0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
PBLS4002V

PBLS4002V

  • 厂商:

    NXP(恩智浦)

  • 封装:

  • 描述:

    PBLS4002V - 40 V PNP BISS loadswitch - NXP Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PBLS4002V 数据手册
PBLS4002Y; PBLS4002V 40 V PNP BISS loadswitch Rev. 03 — 12 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN ResistorEquipped Transistor (RET) in one package. Table 1. Product overview Package NXP PBLS4002Y PBLS4002V SOT363 SOT666 JEITA SC-88 - Type number 1.2 Features I I I I I Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package Low threshold voltage (
PBLS4002V
1. 物料型号: - PBLS4002Y:SOT363封装,SC-88标记。 - PBLS4002V:SOT666封装。

2. 器件简介: - 该器件是一个40V PNP BISS(Breakthrough In Small Signal)负载开关,集成了低VCEsat的PNP晶体管和装备有电阻的NPN晶体管(RET)。

3. 引脚分配: - 1号引脚:TR1发射极。 - 2号引脚:TR1基极。 - 3号引脚:TR2输出(集电极)。 - 4号引脚:TR2地(发射极)。 - 5号引脚:TR2输入(基极)。 - 6号引脚:TR1集电极。

4. 参数特性: - PNP低VCEsat晶体管:VCEO(开基集电极-发射极电压)-40V,Ic(集电极电流)-500mA,RcEsat(集电极-发射极饱和电阻)440-700mΩ。 - NPN电阻装备晶体管:VCEO(开基集电极-发射极电压)50V,lo(输出电流)100mA,R1(偏置电阻1,输入)3.3-6.1kΩ,R2/R1(偏置电阻比)0.8-1.2。

5. 功能详解: - 该器件具有低VCEsat和集成电阻的晶体管,低阈值电压(<1V)相比MOSFET,需要较低的驱动功率,节省空间,减少组件数量。

6. 应用信息: - 应用于电源线开关、电池充电器开关、LED、驱动器和背光的高端开关、便携设备。

7. 封装信息: - PBLS4002Y:塑料表面贴装包,6引脚,SOT363。 - PBLS4002V:塑料表面贴装包,6引脚,SOT666。
PBLS4002V 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“PBLS4002V”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货