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PBLS4001V

PBLS4001V

  • 厂商:

    NXP(恩智浦)

  • 封装:

  • 描述:

    PBLS4001V - 40 V PNP BISS loadswitch - NXP Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PBLS4001V 数据手册
PBLS4001Y; PBLS4001V 40 V PNP BISS loadswitch Rev. 03 — 12 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN ResistorEquipped Transistor (RET) in one package. Table 1. Product overview Package NXP PBLS4001Y PBLS4001V SOT363 SOT666 JEITA SC-88 - Type number 1.2 Features I I I I I Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package Low threshold voltage (
PBLS4001V
1. 物料型号: - PBLS4001Y:SC-88封装,SOT363塑料表面贴装包,6个引脚。 - PBLS4001V:SOT666塑料表面贴装包,6个引脚。

2. 器件简介: - 该器件是一个40V PNP BISS(低VCEsat)负载开关,集成了一个小信号PNP晶体管(BISS)和NPN电阻器装备晶体管(RET)。

3. 引脚分配: - 1号引脚:TR1发射极。 - 2号引脚:TR1基极。 - 3号引脚:TR2输出(集电极)。 - 4号引脚:TR2地(发射极)。 - 5号引脚:TR2输入(基极)。 - 6号引脚:TR1集电极。

4. 参数特性: - 低VCEsat(BISS)和电阻器装备晶体管集成在一个封装中。 - 低阈值电压(<1V)与MOSFET相比。 - 低驱动功耗需求。 - 节省空间的解决方案,减少组件数量。

5. 功能详解: - 该器件包含两个晶体管:TR1为PNP低VCEsat晶体管,TR2为NPN电阻器装备晶体管。 - 具体参数包括集电极发射极电压、集电极电流、饱和电阻等。

6. 应用信息: - 供电线路开关、电池充电器开关、LED、驱动器和背光的高端开关、便携设备。

7. 封装信息: - PBLS4001Y和PBLS4001V两种型号分别采用SOT363和SOT666封装,均为塑料表面贴装包,6个引脚。
PBLS4001V 价格&库存

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