PHX18NQ11T,127

物料型号：PHX18NQ11T

器件简介： - 这是一个标准级N通道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS™技术。 - 特点包括标准级阈值电压、隔离安装基座、快速开关、无铅、低导通电阻和低热阻。 - 应用领域包括DC-DC转换器、Class-D放大器和开关模式电源。

引脚分配： - 引脚1：栅极（gate） - 引脚2：漏极（drain） - 引脚3：源极（source） - 安装基座（mounting base; isolated），符号为mbb076，封装类型为SOT186A（3-lead TO-220F）。

参数特性： - 漏源电压（VDS）最大值：110V - 漏极电流（ID）最大值：12.5A - 总功耗（Ptot）最大值：31.2W - 导通电阻（RDSon）最大值：90mΩ

功能详解： - 该FET具有快速开关特性和低导通电阻，适合用于需要高效率和快速响应的电源转换和放大应用。 - 其低热阻有助于提高散热效率，从而提高器件的可靠性和寿命。

应用信息： - 适用于DC-DC转换器、Class-D放大器和开关模式电源等应用。

封装信息： - 封装类型为TO-220F，塑料单端封装，隔离热沉安装，1个安装孔，3个引脚。