1. 物料型号: 2N6426和2N6427
2. 器件简介: 这些是NPN硅达林顿晶体管，由ON Semiconductor生产，提供了无铅封装选项。
3. 引脚分配: 引脚分配为：发射极(1)、基极(2)、集电极(3)，封装类型为TO-92。
4. 参数特性:
- 集电极-发射极电压(VCEO): 40Vdc
- 集电极-基极电压(VCBO): 40Vdc
- 发射极-基极电压(VEBO): 12Vdc
- 集电极电流(Ic): 500mA
- 总器件耗散(PD): 625mW @ TA=25°C，5.0mW/°C
- 存储和操作结温范围(TJ.Tstg): -55°C 至 +150°C
5. 功能详解:
- 达林顿晶体管具有高增益(hFE)，最小值为20,000，最大值可达200,000。
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 0.7V至1.5V。
- 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)): 1.52V至2.0V。
- 小信号特性包括输出电容、输入电容、输入阻抗和电流增益。
6. 应用信息: 适合高增益应用，详细应用信息未在文档中明确说明。
7. 封装信息: 提供了TO-92封装，包括无铅选项，以及详细的封装尺寸。
