物料型号：BC635/637/639
器件简介：NPN Epitaxial Silicon Transistor，用于开关和放大应用，是BC636/638/640的互补型号。
引脚分配：1.发射极（Emitter），2.集电极（Collector），3.基极（Base）。
参数特性：包括集电极-发射极电压（VCER）、集电极-基极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、峰值集电极电流（ICP）、基极电流（Ib）、集电极功耗（Pc）、结温（Tj）、存储温度（Tstg）等。
功能详解：提供了电气特性表，包括集电极-发射极击穿电压（BVCEO）、集截止电流（ICBO）、发射截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE1, hFE2, hFE3）、饱和压降（Vce(sat)）、基极-发射极导通电压（VBE(on)）、电流增益-带宽积（fT）等。
应用信息：文档中没有明确提供应用信息，但根据其为NPN型外延硅晶体管，可推断用于开关和放大电路。
封装信息：TO-92封装，提供了详细的尺寸图。
