4N303SD

物料型号：4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33

器件简介：这些光耦合器由镓砷化物红外发射器与硅平面光达林顿晶体管光耦合组成。

特点： - 对低输入驱动电流具有高灵敏度 - 满足或超过所有JEDEC注册规范 - 可选VDE 0884认证（例如，4N29.300）

应用信息： - 低功耗逻辑电路 - 电信设备 - 便携式电子设备 - 固态继电器 - 不同电位和阻抗的系统接口耦合

引脚分配： - 1：阳极（ANODE） - 2：阴极（CATHODE） - 3：空脚（N/C） - 4：发射极（EMITTER） - 5：集电极（COLLECTOR） - 6：基极（BASE）

参数特性： - 存储温度：-55至+150°C - 工作温度：-55至+100°C - 焊接温度：260°C持续10秒 - 发射极正向连续电流：80mA - 发射极反向电压：3V - 发射极功率耗散：150mW（25°C时） - 检测器集电极-发射极击穿电压：30V

功能详解： - 光耦合器的电流传输比（CTR）是检测器集电极电流与LED输入电流的比率，在VCE为10V时测量。 - 脉冲测试条件：脉冲宽度300μs，占空比2.0%。

封装信息： - 提供通孔和表面贴装两种封装方式。 - 详细尺寸信息和推荐布局在文档中有详细描述。

订购信息： - 提供不同选项，如表面贴装、胶带和卷轴包装、0.4英寸引脚间距、VDE 0884认证等。

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