PHM12NQ20T,518

物料型号：PHM12NQ20T

器件简介：N通道增强型模式场效应晶体管，采用TrenchMOS™技术，封装在塑料包材中。

引脚分配：SOT685-1 (QLPAK)封装，引脚1、2、3为源极（S），引脚4为栅极（G），引脚5、6、7、8为漏极（D），mb为安装底座，连接到漏极（D）。

参数特性： - 漏源电压（DC）：≤200V - 总功率耗散：≤62.5W - 漏极电流（DC）：≤14.4A - 导通电阻（RDSon）：≤130mΩ

功能详解： - 适用于DC-DC转换器的原边开关，便携设备应用。 - 具有低热阻和低轮廓的特点。 - 提供了详细的电气特性数据，包括静态特性和动态特性。

应用信息：主要应用于DC-DC转换器的原边开关，特别是在便携设备中。

封装信息：PHM12NQ20T采用SOT685-1 (QLPAK)封装，具有8个引脚，无引脚设计，封装体尺寸为6 x 5 x 0.85 mm。