BSR50_J35Z

- 物料型号：BSR50 - 器件简介：该设备设计用于需要极高增益的应用，集电极电流可达0.5A，采用Process 06工艺。 - 引脚分配：1. 发射极（Emitter）2. 集电极（Collector）3. 基极（Base） - 参数特性： - 绝对最大额定值：包括集电极-发射极电压（VCEO）、集电极-基极电压（VCBO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）和存储温度范围。 - 电气特性：包括集电极-发射极击穿电压（BVCEO）、集电极-基极击穿电压（BVCBO）、发射极-基极击穿电压（BVEBO）、集电极截止电流（ICBO）、发射极截止电流（EBO）、直流电流增益（hFE）、集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）和基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）。 - 热特性：包括总器件耗散（PD）、结到封装的热阻（RaJC）和结到环境的热阻（RaJA）。 - 功能详解：文档提供了详细的电气特性和热特性参数，以及如何使用这些参数来评估和设计使用BSR50晶体管的电路。 - 应用信息：虽然文档没有直接提供应用信息，但根据其高增益和电流处理能力，BSR50适用于高功率放大和开关应用。 - 封装信息：BSR50采用TO-92封装，文档提供了详细的封装尺寸。