### 物料型号
- 型号:G3VM-41GR7
### 器件简介
- 简介:新型MOS FET继电器,具有低输出电容和导通电阻(在40V负载电压下,$C_{OFF}=1.65\, \text{pF}$(典型值),$R_{ON}=6.5\, \Omega$(典型值))。漏电流最大为1.0纳安(典型值为0.2纳安)继电器开启时。符合RoHS标准。
### 引脚分配
- 接触形式:SPST-NO(单刀单掷-常开)
- 终端:表面贴装端子
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 输入:LED正向电流50mA,LED反向电压5V
- 输出:负载电压(AC峰值/DC)40V,连续负载电流120mA
- 连接温度125°C
- 电气特性:
- LED正向电压:在5V、10mA条件下测量
- 最大电阻(输出ON):$R_{ON}$ 6.5Ω至9.5Ω
- 继电器开启时的电流泄漏:0.2至1.0纳安
- 端子间电容:$C_{OFF}$ 1.65至3.0皮法
- I/O端子间电容:$C_{HO}$ 0.8皮法
### 功能详解
- 应用实例:半导体检测工具、测量设备、宽带系统、数据记录器。
### 应用信息
- 应用:适用于需要低输出电容和低导通电阻的场合,如半导体检测工具、测量设备等。
### 封装信息
- 封装:SOP封装
- 尺寸:所有单位均为毫米,具体尺寸图示请参考PDF文档中的图fig_29686、fig_07097等。