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PBLS4001D

PBLS4001D

  • 厂商:

    NXP(恩智浦)

  • 封装:

  • 描述:

    PBLS4001D - 40 V PNP BISS loadswitch - NXP Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PBLS4001D 数据手册
PBLS4001D 40 V PNP BISS loadswitch Rev. 03 — 5 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN ResistorEquipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features I I I I I Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package Low threshold voltage (
PBLS4001D
1. 物料型号: - 型号:PBLS4001D - 封装:SC-74 (SOT457),塑料表面贴装包,6引脚

2. 器件简介: - 该器件是一个40V PNP BISS(低VCEsat)负载开关,集成了NPN电阻器装备晶体管(RET)。 - 特点包括低VCEsat值、低阈值电压(小于1V)、低驱动功耗和节省空间的解决方案,减少组件数量。

3. 引脚分配: - 引脚1:TR1发射极 - 引脚2:TR1基极 - 引脚3:TR2输出(集电极) - 引脚4:TR2地(发射极) - 引脚5:TR2输入(基极) - 引脚6:TR1集电极

4. 参数特性: - TR1(PNP低VCEsat晶体管): - VCEO:开基集电极-发射极电压,-40V - IC:集电极电流,-1A - RCEsat:集电极-发射极饱和电阻,240-340mΩ - TR2(NPN电阻器装备晶体管): - VCEO:开基集电极-发射极电压,50V - IO:输出电流,100mA - R1偏置电阻1(输入),1.54-2.86kΩ - R2/R1偏置电阻比率,0.8-1.2

5. 功能详解: - 该器件包含两个晶体管,TR1为PNP低VCEsat晶体管,TR2为NPN电阻器装备晶体管。 - 具有低VCEsat值和低驱动功耗,适用于电源线开关、电池充电器开关等应用。

6. 应用信息: - 应用包括供电线路开关、电池充电器开关、LED、驱动器和背光的高端开关、便携设备等。

7. 封装信息: - 封装类型:SOT457 (SC-74),4mm节距,8mm胶带和卷轴;T1和T2两种卷带方式。
PBLS4001D 价格&库存

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