PHP110NQ08T,127

物料型号： - PHP110NQ08T（TO-220AB封装） - PHB110NQ08T（D2-PAK封装）

器件简介： - 该器件是使用TrenchMOS™技术的N-channel增强模式场效应功率晶体管，采用塑料封装。

引脚分配： - SOT78 (TO-220AB)封装： - 1号引脚：栅极（gate, g） - 2号引脚：漏极（drain, d） - 3号引脚：源极（source, s） - 安装基座：与漏极（drain, d）相连 - SOT404 (D2-PAK)封装： - 引脚分配类似，但2号引脚无法连接。

参数特性： - 漏源电压（VDS）：≤ 75V - 总功耗（Ptot）：≤ 230W - 漏极电流（ID）：≤ 75A - 漏源导通电阻（RDSon）：≤ 9 mΩ - 栅源电压（VGs）：±20V - 存储温度（Tstg）：-55°C 至 +175°C - 结温（T）：-55°C 至 +175°C

功能详解： - 该FET适用于电机、灯具、电磁铁、DC-DC转换器、不间断电源和一般工业应用。 - 提供了详细的电气特性表，包括静态特性和动态特性，如阈值电压、漏源击穿电压、栅源漏电流、导通电阻等。

应用信息： - 描述了FET在不同应用中的使用情况，如在电机驱动中的应用。

封装信息： - 提供了TO-220AB和D2-PAK两种封装的详细尺寸和引脚布局。