BUH100G

BUH100G SWITCHMODEt NPN Silicon Planar Power Transistor The BUH100G has an application specific state−of−art die designed for use in 100 Watts Halogen electronic transformers. This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the startup conditions or under a short circuit across the load. Features http://onsemi.com • Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements: • • • High and Flat DC Current Gain hFE Fast Switching Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture this Device ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 700 VOLTS − 100 WATTS MAXIMUM RATINGS Rating Collector−Emitter Sustaining Voltage Collector−Base Breakdown Voltage Collector−Emitter Breakdown Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current − Continuous − Peak (Note 1) − Continuous − Peak (Note 1) Symbol VCEO VCBO VCES VEBO ICM IB IBM PD TJ, Tstg IC Value 400 700 700 10 10 20 4 10 100 0.8 − 60 to 150 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc W W/_C _C BUH100G AY WW Symbol RqJC RqJA TL Max 1.25 62.5 260 Unit _C/W _C/W _C A Y WW G = Assembly Location = Year = Work Week = Pb−Free Package 1 2 3 TO−220AB CASE 221A−09 STYLE 1 MARKING DIAGRAM Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Thermal Resistance, Junction−to−Case Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes1/8″ from Case for 5 Seconds Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%. Device ORDERING INFORMATION Package TO−220AB (Pb−Free) Shipping 50 Units / Rail BUH100G *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2010 April, 2010 − Rev. 5 1 Publication Order Number: BUH100/D ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) DYNAMIC CHARACTERISTICS DYNAMIC SATURATION VOLTAGE ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS Dynamic Saturation Voltage: Determined 3 ms after rising IB1 reaches 90% of final IB1 (See Figure 19) Input Capacitance (VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Current Gain Bandwidth (IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) DC Current Gain(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc) Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc) Emitter−Cutoff Current (VEB = 9 Vdc, IC = 0) Collector Base Current (VCB = Rated VCBO, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) Emitter−Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) Collector−Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) (IC = 7 Adc, IB = 1.5 Adc) (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) (IC = 7 Adc, VCE = 5 Vdc) (IC = 5 Adc, VCE = 5 Vdc) Characteristic IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc VCC = 300 V IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc VCC = 300 V @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C http://onsemi.com BUH100G 2 VCEO(sus) VCE(dsat) Symbol VCE(sat) VBE(sat) VCBO VEBO ICBO ICEO IEBO ICES Cob hFE fT Cib Min 700 400 10 10 15 16 10 6 4 8 7 1300 12 10.5 15 14.5 0.37 0.37 12.5 Typ 100 860 460 1.7 2.1 1.1 0.5 0.6 9.5 8 23 24 28 5 1 100 1000 100 1000 1750 0.75 1.5 Max 150 100 100 0.6 0.6 1.1 mAdc mAdc mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc pF pF V V V V ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 mH) SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 ms) Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Turn−off Time Turn−on Time Turn−off Time Turn−on Time Turn−off Time Turn−on Time Turn−off Time Turn−on Time Characteristic IC = 7.5 Adc, IB1 = 1.5 Adc IB2 = 1.5 Adc VCC = 300 Vdc IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.4 Adc VCC = 300 Vdc IC = 1 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc VCC = 300 Vdc IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc IB2 = 1 Adc VCC = 300 Vdc IC = 7.5 Adc IB1 = 1.5 Adc IB2 = 1.5 Adc IC = 1 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.5 Adc IC = 1 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc IC = 5 Adc IB1 = 1 Adc IB2 = 1 Adc @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C http://onsemi.com BUH100G 3 Symbol ton ton ton ton toff toff toff toff tsi tsi tsi tsi tfi tc tfi tc tfi tc tfi tc Min Typ 250 475 100 150 220 450 100 140 260 300 150 170 230 300 150 180 500 900 250 800 140 150 130 140 2.9 4.6 2.5 2.8 5.1 5.8 2.1 2.5 2.9 3.6 3.4 4.3 6.8 8.5 2 2.5 Max 350 150 300 150 350 250 325 250 700 500 200 200 2.5 3.5 2.5 3.5 3 6 4 8 Unit ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ms ms ms ms ms ms ms ms BUH100G TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 100 VCE = 1 V hFE, DC CURRENT GAIN hFE, DC CURRENT GAIN TJ = 125°C TJ = 125°C 100 VCE = 3 V 10 TJ = - 20°C TJ = 25°C 10 TJ = - 20°C TJ = 25°C 1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 1 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt 100 VCE = 5 V hFE, DC CURRENT GAIN VCE , VOLTAGE (VOLTS) TJ = 125°C 10 IC/IB = 5 1 TJ = 25°C 0.1 TJ = - 20°C TJ = - 20°C 10 TJ = 25°C TJ = 125°C 1 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 0.01 0.001 0.1 1 0.01 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage 10 IC/IB = 10 VCE , VOLTAGE (VOLTS) VBE , VOLTAGE (VOLTS) 1.5 IC/IB = 5 1 TJ = 25°C TJ = - 20°C 1 TJ = - 20°C TJ = 25°C TJ = 125°C 0.1 TJ = 125°C 0.5 0.01 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 0 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage Figure 6. Base−Emitter Saturation Region http://onsemi.com 4 BUH100G TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 1.5 IC/IB = 10 VBE , VOLTAGE (VOLTS) VCE , VOLTAGE (VOLTS) 1.5 8A 5A 1 3A 2A 0.5 VCE(sat) (IC = 1 A) 0 0.001 0.01 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 0 0.01 0.1 1 IB, BASE CURRENT (A) 10 2 TJ = 25°C 10 A 15 A 1 TJ = - 20°C TJ = 25°C 0.5 TJ = 125°C Figure 7. Base−Emitter Saturation Region Figure 8. Collector Saturation Region 10000 TJ = 25°C f(test) = 1 MHz BVCER (VOLTS) 900 TJ = 25°C 800 BVCER @ 10 mA C, CAPACITANCE (pF) Cib 1000 700 600 100 Cob 500 BVCER(sus) @ 500 mA, 25 mH 400 1 10 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 100 10 100 1000 RBE (W) 10000 100000 10 Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Breakdown http://onsemi.com 5 BUH100G TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 2500 IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 40 ms t, TIME ( μs) TJ = 125°C TJ = 25°C IC/IB = 10 10 TJ = 125°C TJ = 25°C IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 20 ms 2000 8 t, TIME (ns) 1500 6 IC/IB = 5 1000 125°C 500 25°C 0 0 2 4 6 8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 IC/IB = 5 4 2 IC/IB = 10 0 0 2 6 4 8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 11. Resistive Switching Time, ton Figure 12. Resistive Switch Time, toff 7 IC/IB = 5 t, TIME ( μs) 5 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 6 5 4 3 2 TJ = 125°C TJ = 25°C 1 0 1 7 4 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 1 7 4 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 TJ = 125°C TJ = 25°C IC/IB = 10 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 3 1 Figure 13. Inductive Storage Time, tsi t, TIME ( μs) Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi 600 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH TJ = 125°C TJ = 25°C 800 TJ = 125°C TJ = 25°C 600 tc t, TIME (ns) 400 tfi 200 tc IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 400 t, TIME (ns) 200 tfi 0 1 4 7 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 0 1 4 7 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 14. Inductive Storage Time, tc & tfi @ IC/IB = 5 http://onsemi.com 6 Figure 15. Inductive Storage Time, tc & tfi @ IC/IB = 10 BUH100G TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 4 200 IC = 7.5 A tsi , STORAGE TIME (μs) 3 IC = 5 A t fi , FALL TIME (ns) 150 2 IC = 7.5 A 1 TJ = 125°C TJ = 25°C 0 2 4 6 hFE, FORCED GAIN 100 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 8 10 50 IBoff = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 3 4 5 IC = 5 A TJ = 125°C TJ = 25°C 6 7 hFE, FORCED GAIN 8 9 10 0 Figure 16. Inductive Storage Time Figure 17. Inductive Fall Time 800 700 t c , CROSSOVER TIME (ns) 600 500 400 300 200 100 3 4 5 TJ = 125°C TJ = 25°C 6 7 hFE, FORCED GAIN 8 IC = 5 A IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH IC = 7.5 A 9 10 Figure 18. Inductive Crossover Time, tc 10 VCE dyn 1 ms dyn 3 ms 0V 90% IB 1 ms IB 3 ms TIME 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 TIME 5 6 7 8 IB 90% IB1 Vclamp 10% Vclamp 10% IC tc tsi IC 90% IC tfi Figure 19. Dynamic Saturation Voltage Measurements Figure 20. Inductive Switching Measurements http://onsemi.com 7 BUH100G Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit +15 V 1 mF 150 W 3W 100 W 3W MTP8P10 100 mF VCE PEAK MTP8P10 MPF930 MUR105 +10 V MPF930 A 50 W 500 mF 150 W 3W RB2 MTP12N10 V(BR)CEO(sus) L = 10 mH RB2 = ∞ VCC = 20 V IC(pk) = 100 mA Inductive Switching L = 200 mH RB2 = 0 VCC = 15 V RB1 selected for desired IB1 RBSOA L = 500 mH RB2 = 0 VCC = 15 V RB1 selected for desired IB1 IB2 Iout IB RB1 VCE IB1 IC PEAK MJE210 COMMON 1 mF -Voff TYPICAL THERMAL RESPONSE 1 SECOND BREAKDOWN DERATING POWER DERATING FACTOR 0.8 0.6 THERMAL DERATING 0.4 TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 24. At any case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be sustained simultaneously during turn−off with the base to emitter junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse biased safe operating area (Figure 23). This rating is verified under clamped conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode. 100 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 0.2 0 20 40 60 80 100 120 TC, CASE TEMPERATURE (°C) 140 160 Figure 21. Forward Bias Power Derating 10 1 ms 5 ms 10 ms EXTENDED SOA 1 ms There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 22 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 21. 1 DC 0.1 0.01 10 Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area 100 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 1000 http://onsemi.com 8 BUH100G 12 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) GAIN ≥ 5 10 8 6 4 -5 V 2 0V 0 200 300 400 500 600 700 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 800 -1.5 V TC ≤ 125°C LC = 2 mH Figure 23. Reverse Bias Safe Operating Area 1 r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 t1 0.02 SINGLE PULSE 0.01 0.01 0.1 1 t, TIME (ms) t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 10 P(pk) RqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 1.25°C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) RqJC(t) 100 1000 Figure 24. Typical Thermal Response (ZqJC(t)) for BUH100 http://onsemi.com 9 BUH100G PACKAGE DIMENSIONS TO−220AB CASE 221A−09 ISSUE AF NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. DIM A B C D F G H J K L N Q R S T U V Z INCHES MIN MAX 0.570 0.620 0.380 0.405 0.160 0.190 0.025 0.035 0.142 0.161 0.095 0.105 0.110 0.155 0.014 0.025 0.500 0.562 0.045 0.060 0.190 0.210 0.100 0.120 0.080 0.110 0.045 0.055 0.235 0.255 0.000 0.050 0.045 ----0.080 BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR MILLIMETERS MIN MAX 14.48 15.75 9.66 10.28 4.07 4.82 0.64 0.88 3.61 4.09 2.42 2.66 2.80 3.93 0.36 0.64 12.70 14.27 1.15 1.52 4.83 5.33 2.54 3.04 2.04 2.79 1.15 1.39 5.97 6.47 0.00 1.27 1.15 ----2.04 −T− B 4 SEATING PLANE F T C S Q 123 A U K H Z L V G D N R J STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC. ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone : 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Europe, Middle East and Africa Technical Support: Phone: 421 33 790 2910 Japan Customer Focus Center Phone: 81−3−5773−3850 ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative http://onsemi.com 10 BUH100/D