MSM51C256-10

1. 物料型号： - 型号：MSM51C256RS/JS - 制造商：OKI semiconductor

2. 器件简介： - MSM51C256是一款新一代动态RAM，组织为262,144字×1位。该器件采用OI的CMOS硅门工艺技术制造，并且使用单个+5V电源供电，其VO引脚与TTL兼容。

3. 引脚分配： - MSM51C256RS：16引脚塑料双列直插式封装（DIP）。 - MSM51C256JS：18引脚塑料有引线芯片载体封装（PLCC）。

4. 参数特性： - 硅门、双多硅CMOS、1晶体管存储单元。 - 标准16引脚塑料DIP/18引脚PLCC封装系列组织。 - 单+5V供电，±10%容忍度。 - 输入：TTL兼容、地址输入、数据输入锁存。 - 快速页面模式、读/写能力、CAS前RAS刷新、CAS前RAS隐藏刷新、RAS仅刷新能力。 - 输出：TTL兼容、三态、非锁存。 - 刷新：256周期/4ms。

5. 功能详解： - MSM51C256具有快速页面模式读写周期，通过控制三态输出缓冲器的状态以及简化的时序来实现。 - 地址输入：18位地址输入信号定位在MSM51C256内的存储位置。 - 写使能：WE引脚的逻辑“低”状态决定写模式。 - 数据输入：在写或读-写周期中将数据写入MSM51C256。 - 数据输出：输出缓冲器与TTL兼容，输出与数据输入同相。 - 页面模式：允许在不改变行地址时保持RAS逻辑低（0）。 - RAS仅刷新：通过在每个256行地址上执行存储周期来完成动态存储器的刷新。 - CAS前RAS刷新：在CAS保持低电平的指定期间内，内部刷新控制时钟发生器和刷新地址计数器被激活。 - 隐藏刷新：在保持最新有效数据在输出的同时进行隐藏刷新周期。

6. 应用信息： - 该器件适用于需要高速访问时间和低功耗的应用。

7. 封装信息： - MSM51C256RS：16引脚塑料DIP封装。 - MSM51C256JS：18引脚PLCC封装。