Freescale Semiconductor
数据手册: 技术数据
KEA128 子系列数据手册
Document Number S9KEA128P80M48SF0
Rev 4, 09/2014
S9KEA128P80M48SF0
支持以下产品:S9KEAZ64AMLK(R)、
S9KEAZ128AMLK(R)、
S9KEAZ64AVLK(R)、
S9KEAZ128AVLK(R)、
S9KEAZ64ACLK(R)、
S9KEAZ128ACLK(R)、
S9KEAZ64AMLH(R)、
S9KEAZ128AMLH(R)、
S9KEAZ64AVLH(R)、
S9KEAZ128AVLH(R)、
S9KEAZ64ACLH(R)、
S9KEAZ128ACLH(R)
主要功能
• 工作范围
– 电压范围:2.7 至 5.5 V
– Flash 编程电压范围:2.7 至 5.5 V
– 温度范围(环境):-40 至 125°C
• 性能
– 最高 48 MHz 的 ARM® Cortex-M0+内核
– 单周期 32 位 x 32 位乘法器
– 单周期 I/O 访问端口
• 存储器和存储器接口
– 最高 128 KB 的 Flash
– 最高 16 KB 的 RAM
• 时钟
– 振荡器(OSC) - 支持 32.768 kHz 晶振或 4 MHz 至
24 MHz 晶振或陶瓷谐振器;可选择低功耗或高增
益振荡器
– 内部时钟源(ICS) - 内部或外部参考时钟源以及内
部 FLL 组成,其中内部 37.5kHz 预校准参考时钟
源可用于 48MHz 系统时钟
– 内部 1 kHz 低功耗振荡器(LPO)
• 系统外设
– 电源管理模块(PMC)有三个功率模式:Run、Wait
和 Stop
– 可复位、中断并带可选跳变点的低压检测(LVD)模
块
– 带独立时钟源的看门狗(WDOG)
– 可配置循环冗余校验(CRC)模块
– 串行线调试(SWD)接口
– SRAM 位操作映射区域(BIT-BAND)
– 位处理引擎(BME)
• 安全性和完整性模块
– 每个芯片拥有 80 位唯一标识(ID)号
• 人机接口
– 最多 71 个通用输入/输出(GPIO)
– 两个 32 位键盘中断(KBI)模块
– 外部中断(IRQ)模块
• 模拟模块
– 一个高达 16 通道的 12 位 SAR ADC,可工作在
Stop 模式,可选硬件触发源(ADC)
– 两个包含 6 位 DAC 和可配置参考输入的模拟比
较器(ACMP)
• 定时器
– 一个 6 通道 FlexTimer/PWM (FTM)
– 两个 2 通道 FlexTimer/PWM (FTM)
– 一个 2 通道周期性中断定时器(PIT)
– 一个脉宽定时器(PWT)
– 一个实时时钟(RTC)
© 2014 Freescale Semiconductor, Inc.
• 通信接口
– 两个 SPI 模块(SPI)
– 高达三个 UART 模块(UART)
– 两个 I2C 模块(I2C)
– 一个 MSCAN 模块(MSCAN)
• 封装选项
– 80 引脚 LQFP
– 64 引脚 LQFP
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目录
1 订购器件.............................................................................................. 4
1.1 确定有效的可订购器件............................................................. 4
2 器件标识.............................................................................................. 4
4.2.2
FTM 模块时序.............................................................. 16
4.3 热规格......................................................................................... 16
4.3.1
热特性............................................................................16
2.1 说明............................................................................................. 4
5 外设工作要求与特性.......................................................................... 18
2.2 格式............................................................................................. 4
5.1 内核模块..................................................................................... 18
2.3 字段............................................................................................. 4
5.1.1
SWD 电气特性 .............................................................18
2.4 示例............................................................................................. 5
5.2 外部振荡器(OSC)和 ICS 特性...................................................19
3 等级...................................................................................................... 5
5.3 NVM 规格................................................................................... 21
3.1 温度极限参数............................................................................. 5
5.4 模拟............................................................................................. 21
3.2 湿度极限参数............................................................................. 5
5.4.1
ADC 特性...................................................................... 21
3.3 ESD 极限参数............................................................................. 5
5.4.2
模拟比较器(ACMP)电气规格......................................24
3.4 电压和电路极限参数................................................................. 6
5.5 通信接口..................................................................................... 24
4 通用...................................................................................................... 7
5.5.1
SPI 开关规格................................................................. 24
4.1 非开关电气规格......................................................................... 7
5.5.2
MSCAN......................................................................... 27
4.1.1
DC 特性......................................................................... 7
4.1.2
供电电流特性................................................................13
6.1 获取封装尺寸............................................................................. 28
4.1.3
EMC 性能...................................................................... 14
7 管脚...................................................................................................... 28
4.2 开关规格..................................................................................... 15
7.1 信号多路复用和引脚分配......................................................... 28
4.2.1
控制时序........................................................................15
6 尺寸...................................................................................................... 28
8 修订历史记录...................................................................................... 28
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订购器件
1 订购器件
1.1 确定有效的可订购器件
有效可订购器件编号已发布在网络上。如要确定该可订购器件编号,敬请前往
freescale.com,并搜索下列器件编号:KEAZ128。
2 器件标识
2.1 说明
芯片的器件编号包含识别具体器件的字段。您可以使用这些字段的值来确定收到的
具体器件。
2.2 格式
此设备的器件编号采用如下格式:
Q B KEA A C FFF M T PP N
2.3 字段
下表列出器件编号中每一字段的可能值(并非所有组合都有效):
字段
说明
值
Q
资格状态
B
存储器类型
KEA
Kinetis 汽车系列
A
主要属性
C
CAN 可用性
FFF
程序存储器大小
• 128 = 128 KB
M
Maskset 修订版
• A = 首个生产版本
• B = 首个版本之后的修订版
• S = 汽车认证
• P = 资格预审
• 9 = Flash
• KEA
• Z = M0+内核
• F = M4 W/ DSP & FPU
• C= M4 W/ AP + FPU
• N = CAN 不可用
• (空) = CAN 可用
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等级
字段
说明
T
温度范围(°C)
PP
封装标识符
N
封装类型
值
• V = –40 至 85
• V= –40 至 105
• M = –40 至 125
• LH = 64 LQFP (10 mm x 10 mm)
• LK = 80 LQFP (14 mm x 14 mm)
• R = 盘卷
• (空)= 托盘
2.4 示例
下面是器件编号示例:
S9KEAZ128AMLK
3 等级
3.1 温度极限参数
符号
说明
TSTG
存储温度
TSDR
无铅焊接温度
最小值
最大值
单位
注释
–55
150
°C
1
—
260
°C
2
1. 根据 JEDEC 标准 JESD22-A103“高温存储时间”确定。
2. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020“非密封固态表面安装器件的潮湿/回流敏感度分级”确定。
3.2 湿度极限参数
符号
说明
MSL
湿度灵敏度等级
最小值
最大值
单位
注释
—
3
—
1
1. 根据 IPC/JEDEC 标准 J-STD-020“非密封固态表面安装器件的潮湿/回流敏感度分级”确定。
3.3 ESD 极限参数
符号
说明
最小值
最大值
单位
注释
VHBM
静电放电电压,人体放电模式
–6000
+6000
V
1
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等级
符号
说明
最小值
最大值
VCDM
静电放电电压,设备充电模式
–500
°C 环境温度下的闭锁电流
–100
ILAT
单位
注释
+500
V
2
+100
mA
3
1. 根据 JEDEC 标准 JESD22-A114“静电放电(ESD)灵敏度测试人体放电模式(HBM)标准”确定。
2. 根据 JEDEC 标准 JESD22-C101“微电子组件静电放电耐压阈值的电场感应器件充电模式测试方法”确定。
3. 根据 JEDEC 标准 JESD78D“IC 闭锁测试”确定。测试结果如下:
• 在 125 °C 环境温度下进行测试(II 类)。
• I/O 引脚通过+100/-100 mA I 测试,且 IDD 电流限制为 400 mA(VDD 在正注入过程中折叠)。
• I/O 引脚通过+50/-100 mA I 测试,且 IDD 电流限制为 1000 mA(对于 VDD)。
• 电源组通过 1.5 Vccmax。
• 由于产品调节要求,RESET_B 引脚仅经过负电流 I 测试。
3.4 电压和电路极限参数
绝对最大极限仅为应力极限,并不保证最大值时的功能操作。超过下表中指定的应
力可能影响器件的可靠性或对器件造成永久性损坏。有关功能操作条件的更多信
息,请参阅此文档中的其他表格。
该器件包含防止高静态电压或电场造成损坏的电路,但建议采取预防措施,以避免
实际应用中高于额定电压的输入造成这部分电路的损坏。未用输入引脚连接到适当
的逻辑电压电平(例如,VSS 或 VDD)或使能相关引脚的内部上拉电阻,可增强系
统的可靠性。
表 1. 电压和电流操作极限
符号
说明
VDD
数字供电电压
IDD
流入 VDD 的最大电流
VIN
ID
VDDA
最小值
最大值
单位
–0.3
6.0
V
—
120
mA
0.31
除有效开漏引脚之外的输入电压
–0.3
VDD +
有效开漏引脚的输入电压
–0.3
6
V
单引脚瞬态最大电流限值(适用于所有端口引脚)
–25
25
mA
VDD – 0.3
VDD + 0.3
V
模拟供电电压
V
1. 最大额定 VDD 也适用于 VIN。
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通用
4 通用
4.1 非开关电气规格
4.1.1 DC 特性
本节包括有关电源要求和 I/O 引脚特性的信息。
表 2. DC 特性
最小值
典型值 1
最大值
单位
—
2.7
—
5.5
V
5 V,Iload = –5 mA
VDD – 0.8
—
—
V
3 V,Iload = –2.5 mA
VDD – 0.8
—
—
V
大电流驱动引脚,高驱动强 5 V,Iload = –20 mA
度2
3 V,Iload = –10 mA
VDD – 0.8
—
—
V
符号
说明
—
VOH
IOHT
VOL
工作电压
输出高电
压
除 PTA2 和 PTA3 外所有
I/O 引脚,标准驱动强度
VDD – 0.8
—
—
V
输出高电 所有端口的最大总输出高电
流
流 IOH
5V
—
—
–100
mA
3V
—
—
–60
输出低电 所有 I/O 引脚,标准驱动强
压
度
5 V,Iload = 5 mA
—
—
0.8
V
3 V,Iload = 2.5 mA
—
—
0.8
V
5 V,Iload =20 mA
—
—
0.8
V
3 V,Iload = 10 mA
—
—
0.8
V
5V
—
—
100
mA
大电流驱动引脚,高驱动强
度2
IOLT
输出低电 所有端口的最大总输出低电
流
流 IOL
VIH
输入高电
压
全部数字输入
输入低电
压
全部数字输入
VIL
3V
—
—
60
4.5≤VDD
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