MSM10S0300

J2N0007-38-81 ¡ 電子デバイス MSM10S0000ファミリ 0.8mm CMOS ゲートアレイ n 概要 作成：1998年 8月 MSM10S0000 l 前回作成：1996年10月 MSM10S0000ファミリは0.8mmCMOSプロセスを用いた2層メタル構造のシーオブゲート（SOG）タ イプのゲートアレイです。 このファミリは、6シリーズ構成で使用可能ゲート数は2,310∼37,240ゲートまであり、用途に合わ せた最適なLSIの選択が可能です。 n 特長 l 使用可能ゲート数：2,310∼37,240ゲート l 最大総パッド数：280 l 動作電圧：2.7V∼5.5V l 動作温度範囲：−40∼＋85℃ l 内部ゲート遅延時間：0.36ns（VDD＝5V），0.63ns（VDD＝3V） ［2入力NANDゲート高速タイプ，F/O＝2，標準配線長］ l 入出力バッファ遅延時間：2.89ns（VDD＝5V），5.02ns（VDD＝3V） ［入力バッファ＋出力バッファ，CL＝20pF］ l 入力端子のプルアップ／プルダウンが可能 プルアップ抵抗値：約3k／50kW，プルダウン抵抗値：約50kW（VDD＝5V） プルアップ抵抗値：約6k／100kW，プルダウン抵抗値：約100kW（VDD＝3V） l 全端子プログラマブル：VDD／VSS／入力／出力／双方向 l 入出力レベル：TTL／CMOS，SCHMITT回路可能 l 出力形式：プッシュプル，3ステート，双方向バス，オープンドレイン，カレントフォース l 出力駆動能力：2/4/8/12/16/24/48mA（VDD＝5V），1/2/4/6/8/12/24mA（VDD＝3V） l オシレータ最大発振周波数：32MHz（VDD＝5V），24MHz（VDD＝3V） l スルーレートコントロール付き出力バッファ l 多種多様なパッケージ l 豊富なマクロライブラリ ベーシックセル：337種 メモリセル：RAM（1∼6ポート各種）／ROM I/Oセル：215種 メガセル：4種（UART，DMAコントローラ他）   PCMCIAカードコントローラ l JTAG Boundary Scan 1/7 MSM10S0000 l n ファミリ一覧 l シリーズ構成［注1］ シリーズ名 使用可能ゲート数 総パッド数 10S0050 2,310 72 10S0110 4,880 100 10S0210 9,590 136 10S0300 13,620 160 10S0570 23,370 216 10S0980 37,240 280 l パッケージメニュー［注2］ 形状 SSOP パ   ッ   ケ   ー   ジ ピン数 32 44 56 60 64 80 シリーズ名 10S0050 ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ ⃝ 10S0110 10S0210 10S0300 10S0570 10S0980 QFP 100 128 144 160 208 240 44 64 80 100 144 TQFP LQFP 176 208 注記： 1. 使用可能ゲート数はロジックゲートのみ搭載した場合ですので目安としてお考えください。 なお、回路によって違ってくることもありますのでご注意ください。 2. 上記パッケージメニューにつきましては予告なしに変更することがありますので、最新情報 は弊社までお問い合わせください。 2/7 MSM10S0000 l n 絶対最大定格 項目 電源電圧 入力電圧 出力電圧 入力電流 出力電流 電源パッド当り流出入電流 保存温度 記号 VDD VI VO II 2, 4, 8, 12mAバッファ 条件 Tj＝25℃ VSS＝0V 定格値 −0.5∼＋6.5 −0.5∼VDD＋0.5 −0.5∼VDD＋0.5 −10∼＋10 −25∼＋25 −50∼＋50 −100∼＋100 −72∼＋72 −65∼＋150 単位 V IO IPAD TSTG 16, 24mAバッファ 48mAバッファ mA ― ℃ n 推奨動作条件 VSS＝0V 項目 電源電圧 トランジスタ ジャンクション温度 入力立ち上がり／ 立ち下がり時間［注2］ 発振周波数 記号 VDD 3V系 5V系 最小 2.7 4.5 −40 ― ― 2 2 標準 3.0 5.0 ― 2 32.768 ― ― 最大 3.6 5.5 85 20 ― 24 32 単位 V ℃ ns kHz MHz MHz Tj［注1］ tr, tf fOSC［注3］ fOSC［注4］ fOSC［注5］ 注記： 1. Tjの許容最大値：125℃を超えない範囲で使用してください。（チップ設計に当ってのTjの詳 細な見積りについては、弊社発行のASICデザインマニュアルをご参照ください。また、特殊 な場合として、Tj＞85℃で使用する場合は弊社までご連絡ください。） 2. 応用上、遅い入力が必要な場合は弊社までご連絡ください。なお、その場合端子周辺の環境 に依存しますので出力バッファの同時動作など考慮の上ご使用ください。 3. 発振用マクロセルWOSC2F使用時。3V系、5V系共通。 4. 発振用マクロセルWOSC5F，WOSC8H使用時。VDD＝2.7∼3.6Vの場合。 5. 発振用マクロセルWOSC5F，WOSC8H使用時。VDD＝4.5∼5.5Vの場合。 3/7 MSM10S0000 l n 電気的特性 l 直流特性（VDD＝4.5V∼5.5V，VSS＝0V，Tj＝−40℃∼＋85℃） 項目 "H"レベル入力電圧 "L"レベル入力電圧 TTLレベル シュミットトリガ 入力しきい値電圧 CMOSレベル シュミットトリガ 入力しきい値電圧 "H"レベル出力電圧 "L"レベル出力電圧 "H"レベル入力電流 記号 VIH VIL Vt＋ Vt− DVt Vt＋ Vt− DVt VOH VOL IIH 条件 TTLレベル入力 CMOSレベル入力 TTLレベル入力 CMOSレベル入力 ― ― Vt＋−Vt− ― ― Vt＋−Vt− IOH＝−2, −4, −8, −12, −16, −24mA IOL＝2, 4, 8, 12, 16mA IOL＝24, 48mA［注2］ VIH＝VDD （50kW pull down） VIL＝VSS "L"レベル入力電流 IIL （3kW pull up） IOZH 3‐state出力 リーク電流 VOH＝VDD （50kW pull down） VOL＝VSS IOZL （3kW pull up） 静止時 電源電流［注3］ IDDS 出力開放 VIH＝VDD, VIL＝VSS 最小 2.2 0.7×VDD 標準 [注1] 最大 VDD＋0.5 VDD＋0.5 単位 ― ― ― ― 1.7 1.3 0.4 3.1 1.8 1.3 ― ― ― 0.01 100 −0.01 −100 −1.6 0.01 100 −0.01 −100 −1.6 0.1 −0.5 −0.5 ― 0.8 0.2 ― 0.24×VDD 0.1×VDD 0.8 0.3×VDD 2.2 ― ― 0.76×VDD V ― ― ― 0.4 0.5 10 250 ― −20 −0.5 10 250 ― −20 −0.5 100 mA mA mA mA mA 3.7 ― ― ― 20 −10 −5 ― 20 −10 −5 ― （50kW pull up） −250 （50kW pull up） −250 注記： 1. 標準は、VDD＝5.0V，Tj＝25℃です。 2. 48mAはオープンドレインのみです。 3. メモリを搭載していない場合の値です。 4/7 MSM10S0000 l l 直流特性（VDD＝2.7V∼3.6V，VSS＝0V，Tj＝−40℃∼＋85℃） 項目 "H"レベル入力電圧 "L"レベル入力電圧 TTLレベル シュミットトリガ 入力しきい値電圧 CMOSレベル シュミットトリガ 入力しきい値電圧 "H"レベル出力電圧 "L"レベル出力電圧 "H"レベル入力電流 記号 VIH VIL Vt＋ Vt− DVt Vt＋ Vt− DVt VOH VOL IIH 条件 TTLレベル入力 CMOSレベル入力 TTLレベル入力 CMOSレベル入力 ― ― Vt＋−Vt− ― ― Vt＋−Vt− IOH＝−1, −2, −4, −6, −8, −12mA IOL＝1, 2, 4, 6, 8mA IOL＝12, 24mA［注2］ VIH＝VDD （100kW pull down） VIL＝VSS "L"レベル入力電流 IIL （6kW pull up） IOZH 3‐state出力 リーク電流 IOZL VOH＝VDD （50kW pull down） VOL＝VSS （6kW pull up） 静止時 電源電流［注3］ IDDS 出力開放 VIH＝VDD, VIL＝VSS 最小 標準 [注1] 最大 1.8 0.7×VDD 単位 ― ― ― ― 1.3 1 0.3 2.0 1.0 1.0 ― ― ― 0.01 35 −0.01 −35 0.01 100 −0.01 −35 VDD＋0.5 VDD＋0.5 −0.5 −0.5 ― 0.5 0.1 ― 0.24×VDD 0.1×VDD 0.5 0.3×VDD 1.8 ― ― 0.76×VDD V ― ― ― 0.3 0.4 1 120 ― −5 −120 1 250 ― −5 −120 10 mA 2.2 ― ― ― 5 −1 （100kW pull up） −120 ― 20 −1 −2000 −550 （100kW pull up） −120 −2000 −550 ― 0.1 注記： 1. 標準は、VDD＝3.0V，Tj＝25℃です。 2. 24mAバッファはオープンドレインのみです。 3. メモリを搭載していない場合の値です。 l 入出力端子容量 項目 入力端子 出力端子 入出力端子 記号 CI CO CIO 最小 ― ― ― 標準 6 9 10 最大 ― ― ― 単位 pF pF pF 注記： 端子容量は、パッケージのピン容量、チップ内部のパッド容量を含んだ平均的な値です。 条件：VDD＝VI＝VO＝VSS, f＝1MHz, Tj＝25℃ 5/7 MSM10S0000 l l 交流特性（VDD＝5.0V，VSS＝0V，Tj＝25℃） 項目 インバータ 2入力NAND 2入力NOR ドライブタイプ 1× 1× 1× 1× 条件 入力立ち上がり、 立ち下がり時間 5V/1ns F/O＝2, L＝0mm 標準値［注1］ 0.20 0.31 0.34 0.57 0.44 単位 内部ゲート 遅延時間 インバータ 2× 4× 1× 入力立ち上がり、 立ち下がり時間 5V/1ns F/O＝2, 標準配線長 0.30 0.68 0.46 0.35 0.84 0.60 0.61 ns 2入力NAND 2× 4× 1× 2入力NOR トグル周波数 入力バッファ 遅延時間 出力バッファ 遅延時間 出力バッファ 遷移時間 （10‐90％） ［注2］ TTLレベル CMOSレベル 2× 4× F/O＝1, L＝0mm F/O＝2, 標準配線長 4mA CL＝20pF CL＝50pF CL＝100pF CL＝150pF 575 0.83 0.61 2.06 2.10 2.20 2.50 3.93（r） 3.76（f） 6.34（r） 5.97（f） MHz プッシュプル 8mA 16mA 24mA ns プッシュプル スルーレート プッシュプル 24mA CL＝150pF 注記： 1. 遅延時間“tpLH”と“tpHL”の平均として算出。 2. 立ち上がり時間：（r），立ち下がり時間：（f） 6/7 MSM10S0000 l l 交流特性（VDD＝3.0V，VSS＝0V，Tj＝25℃） 項目 ドライブタイプ 1× 1× 1× 1× 条件 入力立ち上がり、 立ち下がり時間 3V/0.6ns F/O＝2, L＝0mm 標準値［注1］ 0.31 0.47 0.52 0.87 0.67 単位 インバータ 2入力NAND 2入力NOR 内部ゲート 遅延時間 インバータ 2× 4× 1× 入力立ち上がり、 立ち下がり時間 3V/0.6ns F/O＝2, 標準配線長 0.46 1.04 0.70 0.54 1.29 0.92 0.93 ns 2入力NAND 2× 4× 1× 2入力NOR トグル周波数 入力バッファ 遅延時間 出力バッファ 遅延時間 出力バッファ 遷移時間 （10‐90％） ［注2］ 2× 4× F/O＝1, L＝0mm 330 1.27 0.93 3.15 3.21 3.37 3.82 6.01（r） 5.75（f） 9.70（r） 9.13（f） MHz TTLレベル CMOSレベル 4mA プッシュプル 8mA 16mA 24mA プッシュプル スルーレート プッシュプル 24mA F/O＝2, 標準配線長 CL＝20pF CL＝50pF CL＝100pF CL＝150pF ns CL＝150pF 注記： 1. 遅延時間“tpLH”と“tpHL”の平均として算出。 2. 立ち上がり時間：（r），立ち下がり時間：（f） 7/7