物料型号：PH1825AL
器件简介：
- 这是一个采用TrenchMOS技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），使用塑料封装。
- 产品设计并合格用于计算、通信、消费和工业应用。
引脚分配：
- 引脚1、2、3：源极（S）
- 引脚4：栅极（G）
- mb：安装底座，连接到漏极
参数特性：
- 漏源电压（VDs）：最高25V
- 漏极电流（ID）：最大100A
- 栅漏电荷（QGD）：在特定条件下，介于8nC到31nC之间
- 漏源导通电阻（RDSon）：在特定条件下，介于1.4mΩ到2.7mΩ之间
功能详解：
- 产品经过100%的栅电阻测试，优化用于DC-DC转换器。
- 100%的坚固性测试，无铅封装。
- 逻辑电平兼容，具有极低的开关和导通损耗。
应用信息：
- 适用于DC-DC转换器、开关电源、笔记本电脑、电压调节器等。
封装信息：
- 封装类型为LFPAK，SOT669，塑料单端表面贴装包，共4个引脚。
