和中断特点包括: • 多复位源便于灵活系统配置和可靠工作 • 系统复位状态寄存器 (SRS) 可以显示出最后一次产生复位的复位源 • 系统中断等待寄存器 (SIP1) 可以显示出等待系统中断的状态 • 模拟比较器中断使能 • 键盘中断使能 • 低电压检测中断使能 • 模定时器中断使能 • 实时中断中断使能;在停止模式基于独立的 1 KHz 时钟源中断使能; MCU 复位 5.3 复位的 MCU 通过一个已知初始化条件设置提供一个途径开始执行。复位期间,大多数控制和状态寄存器 被迫得到初始值并且程序计数器从 $3FFD 地址开始。为了正确的复位操作,操作数位于 $3FFE–$3FFF 的一 条 JMP 指令 ( 操作码 $BC) 必须被编程跳转到用户应用软件。此操作数定义的地址为用户程序的开始地址。 片上外设模块禁止且 I/O 管脚被初始配置为通用的高阻态输入,上拉 / 下拉功能禁止。 MC9RS08KA2 系列 有七个复位源: • 外部管脚复位 (PIN) — SOPTE 寄存器的 RSTPE 位被置 1 • 上电复位 (POR) • 低电压检测 (LVD) • 计算机正常工作 (COP) 定时器 • 非法操作码检测 (ILOP) • 非法地址检测 (ILAD) • 通过 BDC 命令 BDC_RESET 强迫后台调试复位 每一个复位源,除去后台调试强迫复位外,在系统复位状态寄存器 (SRS) 中都有一个相关的位。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 35 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 5.4 计算机正常工作 (COP) 看门狗 假如应用软件没有预期执行, COP 看门狗将会强迫系统复位。为了防止看门狗复位,应用软件必须定期 周期性喂狗。假如系统程序跑飞,不能在 COP 定时器溢出前将 COP 计数值清零,系统复位将被产生,强迫 系统回到一个已知的起始点。 任何复位后,SOPT 中的 COPE 位被置位,允许 COP 看门狗工作 ( 见 5.8.2 节 系统选项寄存器 (SOPT) 及附加信息 )。假如 COP 看门狗在应用软件中不想被使用,将 COPE 清零即可。SRS 地址单元写入任何值都 将 COP 计算器清零。这些写操作不会影响只读 SRS 寄存器的数据。相反地,写这个地址的行为将被译解为 发送一个清零信号到 COP 计数器。 SOPT 寄存器的 COPT 位控制长时间和短时间定时溢出。表 5-1 概括了 COPT 位的控制功能。COP 看门 狗工作时钟源为 1 kHz ,默认为长时间定时溢出 (28 cycles)。 栏中 表 5-1. COP 配置选项 1 COPT COP 溢出计数1 0 25 cycles (32 ms) 1 28 cycles (256 ms) 栏中列出的值基于 tRTI ≈ 1 ms。对于这个值的公 差,参见 Section A.9.1, “ 控制时间 ,” 中的 tRTI 。 即使应用软件使用 COPE 和 COPT 复位的默认值,用户在复位初始化期间也应该写这个只能写一次的 SOPT 寄存器用于锁住设置。这样,假如应用软件跑飞也不会出现意外改变这个寄存器的情况。初次写 SOPT 寄存器将 COP 计数器清零。 在后台调试模式, COP 计数器不计数。 当 MCU 进入停止模式, COP 计数器在进入停止模式前被重新初始化为零。一旦退出停止模式 COP 计数 器重新从零开始计数。 5.5 中断 MC9RS08KA2 系列 没有像 HC08 和 HCS08does 那样拥有一个 具有向量表查询机制的中断控制器。然 而,模块中断源,如 LVD, KBI, 和 ACMP,依然可以将 CPU 从等待或停止模式唤醒。用户应用程序的职责是查 找相关的模块明确唤醒源。 每个模块唤醒源与相关的中断设置位有关系。假如这个位被禁止,此中断源被关闭,这个源不能将 CPU 从等待或停止模式唤醒。然而,相关的中断标志位依然会被置位,指出一个外部唤醒事件发生。 系统中断等待寄存器 (SIP1) 显示了系统等待中断的状态。当 SIP1 的只读位被置 1,表明有一个等待中断 需要处理指明的模块。写这个寄存器位是无效的。当来自被指明的模块的所有相关中断标准位被清零,这个等 待中断标志位自动清零。 5.6 低电压检测 (LVD) 系统 为了保护存储器内容和控制 MCU 系统在电源电压变化状态, MC9RS08KA2 系列 拥有一个系统防止低电 压。这个系统由一个上电复位和一个具有预先定义下跌电压的 LVD 电路组成。当 SPMSC1 寄存器的 LVDE 置 位, LVD 允许工作。进入停止模式后 LVD 禁止工作,除非 SPMSC1 的 LVDSE 位置 1。假如 LVDSE 和都被 置 1,在停止模式 LVD 工作功耗将更大些。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 36 飞思卡尔半导体 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 5.6.1 上电复位 (POR) 工作 当电源刚开始给 MCU 供电时,或当电源电压下降低于 VPOR 电压时 ,POR 电路将产生一个复位条件。由 于电源电压上升, LVD 电路将保持 MCU 在复位状态,直到电源电压已经上升超过 VLVD 电压。随着一个 POR,在 SRS 寄存器的 POR 位和 LVD 位都被置 1。 5.6.2 LVD 复位工作 通过 LVDRE 位置 1,依据一个低电压条件, LVD 可以被配置位产生复位。一个 LVD 复位产生后, LVD 系统将保持 MCU 在复位状态,直到电源电压上升高于 VLVD。随着 LVD 复位或 POR 后 SRS 寄存器的 LVD 位被置 1。 5.6.3 LVD 中断工作 当一个低电压条件被检测,LVD 电路利用 SPMSC1 寄存器被配置为中断工作 (LVDE 置 1、LVDIE 置 1、 LVDRE 清零 ),SPMSC1 寄存器的 LVDF 位将被置 1 并且一个 LVD 中断请求将产生。 5.7 实时中断 (RTI) 实时中断功能用于产生定期中断。 RTI 时钟可以是 1-kHz 内部参考时钟或 ICS 模块的被调整的 32-kHz 内 部参考时钟。32-kHz 内部参考时钟被 32 分频产生一个被调整的 1-kHz 时钟用于应用程序需要更精确的实时中 断。 SRTISC 的 RTICLKS 位用于选择 RTI 时钟源。当 MCU 在运行、等待或停止模式时,用于 RTI 的 1-kHz 和 32-kHz 时钟源都能使用。 SRTISC 寄存器包含一个只读状态标志位,一个只写应答位,和一个用于选择七种唤醒周期中的一种或 RTI 禁止的 3- 位控制值 (RTIS)。 RTI 由一个逻辑中断允许, RTIE,,用于允许屏蔽实时中断。 RTIS 位清零禁 止 RTI,并且不会中断产生。关于这个寄存器的详细介绍见 5.8.4 节 系统实时中断状态和控制寄存器 (SRTISC),” 。 5.8 复位,中断,及系统控制寄存器和控制位 对于所有寄存器绝对地址分配,参考第 4 章 存储器 直接页寄存器概要。此章节仅涉及到寄存器和控制位 的名称。有一个飞思卡尔提供的同等的或页眉文件用于将这些名称转换成合适的绝对地址。 SOPT 寄存器的一些控制位与工作模式有关。虽然这些位在这里提供了简单描述,在第 3 章 工作模式章 节有更详细相关功能阐释。 5.8.1 系统复位状态寄存器 (SRS) 此高页寄存器包含只读状态标志位指出大多数最近复位源。当一个调试工具通过 BDC_RESET 命令强迫 复位时,在 SRS 的所有状态位将被清零。写任何值到这个寄存器地址使 COP 看门狗定时器清零且不会影响 这个寄存器的内容。这些位的复位状态取决于 MCU 产生复位的原因。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 37 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 R 7 6 5 4 3 2 1 0 POR PIN COP ILOP ILAD 0 LVD 0 写任何值到 SRS 地址清零 COP 看门狗定时器 W POR: 1 0 0 0 0 0 1 0 LVR: 0 0 0 0 0 0 1 0 Any other reset: 0 Note 1 Note 1 Note 1 Note 1 0 0 0 1. 任何这些复位源在复位入口时间时是活动的都将导致相关位被置位;相关源的位在复位入口时间不是活动的将被清零。 图 5-1. 系统复位状态 (SRS) 表 5-2. SRS 域描述 域 描述 7 POR 上电复位 — 通过上电检测逻辑导致复位。因为内部电源电压在那个时候正在上升,低电压复位 (LVR) 状态位也 被置位用于表明在内部电源低于 LVR 门限产生复位。 0 POR 没有产生复位 1 POR 产生复位 6 PIN 外部复位管脚 — 一个在外部复位管脚上的有效低电平导致复位。 0 外部复位管脚没有导致复位 1 外部复位管脚导致复位 5 COP 计算机正常工作 (COP) 看门狗 — 通过 COP 看门狗定时器定时溢出导致复位。 COPE = 0 时此复位源被锁住。 0 没有 COP 定时溢出导致复位 1 COP 定时溢出导致复位 4 ILOP 非法操作码 — 试图执行一个无效或非法操作码 导致复位。假如 SOPT 寄存器 STOPE = 0 停止模式被禁止, STOP 指令被认为是非法的。假如 BDCSC 寄存器中 ENBDM = 0 主动后台模式禁止, BGND 指令被认为是非法 的。 0 没有非法操作码导致复位 1 非法操作码导致复位 3 ILAD 非法地址 — 试图访问无效存储器地址的数据或指令导致复位 0 没有非法地址导致复位 1 非法地址导致复位 1 LVD 低电压检测 — 假如 LVDRE 位置 1 且电源下跌低于 LVD 跌落电压,将导致 LVD 复位。 0 没有 LVD 跌落或 POR. 导致复位 1 LVD 跌落或 POR. 导致复位 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 38 飞思卡尔半导体 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 系统选项寄存器 (SOPT) 5.8.2 此高页寄存器是一个只写一次的寄存器,因此只有复位后的第一次写是有效的。它能在任何时候被读出。 任何后来企图写 SOPT ( 有意或无意 ) 被忽略用于防止这些敏感设置被意外改变。 SOPT 必须在用户复位初始 化程序被写设置期望的控制,即使这些期望设置与复位默认设置相同。 7 6 5 COPE COPT STOPE Reset: 1 1 0 0 0 POR: 1 1 0 0 0 R 4 3 2 1 0 0 0 0 BKGDPE RSTPE 0 1 (Note 1) u 0 1 (Note1) 0 W = Unimplemented or Reserved u = Unaffected 图 5-2. 系统选项寄存器 1 (SOPT) 1. 当芯片复位进入正常模式 ( 复位期间 MS 为高 ),假如 Flash 安全机制禁止 (SECD = 1)BKGDPE 被置位;假如 Flash 安全机制 使能 (SECD = 1)BKGDPE 被清零;当芯片复位进入主动 BDM 模式 ( 复位期间 MS 为低 ), BKGDPE i 总是被置 1 因此 BDM 通讯被允许。 表 5-3. SOPT 寄存器域描述 Field Description 7 COPE COP 看门狗使能 — 此仅能写一次的位选择 COP 看门狗是否使用。 0 COP 看门狗定时器禁止 1 COP 看门狗定时器使能 ( 定时溢出强迫复位 ) 6 COPT COP 看门狗定时溢出 — 此仅能写一次的位选择 COP 定时溢出的周期 0 选择短定时溢出周期 1 选择长定时溢出周期 5 STOPE 停止模式使能 — 此仅能写一次的位用于使能停止模式。假如停止模式禁止且用户程序试图执行一条 STOP 指 令,导致一个非法操作码复位 0 停止模式禁止 1 停止模式使能 1 后台调试模式管脚使能 — 此仅能写一次的位当置位时使能 PTA3/ACMPO/BKGD/MS 管脚功能作为 BKGDPE1 ,2 pinBKGD/MS.。当清零,管脚功能作为两种输出可选功能中的一种。任何 MCU 复位后这管脚默认作为 BKGD/MS 功能。 0 PTA3/ACMPO/BKGD/MS 管脚功能作为 PTA3 或 ACMPO. 1 PTA3/ACMPO/BKGD/MS 管脚功能作为 BKGD/MS。 0 RSTPE RESET 管脚使能 — 当置位时,此仅能写一次的位使能 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 管脚功能作为 RESET。 当清零,管脚功能作为两种输人可选功能中的一种。跟随一个 MCU POR,此管脚是只输入功能。当 RSTPE 被 置位,在 RESET 的内部上拉设备使能。 0 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 管脚功能作为 PTA2/KBIP2/TCLK/VPP.。 1 PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP 管脚功能作为 RESET/VPP。 1 当芯片复位进入正常模式 ( 复位期间 MS 为高 ),假如 Flash 安全机制禁止 (SECD = 1)BKGDPE 被置位;假如 Flash 安全机制 使能 (SECD = 1)BKGDPE 被清零;当芯片复位进入主动 BDM 模式 ( 复位期间 MS 为低 ), BKGDPE i 总是被置 1 因此 BDM 通讯被允许。 2 BKGDPE 仅能从 1 到 0 写一次 。被用户软件从 0 到 1 写是不允许的。通过一个 POR 或对于在注释 1 中正常条件复位, BKGDPE 能被改变成 1。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 39 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 系统设备识别寄存器 (SDIDH, SDIDL) 5.8.3 此高页只读寄存器包含了主机开发系统可以识别 RS08 衍生和修订的码。这允许开发软件认识位于目标 MCU 的专用存储器块,寄存器和控制位。 修订码 R 7 6 5 4 3 2 1 0 REV3 REV2 REV1 REV0 ID11 ID10 ID9 ID8 0 (Note 1) 0 (Note 1) 0 (Note 1) 0 (Note 1) 1 0 0 0 W Reset: = Unimplemented or Reserved 1. 被硬编码到这些位的修订码反映了当前芯片版本级别。 图 5-3. 系统设备鉴定寄存器 — 高 (SDIDH) 表 5-4. SDIDH 寄存器域描述 域 描述 7:4 REV[3:0] 修订码 — 地址 SDIDH 的高顺序 4 位被硬编码反映了当前芯片版本级别 (0-F)。 3:0 ID[11:8] 部分识别码 — 在 RS08 系列每个派生出的都有一个独一无二的识别码。MC9RS08KA2 被硬编程值 $0800。也可 见在 图 5-4 中的 ID 位。 R 7 6 5 4 3 2 1 0 ID7 ID6 ID5 ID4 ID3 ID2 ID1 ID0 0 0 0 0 0 0 0 0 W Reset: = Unimplemented or Reserved 图 5-4. 系统设备识别寄存器 — 低 (SDIDL) 表 5-5. SDIDL Register Field Descriptions Field Description 7:0 ID[7:0] 部分识别码 — 在 RS08 系列每个派生出的都有一个独一无二的识别码。MC9RS08KA2 被硬编程值 $0800。也 可见在 图 5-3 中的 ID 位。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 40 飞思卡尔半导体 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 系统实时中断状态和控制寄存器 (SRTISC) 5.8.4 此高页寄存器包含了 RTIde 状态和控制位。 R 7 6 RTIF 0 W 5 4 RTICLKS RTIE 0 0 3 2 1 0 0 RTIS RTIACK Reset: 0 0 0 0 0 0 = Unimplemented or Reserved 图 5-5. 系统 RTI 状态和控制寄存器 (SRTISC) 表 5-6. SRTISC 寄存器域描述 域 7 RTIF 描述 时钟中断标志位 — 这个只读状态位显示了周期唤醒定时器已经定时溢出。 0 周期唤醒定时器没有定时溢出。 1 周期唤醒定时器定时溢出。 6 RTIACK 实时中断应答 — 这个只写位用于应答实时中断请求 ( 写 1 清除 RTIF)。写 0 无意义或影响。读总是返回 0。 5 RTICLKS 实时中断时钟选择 — 这读 / 写位选择实时中断的时钟源。 0 实时中断请求时钟源是内部 1-kHz 振动器。 1 实时中断请求时钟源是内部可调的 32-kHz 振荡器 (ICS 模块 ) 和在 RT 逻辑被 32 分频产生一个可调的 1-kHz 时钟源用于 RTI 计数器。 4 RTIE 实时中断使能 — 此读写位使能实时中断。 0 实时中断禁止 1 实时中断允许 2:0 RTIS 实时中断延时选择 — 这些读 / 写位选择 RTI 周期。见表 5-7. 表 5-7. 实时中断周期 1 RTIS RTI 定时溢出1 000 Disable RTI 001 8 ms 010 32 ms 011 64 ms 100 128 ms 101 256 ms 110 512 ms 111 1.024 s 定时溢出值基于 1 ms 周期的 RTI 时钟源。内部 1-kHz 源公差参考 tRTI (Table A-8) 和来自 ICS 的内部 32-kHz (Table A-7). MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 41 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 注意 为了停止模式下完全关闭内部 1 kHz 振荡器, RTIS 位必须被选择为 %000 和 RTICLKS 位置 1。 系统电源管理状态和控制 1 寄存器 (SPMSC1) 5.8.5 此高页寄存器包含状态和控制位支持低电压检测功能,并且允许带隙参考电压用于 ACMP 和 LVD 模块。 R 7 6 LVDF 0 W Reset: 5 4 3 2 LVDIE LVDRE(1) LVDSE LVDE(1) 0 1 1 1 1 0 0 BGBE LVDACK 0 0 0 0 = Unimplemented or Reserved 1 复位后此位仅能写一次。额外的写被忽略。 图 5-6. 系统电源管理状态和控制 1 寄存器 (SPMSC1) 寄存器 表 5-8. SPMSC1 寄存器域描述 Field 7 LVDF 6 LVDACK Description 低电压检测标志位 — 倘若 LVDE = 1,此只读状态位指出一个低电压检测事件。 低电压检测应答 — T 只写位用于应答低电压检测错误 ( 写 1 清除 LVDF).。读总是返回 0。 5 LVDIE 低电压检测中断使能 — 此位使能用于 LVDF 硬件中断请求 0 硬件中断禁止 ( 用于登记 ). 1 当 LVDF = 1 请求一个硬件中断 4 LVDRE 低电压检测复位使能 — 此只写位使能低电压检测事件产生一个硬件复位 (倘若 LVDE = 1). 0 LVDF 不产生中断复位 1 当 LVDF = 1 强迫 MCU 复位 3 LVDSE 低电压检测停止使能 — 倘若 LVDE = 1,这读 / 写位确定当 MCU 在停止模式时低电压检测功能是否工作。 0 停止模式期间低电压检测禁止。 1 停止模式期间低电压检测使能。 2 LVDE 低电压检测使能 — 此只写位使能低电压检测逻辑和限制这个寄存器中的其它位的操作。 0 LVD 逻辑禁止 1 LVD 逻辑使能 0 BGBE 待隙缓存使能 — 通过在内部通道中之一的 ACMP 模块,这位使能一个内部缓存用于待隙电压参考。 0 待隙缓存禁止 1 待隙缓存使能 5.8.6 系统中断等待寄存器 (SIP1) 此高页寄存器包含模块等待中断状态。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 42 飞思卡尔半导体 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 R 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0 0 KBI ACMP MTIM RTI LVD 0 0 0 0 0 0 0 0 W Reset: = Unimplemented or Reserved 图 5-7. 系统中断等待寄存器 (SIP1) 表 5-9. SIP1 寄存器域描述 域 描绘 4 KBI 键盘中断等待 — 此只读位显示有一个来自 KBI 模块的等待中断。清除 KBISC 寄存器中的 KBF 位将此位清零。 读也将此位清零。 0 没有等待 KBI 中断;例如, KBF 标志位和 / 或 KBIE 位被清零。 1 有等待 KBI 中断;例如, KBF 标志位和 / 或 KBIE 位被置位。 3 ACMP 模拟比较器中断等待 — 此只读位显示有一个来自 ACMP 模块的等待中断。清除 ACMPSC 寄存器中的 ACF 位将 此位清零。读也将此位清零。 0 没有等待 ACMP 中断;例如, ACF 标志位和 / 或 ACIE 位被清零。 1 有等待 ACMP 中断;例如, ACF 标志位和 / 或 ACIE 位被置位。 2 MTIM 模定时器中断等待 — 此只读位显示有一个来自 MTIM 模块的等待中断。清除 MTIMSC 寄存器中的 TOF 位将此 位清零。读也将此位清零。 0 没有等待 MTIM 中断;例如, TOF 标志位和 / 或 TOIE 位被清零。 1 有等待 MTIM 中断;例如, TOF 标志位和 / 或 TOIE 位被置位。 1 RTI 实时中断等待 — 此只读位显示有一个来自 RTI 模块的等待中断。清除 SRTISC 寄存器中的 RTIF 位将此位清零。 读也将此位清零。 0 没有等待 RTI 中断;例如, RTIF 标志位和 / 或 RTIE 位被清零。 1 没有等待 RTI 中断;例如, RTIF 标志位和 / 或 RTIE 位被置位。 0 LVD 低电压检测中断等待 — 此只读位显示有一个来自低电压模块的等待中断。清除 SPMSC1 寄存器中的 LVDF 位将 此位清零。读也将此位清零。 0 没有等待 LVD 中断;例如, LVDF 标志位和 / 或 LVDE 位被清零。 1 没有等待 LVD 中断;例如, LVDF 标志位和 / 或 LVDE 位被置位。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 43 第 5 章 复位,中断,和通用系统控制 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 44 飞思卡尔半导体 第6章 并行输入 / 输出控制 本章节讲述了软件控制相关的并行输入 / 输出和管脚控制。 MC9RS08KA2 有一个并行 I/O 端口 , 此端口 在 6 脚封装包括两个 I/O 管脚或在 8 脚封装包括 4 个 I/O 管脚,一个只输出脚,和一个只输入脚。更多关于管 脚分配和外部硬件考虑见第 2 章 管脚和连接 。 表 2-1 显示所有 I/O 管脚与片内外设功能复用。外设模块有比 I/O 更大的优先权,因此当外设允许,则与 此复用的管脚的 I/O 功能禁止。复位后,复用外设功能被禁止因此这些管脚被 I/O 功能控制。所有这些 I/O 被 配置为输入 (PTADDn = 0) ,相关的上拉 / 下拉设备禁止,只输出管脚除外,它默认为 BKGD/MS 功能。 并行 I/O 读写通过端口数据寄存器完成。方向,输入或输出,被端口数据方向寄存器控制。图 6-1 显示了 作为一个独立管脚并行 I/O 端口功能的方框图。 PTADDn D Output Enable Q PTADn D Output Data Q 1 Port Read Data 0 Synchronizer Input Data BUSCLK 图 6-1. 并行 I/O 方框图 数据方向控制位 (PTADDn) 决定相关管脚的输出缓冲区是否允许,也控制端口数据寄存器读来源。相关管 脚的输入缓冲区总是允许,除非这个管脚作为模拟功能或是一个只输出管脚。 当一个管脚的复用数字功能允许,输出缓冲区被这些复用功能控制。然而,数据方向寄存器位将继续控 制端口数据寄存器的方向。 当一个管脚的复用模拟功能允许,输入和输出缓冲区都禁止。从任何端口数据位读出值为 0,这个位是一 个输入 (PTADDn = 0) 且输入缓冲区禁止。通常,一个具有可选择数字功能和模拟功能的管脚,模拟功能具有 更高的优先级。因此当数字和模拟功能同时允许时,模拟功能控制此管脚。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 45 第 6 章 并行输入 / 输出控制 在改变端口管脚方向成输出前,写端口数据寄存器是个好的编程习惯。这保证此管脚不会被此端口数据 寄存器的老数据驱动。 与并行 I/O 端口相关的是位于高页寄存器空间的独立工作的并行 I/O 寄存器。这些寄存器用于控制管脚上 拉 / 下拉和斜率。更详细信息见 6.3 节 管脚控制寄存器 ” 。 在低功耗模式下管脚状态 6.1 在等待和停在模式,所有管脚状态被保持,这是因为内部逻辑维持供电。恢复后,所有管脚功能与进入 停在模式前一样。 并口 I/O 寄存器 6.2 本节提供了与并行 I/O 端口有关的寄存器的信息。并行 I/O 寄存器位于存储器的地址小于 $001F,因此短 型和直接寻址方式指令可以使用。 所有并行 I/O 绝对地址分配,参考第 4 章 存储器中的表格。本节仅通过名字涉及到寄存器和控制位。飞 思卡尔半导体提供等同的或页眉文件将这些名字转换成合适的绝对地址。 端口 A 寄存器 6.2.1 本节描述了端口 A 并行 I/O 功能,通过数据和数据方向寄存器控制。 R 7 6 0 0 5 4 3 PTAD5 PTAD4 PTAD3 0 0 0 2 1 0 PTAD1 PTAD0 0 0 PTAD2 W Reset: 0 0 0 图 6-2. 端口 A 数据寄存器 (PTAD) 表 6-1. PTAD 寄存器区域描述 Field 描述 5:0 PTAD[5:0] 端口 A 数据寄存器位 — 当端口 A 管脚是输入,读管脚返回逻辑电平。当端口 A 被配置为输出,读返回被写入这 个寄存器最新的值。写入值被锁住这个寄存器所有的位。由于端口 A 管脚被配置为输出,逻辑电平驱动相关的 管脚。 复位后 PTAD 都为 0,但这些 0 电平不用于驱动相关管脚,这是因为复位也配置所有端口管脚为高阻态输入,且 上拉 / 下拉禁止。 R 7 6 0 0 5 4 PTADD5 PTADD4 0 0 3 2 0 0 1 0 PTADD1 PTADD0 0 0 W Reset: 0 0 0 0 图 6-3. 端口 A 数据方向寄存器 (PTADD) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 46 飞思卡尔半导体 第 6 章 并行输入 / 输出控制 表 6-2. PTADD 寄存器描述 描述 Field 5:4,1:0 端口 A 数据方向位 — 这些读 / 些位控制端口 A 的方向并从 PTAD 读出。 PTADD[5:4,1:0] 0 输入 ( 输出驱动器禁止 ) 且读返回此管脚值 1 端口 A 位输出驱动允许且 PTAD 读返回 PTADn 的内容。 管脚控制寄存器 6.3 此节提供了用于管脚功能的并行 I/O 端口相关的寄存器信息。 关于管脚控制寄存器绝对地址分配,参考第 4 章 存储器 。本节仅通过名字涉及到寄存器和控制位。飞思 卡尔半导体提供等同的或页眉文件将这些名字转换成合适的绝对地址。 在本节与端口 A 相关管脚被提供的寄存器控制。这些寄存器控制管脚上拉 / 下拉和端口斜率,不依赖于 并行 I/O 寄存器。 6.3.0.1 内部上拉装置允许 一个内部上拉装置可以通过设置上拉装置允许寄存器 (PTAPEn) 的相关位允许允许每个端口管脚内部上 拉。假如此管脚被并行 I/O 控制逻辑配置为输出或即使相关上拉装置允许寄存器置位但有复用外设输出功能, 上拉装置禁止。假如管脚被配置为一个模拟功能上拉装置也禁止。 R 7 6 0 0 5 4 PTAPE5 PTAPE4 0 0 3 2 1 0 PTAPE2 PTAPE1 PTAPE0 0 0 0 0 W Reset: 0 0 0 图 6-4. 端口 A 寄存器内部上拉装置允许 (PTAPE) 表 6-3. PTAPE 寄存器域描述 Field Description 5:4,2:0 内部拉设备使能用于端口 A 位 — 这些控制位中的每一位决定内部拉设备是否使能相关 PTA 管脚。当端口 A PTAPE[5:4,2:0] 管脚被配置位输出,这些位无效且内部上拉设备禁止。 0 内部上拉设备禁止用于端口 A 位 n。 1 内部上拉设备允许用于端口 A 位 n。 6.3.0.2 上拉 / 下拉控制 依据相关 PTAPE 位,上拉 / 下拉控制用于选择上拉或下拉装置使能。 R 7 6 0 0 5 4 PTAPUD5 PTAPUD4 0 0 3 2 1 0 PTAPUD2 PTAPUD1 PTAPUD0 0 0 0 0 W Reset: 0 0 0 图 6-5. 上拉 / 下拉设备控制用于端口 A (PTAPUD) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 47 第 6 章 并行输入 / 输出控制 表 6-4. PTAPUD 寄存器域描述 域 描述 5:4,2:0 上拉 / 下拉设备控制用于端口 A 位 — 这些控制位的每一位决定内部上拉或下拉设备是否选择用于相关的 PTAPUD[5:4,2:0] PTA 管脚。此实际的上拉 / 下拉设备仅被使能的相关 PTAPE 位使能。 0 内部上拉设备被选择用于端口 A 位 n。 1 内部下拉设备被选择用于端口 A 位 n。 6.3.0.3 输出斜率控制允许 斜率控制可以被斜率控制寄存器 (PTASEn) 相关位允许用于每个端口管脚。当被允许使用时,斜率控制限 制输出电平变化的斜率,可以减小 EMC 发射。当管脚被配置为输入时斜率控制无效。 R 7 6 0 0 5 4 3 PTASE5 PTASE4 PTASE3 1 1 1 2 1 0 PTASE1 PTASE0 1 1 0 W Reset: 0 0 0 图 6-6. S 斜率使能用于端口 A 寄存器 (PTASE) 表 6-5. PTASE 寄存器域描述 域 描述 5:3;1:0 输出斜率使能用于端口 A 位 — 这些控制位中的每一位都决定输出斜率控制是否使能相关的 PTA 管脚。当端口 PTASE[5:3;1:0] A 管脚被配置位输入,这些位无效。 0 输出斜率控制禁止用于端口 A 位 n。 1 输出斜率控制允许用于端口 A 位 n。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 48 飞思卡尔半导体 第7章 键盘中断 (RS08KBIV1) 介绍 7.1 键盘中断模块提供了独立的允许外部中断源。 RS08 CORE BDC CPU 5-BIT KEYBOARD INTERRUPT MODULE (KBI) 5 ACMP+ RESET AND STOP WAKEUP MODES OF OPERATION POWER MANAGEMENT RTI COP WAKEUP LVD ANALOG COMPARATOR MODULE (ACMP) ACMPTCLK ACMPO MODULO TIMER MODULE (MTIM) PTA0/KBIP0/ACMP+ (1) PTA RS08 SYSTEM CONTROL PTA1/KBIP1/ACMP- (1) PTA2/KBIP2/TCLK/RESET/VPP (1),( 2) PTA3/ACMPO/BKGD/MS PTA4/KBIP4 (1),(3) PTA5/KBIP5 (1), (3) USER FLASH — 2,048 BYTES USER RAM — 63 BYTES INTERNAL CLOCK SOURCE (ICS) VSS POWER AND INTERNAL REGULATOR VDD 注意 : (1) 当作为输入时,由软件设置管脚内部上拉 / 下拉。 (2) 当作为复位功能,内部上拉自动使能。 (RSTPE = 1). (3) 在 6 脚封装中这些管脚不存在。 图 7-1. MC9RS08KA2 系列 Block Diagram with KBI Block and Pins Highlighted 7.1.1 特点 KBI 特点包括: • 每个键盘中断管脚有一个独立的管脚允许位 • 每个键盘中断管脚可被编程作为只下降沿 ( 或上升沿 ) ,或既是下降沿又是低电平 ( 或既是上升沿又是 高电平 ) 中断触发 • 一个软件允许键盘中断 • 从低功耗模式退出 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 49 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) 工作模式 7.1.2 此章定义了在等待、停止和后台调试模式下 KBI 工作。 7.1.2.1 等待模式下工作 假如执行 WAIT 指令之前被允许, KBI 在等待模式下可以继续工作。因此,假如 KBI 中断被允许 (KBIE = 1),一个被允许的 KBI 管脚 (KBPEn = 1) 可以用于将 MCU 退出等待模式。 7.1.2.2 停止模式下工作 假如执行 STOP 指令前被允许,KBI 可以在停止模式工作。因此,假如 KBI 中断允许 (KBIE = 1),一个允 许的 KBI 管脚 (KBPEn = 1) 能用于从停止模式唤醒 MCU 。 7.1.2.3 在活动后台模式下工作 当单片机工作在活动的后台模式, KBI 将继续正常工作。 方框图 7.1.3 键盘中断模块方框图如图 7-2 所示: BUSCLK KBACK VDD 1 0 KBIP0 S RESET KBF D CLR Q KBIPE0 SYNCHRONIZER CK KBEDG0 KEYBOARD INTERRUPT FF 1 KBIPn 0 S STOP BYPASS STOP KBI INTERRU PT KBMOD KBIPEn KBIE KBEDGn 图 7-2. 键盘中断 (KBI) 方框图 外部信号描述 7.2 KBI 输入管脚可以用于检查下降沿,或既是下降沿又是低电平中断请求。 KBI 输入管脚也可以用于检查上 升沿,或既是上升沿有时高电平中断请求。 信号优先级见表 7-1。 表 7-1. 信号优先级 信号 KBIPn 功能 键盘中断管脚 I/O I 寄存器定义 7.3 KBI 包括三个寄存器: • 一个 8 位管脚状态和控制寄存器 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 50 飞思卡尔半导体 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) • 一个 8 位管脚允许寄存器 • 一个 8 位边沿选择寄存器 参考第 4 章 存储器的直接页寄存器概要,包含所有 KBI 寄存器绝对地址分配。本节仅通过它们的名字涉 及到寄存器和控制位。 表 7-2 列出了 KBI 寄存器。 表 7-2. KBI 寄存器概述 Name R 7 6 5 4 3 2 0 0 0 0 KBF 0 KBISC W R 1 0 KBIE KBMOD KBIPE1 KBIPE0 KBACK 0 0 KBIPE 0 KBIPE5 KBIPE4 KBIPE2 W R 0 0 KBIES 0 KBEDG5 KBEDG4 KBEDG2 KBEDG1 KBEDG0 W KBI 状态和控制寄存器 (KBISC) 7.3.1 KBISC 包含状态标志和控制位,用于配置 KBI。 R 7 6 5 4 3 2 0 0 0 0 KBF 0 W Reset: 1 0 KBIE KBMOD 0 0 KBACK 0 0 0 0 0 0 = Unimplemented 图 7-3. KBI 状态和控制寄存器 (KBISC) 表 7-3. KBISC 寄存器域描述 描述 Field 3 KBF 2 KBACK 1 KBIE 0 KBMOD 键盘中断标志 — KBF 指出有一个键盘中断被检测到。对 KBF 写无效。 0 没有键盘中断被检测到 1 键盘中断被检测到 键盘应答 — 写一个 1 到 KBACK 是标志清除机制部分。读 KBACK 总是为 0 。 键盘中断允许 — KBIE 允许键盘中断请求 0 键盘中断请求不允许 1 键盘中断请求允许 键盘检测模式 — KBMOD ( 连同 KBEDG 位 ) 控制键盘中断管脚检测模式 0 键盘仅检测边沿 1 键盘既检测边沿又检测电平 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 51 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) KBI 管脚允许寄存器 (KBIPE) 7.3.2 KBIPE 包含管脚允许控制位。 R 7 6 0 0 5 4 KBIPE5 KBIPE4 0 0 3 2 1 0 KBIPE2 KBIPE1 KBIPE0 0 0 0 2 1 0 KBEDG2 KBEDG1 KBEDG0 0 0 0 0 W Reset: 0 0 0 图 7-4. KBI 管脚允许寄存器 (KBIPE) 表 7-4. KBIPE 寄存器域描述 描述 Field 5,4, 2:0 KBIPEn 键盘管脚允许 — 每个 KBIPEn 位允许相关的键盘中断管脚 0 相关管脚不允许作为键盘中断 1 相关管脚允许作为键盘中断 KBI 边沿选择寄存器 (KBIES) 7.3.3 KBIES 包含边沿选择控制位。 R 7 6 0 0 5 4 KBEDG5 KBEDG4 0 0 3 0 W Reset: 0 0 0 图 7-5. KBI 边沿选择寄存器 (KBIES) 表 7-5. KBIES 寄存器域描述 描述 Field 5,4, 2:0 KBEDGn 7.4 键盘边沿选择 — 每个 KBEDGn 位选择下降沿 / 低电平或上升沿 / 高电平相关管脚的功能 0 下降沿 / 低电平 1 上升沿 / 高电平 功能描述 此片内外设模块被称为键盘中断 (KBI) 模块是因为 最初设计为了简化键盘开关行矩的连接和应用。然而, 这些输入也被用于作为额外外部中断输入和作为从停止或等待低功耗模式唤醒 MCU 的外部手段。 KBI 模块允许它的管脚担当附加的中断源。在键盘中断管脚允许寄存器 (KBIPE) 写 KBIPEn 位独立地允许 或禁止每个 KBI 管脚。基于键盘中断状态和控制寄存器 (KBISC) 的 KBMOD 位,每个 KBI 管脚可以被配置位 边沿触发或边沿和电平触发 。边沿触发可以被软件编程上升沿或下降沿;电平是高或低。边沿极性或边沿和 电平触发的优先级通过键盘中断边沿选择寄存器 (KBIES) 的 KBEDGn 位选择。 异步逻辑用于检测边沿。检测一个边沿之前,允许键盘输入脚必须是被拉高的逻辑电平。当一个允许的 键盘输入信号被检测到在一个总线周期是逻辑 1 ( 被拉高的电平 ) 且在下个周期是逻辑 0 ( 拉低的电平 ) ,一个 下降沿被检测到。当输入信号被检测到在一个总线周期是逻辑 0 且下个周期是逻辑 1,上升沿被检测到。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 52 飞思卡尔半导体 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) 7.4.1 仅边沿触发 在一个允许 KBI 管脚上的一次有效边沿将 KBISC 中的 KBF 位置 1。假如 KBISC 中的 KBIE 被置 1,中断 请求将被送到 CPU。通过写一个 1 到 KBISC 的 KBACK 位实现将 KBF 清零。 7.4.2 边沿和电平触发 在一个允许 KBI 管脚上的一次有效边沿或电平将 KBISC 中的 KBF 位置 1。假如 KBISC 中的 KBIE 被置 1,中断请求将被送到 CPU。倘若所有允许键盘输入管脚是被拉为高电平,通过写一个 1 到 KBISC 的 KBACK 位实现将 KBF 清零。写 1 到 KBACK 试图将 KBF 清零时,假如允许 KBI 管脚被拉低为低电平, KBF 将保持为 1。 7.4.3 KBI 上拉 / 下拉设备 当一个 KBI 管脚被使能,KBI 管脚不会自动配置内部上拉 / 下拉设备。通过配置相关联的 I/O 端口拉设备 允许寄存器和上拉 / 下拉控制寄存器 (PTAPUD) 内部拉设备被使用。 7.4.4 KBI 初始化 当一个键盘中断管脚刚开始被允许使用时,可能会产生一个错误的键盘中断标志。在键盘初始化时为了 避免错误的中断请求产生,用户应该按照以下步骤: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 将 KBISCM 中的 KBIE 为清零屏蔽键盘中断。 假如使用内部上拉 / 下拉设备,配置相关联的 I/O 端口上拉 / 下拉设备 。 通过设置 KBIES 中合适的 KBEDGn 位使能 KBI 优先级。 通过设置 KBIPE 中合适的 KBIPEn 位使能 KBI 管脚。 写 1 到 KBISC 中的 KBACK 位清除任何错误中断。 将 KBISC 中的 KBIE 位置 1 允许中断 。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 53 第 7 章 键盘中断 (RS08KBIV1) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 54 飞思卡尔半导体 第8章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) 介绍 8.1 本章是 RS08 家族 CPU 的寄存器、寻址模式和指令集等信息介绍。更详细讨论参考 RS08 核参考手册第 一卷,飞思卡尔半导体文档单号 RS08RMv1。 RS08 CPU 被开发的目的是极低成本的嵌入式应用 ,用于一个独立处理的设计方法,允许它在半导体处 理技术快速发展步调保持一至。 RS08 核的主要特点是: • • 改进型的编程模型 HCS08 指令集的子集 ,较少扩展指令 • • 很小的指令集适用于价格敏感的嵌入式应用 用于屏蔽程序计数器处理的新指令, SHA 和 SLA • • 新的短型和小型寻址方式用于代码大小优化 最多 16K 字节存储器空间 • 复位将从 $3FFD 取出首条指令 • STOP 和 WAIT 指令支持低功耗模式 • 调试和 FLASH 编程支持使用后台调试控制器模块 • 非法地址和代码被检测导致复位 8.2 程序设计器模型和 CPU 寄存器 图 8-1 列出了 RS08 CPU 的程序设计器模型。这些寄存器不是位于微处理器的存储器中。它们直接建立 在 CPU 逻辑内部。 0 7 ACCUMULATOR 13 8 7 PROGRAM COUNTER 13 A 0 PC 0 SPC SHADOW PROGRAM COUNTER CONDITION CODE REGISTER Z C CCR CARRY ZERO 图 8-1. CPU 寄存器 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 55 第 8 章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) 除 CPU 寄存器外,在数据读写操作期间,有三个存储器映象寄存器与内核地址产生紧紧联合在一起。它 们是变址数据寄存器 (D[X]),变址寄存器 (X) 和页选择寄存器 (PAGESEL)。这些寄存器地址分别位于 $000E、 $000F 和 $001F。 7 0 INDEXED DATA REGISTER 7 D[X] (Œª”⁄$000E) 0 INDEX REGISTER 7 X (Œª”⁄ $000F) 0 PAGE SELECT REG PAGESEL (Œª”⁄ $001F) 图 8-2. Memory Mapped Registers 累加器 (A) 此通用 8 位寄存器是 RS08 MCUs 的基本数据寄存器。通过一条装载累加器 (LDA) 指令数据能从存储器 被写入 A 。通过一条存储累加器 (STA) 指令在 A 中的数据可以被写入存储器。在指定存储器位置涉及到装载 或存储指令时不同的寻址方式变化,允许有很大的灵活性。交换指令允许值在 A 和 SPC 高 (SHA) 之间, A 和 SPC 低 (SLA) 之间交换。 通过 ADD, SUB, RORA, INCA, DECA, AND, ORA, EOR 等指令, A 的值可以实现算术、位移和逻辑操 作。在一些指令中,例如 INCA 和 LSLA, A 的值是唯一的输入操作数且结果替换 A 的值。其它一些指令,例 如 ADD 和 AND,有两个操作数: A 的值和来自存储器的第二个数值。这些算术或逻辑运算的结果替代 A 的 值。 一些指令,例如存储器对存储器移动指令 (MOV),不能使用累加器。 DBNZ 也不用 A ,原因是它允许一 个循环计数器被执行在存储器中而不是累加器。 复位后,累加器被装载入 $00。 8.2.1 程序计数器 (PC) 程序计数器是一个 14 位的寄存器,它包含了下条指令或被取出的操作数的地址。 正常执行时,每次执行一条指令或取出操作数,程序计数器自动增加指向下个时序存储器位置。跳转、 分枝和返回操作载入程序计数器的地址不是下个时序存储器位置。这被称为流动改变。 复位期间,程序计数器被载入 $3FFD 且程序从这个指定位置开始执行。 8.2.2 影子程序计数器 (SPC) 影子程序计数器是一个 14 位寄存器。在子程序调用期间使用 JSR 或 BSR 指令,返回地址将被存入 SPC。在子程序完成前,RTS 指令将恢复程序计数器的内容,此值来自于 SPC。 复位期间,屏蔽程序计数器被载入 $3FFD。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 56 飞思卡尔半导体 第 8 章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) 8.2.3 条件代码寄存器 (CCR) 2 位条件代码寄存器包含两个状态标志。 RS08 中 CCR 内容不是直接地被读出的。使用条件分枝指令例 如 BCC 和 BEQ 测试 CCR 位。寄存器的这两位直接受 BDC 接口影响。后面段落提供了关于 CCR 位详细信 息和如何使用它们。图 8-3 表明了 CCR 位和它们位的位置。 条件代码寄存器 Z C CCR CARRY ZERO 图 8-3. 条件代码寄存器 (CCR) 复位后状态位 (Z 和 C) 被清零。 这两个状态位显示了算术和其它指令的结果。条件转移指令将转移到一个新的程序位置或转移后依靠 CCR 状态位的值允许程序继续执行下条指令。条件转移指令,例如 BCC、 BCS 和 BNE,依靠一个单一的 CCR 位的值产生一个转移。 通常,条件转移立即跟随导致 CCR 位被更新的指令,如下面的顺序:: more: lower: cmp blo deca #5 lower ; 比较累加器 A 和 5 ; 假如 A 小于 5 则转移 ; 假如 A 大于或等于 5 执行这行指令 在使用的指令没有扰乱 CCR 的影响条件转移的位的时候,其它指令也许在校验和条件转移之间被执行。 举例说明,一个校验在子程序或函数中被执行,条件转移直到子程序返回到主程序后才会被执行。这是个参数 传输的形成 ( 换句话说,在条件码位内信息被返回到调用的程序 )。 Z — 零标志 Z 位被置 1 表明一个操作结果是 $00。 假如等于 (BEQ) 则转移和假如不等于 (BNE) 则转移是简单的转移,此转移依赖于 Z 位的值。所有装 载、存储、移动、算术、逻辑、移位和旋转指令都会导致 Z 位被更新。 C — 进位 一个加法运算后,假如源操作数大于或等于 $80 或者操作数中的任何一个数大于或等于 $80 并且结果 小于 $80, C 位被置 1。这相当于无符号溢出。一个存储器操作数作为被减数减去或比较一个 CPU 寄 存器的内容,减法操作后,假如存储器中无符号值大于 CPU 寄存器的无符号值 C 位被置 1。这相当于 一个无符号借入或下溢。 假如进位清零 (BCC) 则转移和进位置 1(BCS) 则转移是基于 C 位值独立的转移。C 位也被用于无符号 转移 BLO 和 BHS。加、减、位移和旋转指令都会导致 C 位被更新。假如位置 1 (BRSET) 则转移和位 清零 (BRCLR) 则转移指令拷贝测试位到 C 位易于有效的串行转并行运算法则。置进位 1(SEC) 和清零 进位 (CLC) 允许进位被直接置 1 或清零。结合位移和旋转指令这是很有用的,适合于通过状态信息返 回到主程序的子程序。 C 位包含在位移和旋转操作中因此这些操作可以很容易地扩展到多字节操作。移位和旋转操作被当作 9 位移位,包含一个 8 位操作数或 CPU 寄存器和 CCR 的进位。一个逻辑位移后, C 保存被移位出的 操作数的第 8 位。假如下次执行旋转指令,C 位被移入操作数,操作数最后一位移出代替 在 CI 中的 值。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 57 第 8 章 中央处理器单元 (RS08CPUV1) 8.2.4 变址数据寄存器 (D[X]) 8 位变址数据寄存器允许用户访问在通过 X 被变址的直接页地址空间的数据。这个寄存器位于存储器映象 地址 $000E。关于 For D[X] 寄存器详细介绍,参考 8.3.8 节 变址寻址方式 (IX, 被伪指令执行 )。 8.2.5 变址寄存器 (X) 8 位变址寄存器允许用户索引或访问在直接页地址空间的任何地址。此寄存器位于存储器映象地址 $000F。关于 X 寄存器详细介绍,参考 8.3.8 节 变址寻址方式 (IX, 被伪指令执行 )。 8.2.6 页选择寄存器 (PAGESEL) 8 位页选择寄存器允许用户通过一个地址从 $00C0 到 $00FF 页窗口访问整个 16K 地址空间的所有存储器 地址。此寄存器位于存储器映象地址 $001F。关于 PAGESEL 寄存器详细信息,请参考 “the RS08 Core Reference Manual”。 寻址方式 8.3 只要 MCU 读写存储器信息,一个寻址方式用于确定读写信息存储器的准确地址。本节介绍了几种寻址方 式和在不同编程情况下每种如何使用。 每种操作码都会告诉 CPU 通过某种方式执行某一种操作。许多指令,例如载入累加器 (LDA),允许几种 不同的方法指定存储器位置被载入,且每种寻址方式的变化需要独立的操作码。所有这些变化使用相同指令助 记符号,且汇编程序依靠操作数域的语法和位置知道使用哪种操作码。在一些案例,一些特殊的字符用于表明 一种特殊的寻址方式 ( 例如 # [pound] 符号,表明立即数寻址方式 ). 在其它一些案例,操作数的值会告诉汇编 程序使用哪种寻址方式。例如,假如操作数地址从 $0000 到 $001F,汇编程序选择短地址方式代替直接寻址 方式。除允许汇编程序基于操作数地址选择寻址方式外,汇编程序也可以通过在操作数前使用 “>” 或 “ VDD) 大于 IDD,注入电流也许 对于 VDD 溢出,将导致外部电源停止调整。确保外部 VDD 负载将分流大于最大注入电流。当 MCU 没有消耗电能时这将是更 大的风险。例如:假如系统时钟停止或假如时钟速率非常低减小总功率功耗。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 101 附录 A 电气特性 A.3 热特性 本节提供了工作温度范围、功率消耗和封装热阻的信息。在 I/O 管脚的功率消耗与片内逻辑和电压调整器 电路和被 MCU 设计控制的用户电路的功率消耗相比通常很小。为了获得 PI/O 功耗的计算,明确实际管脚电 压和 VSS 或 VDD 以及和每个 I/O 管脚的电流乘积的不同之处。除了特别的大管脚电流 (大负载),管脚电压 和 VSS 或 VDD 的不同之处非常小。 表 A-2. 热特性 参数 工作温度范围 ( 封装 ) 最大接合处温度 热阻 符号 值 单位 TA TL to TH –40 to 85 °C TJMAX 105 °C 1 ,2 ,3 ,4 6-pin DFN 225 53 1s 2s2p θJA 8-pin PDIP °C/W 1s 2s2p 115 74 1s 2s2p 160 98 8-pin SOIC 1 接合处温度是死区、片内功耗消耗、封装热阻、安装设备 ( 板 ) 温度、周边温度、气流、板上其它元件 功耗消耗和板热阻的一个功能。 2 接合到周边自然传送。 3 1s - 单层板,一层信号层 4 2s2p - 四层板,2 层信号和 2 层电源层 平均片上结合处温度从下面计算获得: TJ = TA + (PD × θJA) 等式 . A-1 其中: TA = 周边温度, °C θJA = 封装热阻,与周边结合处, °C/W PD = Pint + PI/O Pint = IDD × VDD, 瓦 — 片内功率 PI/O = 在输入和输出管脚上的功耗消耗 — 用户决定 对于大部分应用, PI/O 2.3V) ( 所有数字输入 ) VIH 0.70 × VDD — — V 输入高电压 (1.8 V ≤ VDD ≤ 2.3 V) ( 所有数字输入 ) VIH 0.85 × VDD — — V 电源电压 ( 运行、等待和停止模式 ) 0 < fBus 2.3 V) ( 所有数字输入 ) VIL — — 0.30 × VDD V 输入低电压 (1.8 V ≤ VDD ≤ 2.3 V) ( 所有数字输入 ) VIL — — 0.30 × VDD V 输入滞后 ( 所有数字输入 ) Vhys 0.06 × VDD — — V 输入漏电流 ( 每个管脚 ) VIn = VDD 或 VSS, 所有只输入脚 |IIn| — 0.025 1.0 μA 高阻抗 ( 关断状态 ) 漏电流 ( 每个管脚 ) VIn = VDD 或 VSS, 所有输入 / 输出 |IOZ| — 0.025 1.0 μA 内部上拉 / 下拉电阻2 ( 所有端口管脚 ) RPU 20 45 65 kΩ MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 103 附录 A 电气特性 表 A-4. DC 特性 (continued) ( 温度范围 = –40 to 85°C 周围的 ) 参数 输出高电压 ( 端口 A) IOH = –5 mA (VDD ≥ 4.5 V) IOH = –3 mA (VDD ≥ 3 V) IOH = –2 mA (VDD ≥ 1.8 V) 符号 VOH 最小值 典型值 最大值 VDD – 0.8 — — 40 所有端口管脚的最大总 IOH |IOHT| — — 输出低电压 ( 端口 A) IOL = 5 mA (VDD ≥ 4.5 V) IOL = 3 mA (VDD ≥ 3 V) IOL = 2 mA (VDD ≥ 1.8 V) VOL — — 所有端口管脚的最大总 IOL IOLT — — dc 注入电流 VIn < VSS, VIn > VDD 单一管脚限制 总 MCU 限制 l,包括所有强驱动管脚 |IIC| — — 输入电容 ( 所有无电源管脚 ) CIn — — 0.8 0.8 0.8 单位 V mA V 40 mA 0.2 0.8 mA mA 7 pF 3,4,56 1 2 3 4 5 6 每片芯片此参数被描述但没有被测试。 对于拉电阻测试条件:VIn = VSS 对应于上拉和 VIn = VDD 对应于下拉。 所有非电源功能管脚内部钳住至 VSS 和 VDD , RESET/VPP 除外,它金内部钳住至 VSS 。 输入电流必须限制在指定的值内。为了确定所需的限流电阻的值,对应正 (VDD) 和负 (VSS) 夹钳电压计算阻抗值,取两个阻抗 值中更大的。 在瞬态和最大工作电流条件期间电源必须保持调整在工作 VDD 范围内。假如正注入电流 (VIn > VDD) 大于 IDD,注入电流也许 对于 VDD 溢出,将导致外部电源停止调整。确保外部 VDD 负载将分流大于最大注入电流。当 MCU 没有消耗电能时这将是更 大的风险。例如:假如系统时钟停止或假如时钟速率非常低减小总功率功耗。 每片芯片此参数被描述但没有被测试。 图 A-1. Typical IOH vs. VDD-VOH VDD = 5 V MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 104 飞思卡尔半导体 附录 A 电气特性 图 A-2. Typical IOH vs. VDD-VOH VDD = 3 V 图 A-3. Typical IOH vs. VDD-VOH VDD = 1.8 V 图 A-4. Typical IOL vs. VOL VDD = 5 V MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 105 附录 A 电气特性 图 A-5. Typical IOL vs. VOL VDD = 3 V 图 A-6. Typical VDD-VOH vs. VDD at IOH = 2mA 图 A-7. Typical VOL vs. VDD at IOL = 2 mA MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 106 飞思卡尔半导体 附录 A 电气特性 A.6 电源电流特性 表 A-5. 电源电流特性 参数 3 在 (fBus = 10 MHz) 下计算的工作电源电流 4 在 (fBus = 1.25MHz) 下计算的工作电源电流 符号 VDD (V) 典型值1 最大值2 温度 (°C) RIDD10 5 5.6 mA 5.8 mA 6.5 mA 25 85 3 4.7 mA 4.8 mA 5.5 mA 25 85 1.8 2.3 mA 2.4 mA 3 mA 25 85 5 1 mA 1.1 mA 1.5 mA 25 85 3 0.9 mA 0.95 mA 1.2 mA 25 85 1.8 0.6 mA 0.62 mA 0.8 mA 25 85 5 1 μA 3 μA 2 μA 5 μA 25 85 3 0.9 μA 2.5 μA 2 μA 5 μA 25 85 1.8 0.7 μA 2 μA 2 μA 4 μA 25 85 5 20 μA 30 μA 25 RIDD1 停止模式下电源电流 SIDD 停止模式下待隙缓存累加器电流 (BGBE = 1) 85 3 20 μA 30 μA 25 85 1.8 20 μA 30 μA 25 85 停止模式下模拟比较器电流 (ACME = 1) 5 15 μA 20 μA 25 85 3 15 μA 20 μA 25 85 1.8 15 μA 20 μA 25 85 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 107 附录 A 电气特性 表 A-5. 电源电流特性 (continued) 参数 停止模式下 RTI 电流 使用 1-kHz 时钟源5 停止模式下 RTI 电流 使用 32-kHz ICS 内部时钟源参考 停止模式下 LVI 电流 (LVDE=1 和 LVDSE=1) 1 2 符号 VDD (V) 典型值1 最大值2 温度 (°C) 5 300 nA 500 nA 25 85 3 300 nA 500 nA 25 85 1.8 300 nA 500 nA 25 85 5 140 μA 165 μA 25 85 3 140 μA 165 μA 25 85 1.8 135 μA 160 μA 25 85 5 70 μA 85 μA 25 85 3 70 μA 85 μA 25 85 1.8 65 μA 80 μA 25 85 典型值在 25°C 下被测量的。 最大值在正常 VDD 电源误差在 10% 下被测量。这给的值在完成描述之前预先被评估的。 3 在端口管脚没有接任何直流负载。 在端口管脚没有接任何直流负载。 5 大部分客户期望得到使用从停止模式自动唤醒代替更高电流的等待模式。等待模式的典型值是 在 3 V 为 560 μA 和在 2 V 为 422 μA ,其中 fBus = 1 MHz。 4 图 A-8. Typical Run IDD vs. VDD for FEI mode MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 108 飞思卡尔半导体 附录 A 电气特性 A.7 模拟比较器 (ACMP) 电气特性 这些被描述的模拟比较器电气规格 表 A-6. 模拟比较器电气详述 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 1.80 — 5.5 V 电源电流 ( 工作状态 ) IDDAC — 20 35 μA 模拟输入电压 模拟输入偏压1 VAIN VSS – 0.3 VAIO 电源电压 模拟比较器滞后 1 — VDD V 20 40 mV 15.0 mV VH 3.0 9.0 RAS — — 10 kΩ 模拟输入漏电流 IALKG — — 1.0 μA 模拟比较器初始化延迟 tAINIT — — 1.0 μs 模拟比较器待隙参考电压 VBG 1.208 1.218 1.228 V 模拟源阻抗 1 这些被描述的数据不是在生产时测试的。芯片进入停止模式时测量值已经获得。 A.8 内部时钟源特性 表 A-7. 内部时钟源详述 符合 最小值 典型值1 最大值 单位 平均内部参考频率-未调整的 fint_ut 25 31.25 41.66 kHz 平均内部参考频率-调整的 fint_t 31.25 31.25 39.0625 kHz DCO 输出频率范围-未调整的 fdco_ut 12.8 16 21.33 MHz DCO 输出频率范围-调整的 fdco_t 16 16 20 MHz 特性 在固定电压和温度下调整的 DCO 输出频率精度 Δfdco_res_t — — ±0.2 %fdco 在过电压和温度下调整的 DCO 输出频率总偏移 Δfdco_t — — ±2 %fdco FLL 获得时间2 ,3 tacquire — — 1 ms t_wakeup — 100 86 — μs 停止恢复时间 (FLL 唤醒到预先已获得的频率 ) IREFSTEN=0 IREFSTEN=1 1 典型值栏中的数据在 3.0 V 和 5.0 V, 25°C 下被描述的,或是典型的被推荐的值。 2 此参数被描述但不是每片都被测试过。 此详述应用在任何时间:FLL 参考源或参考分频器被改变,调整值被改变或从 FLL 禁止 (FBILP) 到 FLL 使能 (FEI, FBI) 改变。 3 A.9 AC 特性 此节描述每个外设系统的 ac 定时特性。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 109 附录 A 电气特性 A.9.1 控制时间 表 A-8. 控制时间 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 总线频率 (tcyc = 1/fBus) fBus dc — 10 MHz 实时中断内部振荡器周期 tRTI 700 1000 1300 μs textrst 150 — ns tKBIPW 1.5 tcyc — ns tKBIPWS 100 — ns tRise, tFall — — — — ns 1 外部 RESET 脉冲宽度 2 KBI 脉冲宽度 在停止模式下 KBI 脉冲宽度 1 端口上升和下降时间 ( 负载 = 50 pF) 斜率控制禁止 (PTxSE = 0) 斜率控制使能 (PTxSE = 1) 1 3 11 35 这是能确保通过管脚输入滤波器电路的最小脉冲。更窄的脉冲也许能或不能被检测到。 2 这是能确保通过管脚同步电路的最小脉冲宽度。更窄的脉冲也许能或不能被检测到。在停止模式,同步装置被旁路因此更窄 脉冲能被检测到。 3 定时在 20% V DD 和 80% VDD 电平被展示。温度范围从 –40°C 到 85°C。 textrst RESET 图 A-9. 复位时间 tKBIPWS tKBIPW KBI Pin (rising or high level) KBI Pin (falling or low level) tKBIPW tKBIPWS 图 A-10. KBI 脉冲宽度 A.10 Flash 特性 此节提供了关于 flash 存储器的编程 / 擦写时间和编程-擦写强度的详细描述。 关于编程 / 擦写操作的详细信息,参考第 4 章 存储器。 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 110 飞思卡尔半导体 附录 A 电气特性 表 A-9. FLASH 特性 符号 最小值 典型值 l1 最大值 单位 编程 / 擦写的电源电压 VDD 2.7 — 5.5 V 编程 / 擦写电压 VPP 11.8 12 12.2 V IVPP_prog IVPP_erase — — 200 100 μA μA VRead 1.8 — 5.5 V 字节编程时间 tprog 20 — 40 μs 块擦写时间 tme 500 — — ms 累计编程 HV 时间2 thv — — 8 ms thv_total — — 2 hours HVEN 到编程建立时间 tpgs 10 — — μs PGM/MASS 到 HVEN 建立时间 tnvs 5 — — μs 对于 PGM, HVEN 保持时间 tnvh 5 — — μs 对于 MASS, HVEN 保持时间 tnvh1 100 — — μs VPP 到 PGM/MASS 建立时间 tvps 20 — — ns HVEN 到 VPP 保持时间 tvph 20 — — ns VPP 上升时间3 tvrs 200 — — ns 恢复时间 trcv 1 — — μs 1000 — — 周期 15 100 — 年 特性 VPP 电流 编程 块擦写 读操作的电源电压 0 < fBus < 10 MHz 总累计编程 HV 时间 ( 应用在芯片的 tme & thv 总和 ) 编程 / 擦写次数 TL 到 TH = –40°C 到 + 85°C 数据保持时间 tD_ret 1 典型值 在 25°C 下被测试。 thv 是累计高电源编程时间在相同的行且下次擦写之前。在下次擦写之前相同的地址不能被编程两次以上。 3 快速 VPP 上升时间也许潜在地触发 ESD 保护机构,它也许产生过流进入这个机构导致永久伤害这个机构。对于 VPP 电源的外部滤波器推荐使用。一个 VPP 滤波举例如 图 A-11。 2 100 Ω VPP 12 V 1 nF 图 A-11. VPP 滤波举例 MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 111 附录 A 电气特性 tprog WRITE DATA1 Dat Nex tpgs PGM tnvs tnvh trcv HVEN trs VPP2 tvps tvph thv 1 2 N 在单一行假如编程多个字节,下个数据应用,参考 4.6.2 节 Flash 编程步骤 . 在电压应用或删除到 VPP 管脚之前 VDD 必须是合法的工作电压。 图 A-12. Flash 编程时间 tme trcv MASS tnvs tnvh1 HVEN trs VPP1 1 tvps tvph 在电压应用或删除到 VPP 管脚之前 VDD 必须是合法的工作电压。 图 A-13. Flash Mass Erase Timing MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 112 飞思卡尔半导体 附录 B 订货信息和机械图 B.1 订货信息 此节包含 MC9RS08KA2 系列芯片的订货单号。芯片单号系统例子见下面。 表 B-1. 芯片单号系统 封装 存储器 芯片单号 FLASH MC9RS08KA2 MC9RS08KA1 RAM 2 KB 1 KB 63 bytes 典型 命名符 文献号 . 6 DFN DB 98ARL01602D 8 PDIP PC 98ASB42420B 8 NB-SOIC SC 98ASB42564B MC 9 RS08 KA 2 C XX Status (MC = Fully Qualified) Memory (9 = FLASH-based) Core Package designator (See 表 B-1) Temperature range (C = –40°C to 85°C) Memory designator (2 = 2K bytes) (1 = 1K bytes) Family B.2 机械图 下页为 MC9RS08KA2 系列封装的机械规格说明: • 6-pin DFN (dual flat no-lead) • 8-pin PDIP (plastic dual in-line pin) • 8-pin NB-SOIC (narrow body small outline integrated circuit) MC9RS08KA2 系列 数据手册 , 第 1 版 飞思卡尔半导体 113 如何联系我们: 主页: www.freescale.com 电子邮件: support@freescale.com 美国 / 欧洲或未列出的地方: Freescale Semiconductor Technical Information Center, CH370 1300 N. Alma School Road Chandler, Arizona 85224 1-800-521-6274 or +1-480-768-2130 support@freescale.com 欧洲、中东和非洲: Freescale Halbleiter Deutschland GmbH Technical Information Center Schatzbogen 7 81829 Muenchen, Germany +44 1296 380 456 (English) +46 8 52200080 (English) +49 89 92103 559 (German) +33 1 69 35 48 48 (French) support@freescale.com 日本: Freescale Semiconductor Japan Ltd. Headquarters ARCO Tower 15F 1-8-1, Shimo-Meguro, Meguro-ku, Tokyo 153-0064, Japan 0120 191014 or +81 3 5437 9125 support.japan@freescale.com 亚太地区: 飞思卡尔半导体 ( 中国)有限公司 100022 北京市朝阳区建国路乙 118 号 京汇大厦 23 层 +86 10 5879 8000 support.asia@freescale.com 仅提供印刷品请求: Freescale Semiconductor Literature Distribution Center P.O. Box 5405 Denver, Colorado 80217 1-800-441-2447 or +1-303-675-2140 Fax: +1-303-675-2150 LDCForFreescaleSemiconductor@hibbertgroup.com 文档号 : SC9S08MZ16 第1版 2006 年 4 月 Information in this document is provided solely to enable system and software implementers to use Freescale Semiconductor products. There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits or integrated circuits based on the information in this document. Freescale Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Freescale Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does Freescale Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters that may be provided in Freescale Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals”, must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Freescale Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Freescale Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Freescale Semiconductor product could create a situation where personal injury or death may occur. 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