4N36300W

物料型号： - 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4, H11A5

器件简介： - 这些光耦合器由一个镓砷化物红外发光二极管驱动硅光晶体管，封装在6引脚双列直插式封装中。

引脚分配： - 1. 阳极（Anode） - 2. 阴极（Cathode） - 3. 无连接（No Connection） - 4. 发射极（Emitter） - 5. 集电极（Collector） - 6. 基极（Base）

参数特性： - 存储温度范围：-55°C 至 +150°C - 工作温度范围：-55°C 至 +100°C - 波峰焊温度（见第14页回流焊温度曲线）：260°C持续10秒 - 总器件功率耗散在25°C时：250mW - 发射极直流/平均正向输入电流：100mA（非-M封装），60mA（-M封装） - 反向输入电压：6V - 正向电流峰值（300us，2%占空比）：3A

功能详解： - 这些光耦合器广泛应用于电源调节器、数字逻辑输入和微处理器输入等。

应用信息： - 用于隔离输入信号，保护控制电路不受高电压或电流的损害。

封装信息： - 提供黑色和白色两种封装选项，白色封装通过指定-M后缀可获得。