2SJ650

Ordering number : ENN7500 2SJ650 2SJ650 P-Channl Silicon MOSFET DC / DC Converter Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2063A [2SJ650] 4.5 2.8 5.6 18.1 16.0 3.2 3.5 7.2 10.0 2.4 14.0 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 2.55 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 2.4 2.55 Specifications 2.55 Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Symbol 2.55 SANYO : TO-220ML Conditions Ratings Unit VDSS VGSS --60 ±20 V ID --12 A IDP PW≤10µs, duty cycle≤1% V --48 A 2.0 W Allowable Power Dissipation PD 20 W Channel Temperature Tch 150 °C Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C Tc=25°C Electrical Characteristics at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage Zero-Gate Voltage Drain Current Gate-to-Source Leakage Current Cutoff Voltage Forward Transfer Admittance Symbol Conditions V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs typ ID=--1mA, VGS=0 VDS=--60V, VGS=0 VGS=±16V, VDS=0 --60 VDS=--10V, ID=--1mA --1.2 VDS=--10V, ID=--6A Marking : J650 © 2011, SCILLC. All rights reserved. Jan-2011, Rev. 0 Ratings min 7 Unit max V --1 µA ±10 µA --2.6 10 V S Continued on next page. www.onsemi.com Rev.0 I Page 1 of 4 I www.onsemi.com Publication Order Number: 2SJ650/D 2SJ650 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Static Drain-to-Source On-State Resistance RDS(on)1 RDS(on)2 ID=--6A, VGS=--10V ID=--6A, VGS=--4V 100 135 mΩ 145 205 mΩ Input Capacitance Ciss 1020 Output Capacitance Coss VDS=--20V, f=1MHz VDS=--20V, f=1MHz Reverse Transfer Capacitance Crss Turn-ON Delay Time td(on) tr Rise Time Turn-OFF Delay Time Conditions td(off) tf Fall Time Total Gate Charge Qg Gate-to-Source Charge Qgs min typ Unit max pF 110 pF VDS=--20V, f=1MHz See specified Test Circuit. 76 pF 10 ns See specified Test Circuit. 145 ns See specified Test Circuit. 85 ns See specified Test Circuit. 96 ns 21 nC 3.8 nC Gate-to-Drain“Miller”Charge Qgd VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--12A Diode Forward Voltage VSD IS=--12A, VGS=0 4.5 nC --0.9 --1.2 V Switching Time Test Circuit VDD= --30V VIN 0V --10V ID= --6A RL=5Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≤1% G 2SJ650 50Ω Drain Current, ID -- A --15 --4V --10 --5 VGS= --3V --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 Drain-to-Source Voltage, VDS -- V --4.5 --5.0 °C --20 V --6 75 V --8 ID -- VGS VDS= --10V Tc= -- --1 0V Tc=25°C --20 0 0 --25 25° 2 C 5° C ID -- VDS --25 Drain Current, ID -- A S --15 --10 --5 0 0 25 °C 75 °C Tc =-25 °C P.G --0.5 IT06157 Rev.0 I Page 2 of 4 I www.onsemi.com --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 Gate-to-Source Voltage, VGS -- V --4.5 --5.0 IT06158 2SJ650 RDS(on) -- VGS Static Drain-to-Source On-State Resistance, RDS(on) -- mΩ 250 200 75°C 150 25°C 100 Tc= --25°C 50 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 Gate-to-Source Voltage, VGS -- V Cutoff Voltage, VGS(off) -- V --1.5 --1.0 --0.5 0 25 50 75 100 125 Case Temperature, Tc -- °C 0V 100 50 --25 0 25 50 75 100 VDS= --10V 7 5 3 2 C 25° °C --25 Tc= 75°C 10 7 5 3 2 1.0 7 5 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 VDD= --30V VGS= --10V 7 3 2 td(off) tf 100 7 5 tr 3 2 td(on) 10 0 --0.3 --0.6 --0.9 --1.2 7 5 --0.1 --1.5 Diode Forward Voltage, VSD -- V Gate-to-Source Voltage, VGS -- V 3 Coss 100 7 5 Crss 3 2 7 2 --1.0 3 5 7 --10 IT06163 VDS= --30V ID= --12A --9 Ciss 5 VGS -- Qg --10 f=1MHz 2 2 3 Drain Current, ID -- A 3 1000 7 5 2 IT06162 Ciss, Coss, Crss -- VDS 5 3 SW Time -- ID 1000 Switching Time, SW Time -- ns --0.1 7 5 3 2 2 IT06161 5 --1.0 7 5 3 2 150 IT06160 Drain Current, ID -- A VGS=0 --10 7 5 3 2 125 yfs -- ID IT06169 Tc= 75° C 25°C --25°C Forward Current, IF -- A 4V = --1 , VGS A 6 I D= 3 --0.1 150 --0.01 Ciss, Coss, Crss -- pF = -V GS , --6A Case Temperature, Tc -- °C IF -- VSD --100 7 5 3 2 I D= 150 100 --2.0 --25 200 IT06159 VDS= --10V ID= --1mA 0 --50 250 0 --50 --10 VGS(off) -- Tc --2.5 RDS(on) -- Tc 300 ID= --6A Forward Transfer Admittance, yfs -- S Static Drain-to-Source On-State Resistance, RDS(on) -- mΩ 300 --8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 10 0 0 --5 --10 --15 --20 --25 Drain-to-Source Voltage, VDS -- V --30 0 IT06164 Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com 5 10 15 Total Gate Charge, Qg -- nC 20 25 IT06165 2SJ650 ASO IDP= --48A