BUH150G

BUH150G SWITCHMODEt NPN Silicon Planar Power Transistor The BUH150G has an application specific state−of−art die designed for use in 150 Watts Halogen electronic transformers. This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the startup conditions or under a short circuit across the load. Features http://onsemi.com POWER TRANSISTOR 15 AMPERES 700 VOLTS, 150 WATTS • Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements: • • • High and Flat DC Current Gain hFE Fast Switching Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture this Device ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* TO−220AB CASE 221A−09 STYLE 1 MAXIMUM RATINGS Rating Collector−Emitter Sustaining Voltage Collector−Base Breakdown Voltage Collector−Emitter Breakdown Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current − Continuous − Peak (Note 1) − Continuous − Peak (Note 1) Symbol VCEO VCBO VCES VEBO IC ICM IB IBM PD TJ, Tstg Value 400 700 700 10 15 25 6 12 150 1.2 −65 to 150 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc W W/_C _C 1 2 3 MARKING DIAGRAM Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature BUH150G AY WW THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Thermal Resistance, Junction−to−Case Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds Symbol RqJC RqJA TL Max 0.85 62.5 260 Unit _C/W _C/W _C BUH150 A Y WW G = Device Code = Assembly Location = Year = Work Week = Pb−Free Package Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%. ORDERING INFORMATION Device BUH150G Package TO−220 (Pb−Free) Shipping 50 Units / Rail *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2010 April, 2010 − Rev. 5 1 Publication Order Number: BUH150/D ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) DYNAMIC CHARACTERISTICS DYNAMIC SATURATION VOLTAGE ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS Input Capacitance (VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz) Current Gain Bandwidth (IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz) Dynamic Saturation Voltage: Determined 3 ms after rising IB1 reaches 90% of final IB1 (see Figure 19) DC Current Gain (IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc) Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) Emitter−Cutoff Current (VEB = 9 Vdc, IC = 0) Collector Base Current (VCB = Rated VCBO, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) Emitter−Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) Collector−Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) (IC = 20 Adc, IB = 4 Adc) (IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) (IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) Characteristic IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc VCC = 300 V IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc VCC = 300 V @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C http://onsemi.com BUH150G 2 VCEO(sus) VCE(dsat) Symbol VCE(sat) VBE(sat) VCBO VEBO ICBO ICEO IEBO ICES Cob hFE fT Cib Min 700 400 4 2.5 10 12 14 10 8 6 1300 0.45 0.16 0.15 12.3 Typ 100 860 460 7 4.5 2.4 2.8 1.5 23 20 20 22 12 10 5 2 1 100 1000 100 1000 1750 1.25 Max 150 100 100 0.4 0.4 5 1 mAdc mAdc mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc pF pF V V V V − − − − ÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 mH) SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 ms) Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Crossover Time Storage Time Fall Time Turn−off Time Turn−on Time Turn−off Time Turn−on Time Turn−off Time Fall Time Storage Time Turn−on Time Turn−off Time Fall Time Storage Time Turn−on Time Characteristic IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc IB2 = 0.5 Adc VCC = 300 Vdc IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc IB2 = 0.4 Adc VCC = 300 Vdc IC = 2 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc VCC = 300 Vdc IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc IB2 = 2 Adc VCC = 300 Vdc IC = 5 Adc IB1 = 0.5 Adc IB2 = 0.5 Adc IC = 2 Adc IB1 = 0.4 Adc IB2 = 0.4 Adc IC = 2 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc IC = 10 Adc IB1 = 2 Adc IB2 = 2 Adc @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C @ TC = 25°C http://onsemi.com BUH150G 3 Symbol ton ton ton ton toff toff toff toff tsi tsi tsi tsi tfi tc tfi tc tfi tc tfi ts ts tf tf tc Min 3.25 4.6 2.25 2.75 Typ 250 475 110 160 275 450 110 140 250 270 110 170 235 240 110 160 500 900 450 800 320 100 240 200 6 7.8 2.3 2.8 6.5 8 2.5 3.9 6.5 6.1 5.6 5.3 2.75 3.75 2.75 Max 175 350 150 350 250 350 250 700 650 500 200 350 300 7.5 7.5 6.5 8 3 8 7 350 Unit ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ms ms ms ms ms ms ms ms ms ms BUH150G TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 100 VCE = 1 V hFE, DC CURRENT GAIN hFE, DC CURRENT GAIN TJ = 125°C TJ = 125°C 100 VCE = 3 V 10 TJ = - 20°C TJ = 25°C 10 TJ = - 20°C TJ = 25°C 1 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 1 0.001 0.1 1 10 0.01 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt 100 VCE = 5 V hFE, DC CURRENT GAIN VCE , VOLTAGE (VOLTS) TJ = 125°C 10 IC/IB = 5 TJ = 125°C 1 TJ = 25°C 0.1 TJ = - 20°C TJ = - 20°C 10 TJ = 25°C 1 0.01 10 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 0.01 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage 10 IC/IB = 10 VCE , VOLTAGE (VOLTS) VBE , VOLTAGE (VOLTS) 1.5 IC/IB = 5 1 TJ = 125°C 0.1 TJ = 25°C 0.01 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 1 TJ = - 20°C TJ = 25°C TJ = 125°C 0.5 0 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage Figure 6. Base−Emitter Saturation Region http://onsemi.com 4 BUH150G TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 1.5 IC/IB = 10 VBE , VOLTAGE (VOLTS) VCE , VOLTAGE (VOLTS) 1.5 2 TJ = 25°C 1 TJ = - 20°C TJ = 25°C TJ = 125°C 1 20 A 0.5 VCE(sat) (IC = 1 A) 5A 15 A 8A 10 A 0.5 0 0.001 0.01 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 100 0 0.01 0.1 1 IB, BASE CURRENT (A) 10 100 Figure 7. Base−Emitter Saturation Region 10000 TJ = 25°C f(test) = 1 MHz BVCER (VOLTS) 900 Figure 8. Collector Saturation Region TJ = 25°C 800 BVCER @ 10 mA C, CAPACITANCE (pF) Cib (pF) 1000 700 BVCER(sus) @ 200 mA 600 100 Cob (pF) 500 400 1 10 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 100 10 100 RBE (W) 1000 10 Figure 9. Capacitance Figure 10. Resistive Breakdown http://onsemi.com 5 BUH150G TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 2000 1800 1600 1400 t, TIME (ns) 1200 1000 800 600 400 200 0 0 3 6 9 12 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 15 25°C 125°C 125°C IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 40 ms IC/IB = 10 25°C t, TIME ( μs) 12 10 8 6 4 2 IC/IB = 5 0 0 10 5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 15 IC/IB = 10 IC/IB = 5 TJ = 25°C TJ = 125°C IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 20 ms Figure 11. Resistive Switching, ton Figure 12. Resistive Switch Time, toff 8 7 6 t, TIME ( μs) 5 4 3 2 1 0 1 3 7 9 11 5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 13 15 TJ = 125°C TJ = 25°C IC/IB = 5 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 8 7 6 t, TIME ( μs) 5 4 3 2 1 0 1 7 4 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 TJ = 125°C TJ = 25°C IC/IB = 10 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH Figure 13. Inductive Storage Time, tsi Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi 550 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH TJ = 125°C TJ = 25°C 800 700 600 t, TIME (ns) tc 500 tc 400 300 200 tfi IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH TC = 125°C TC = 25°C 450 t, TIME (ns) 350 250 tfi 150 100 50 1 3 9 11 7 5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 13 15 0 0 2 6 4 8 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 Figure 14. Inductive Storage Time, tc & tfi @ IC/IB = 5 http://onsemi.com 6 Figure 15. Inductive Storage Time, tc & tfi @ IC/IB = 10 BUH150G TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 5 200 TJ = 125°C TJ = 25°C 4 tsi , STORAGE TIME (μs) IC = 5 A t fi , FALL TIME (ns) 150 3 100 IC = 5 A 50 IC = 10 A IBoff = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 5 6 7 hFE, FORCED GAIN 8 9 10 2 IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 2 4 1 IC = 10 A 6 hFE, FORCED GAIN 8 0 TJ = 125°C TJ = 25°C 10 0 3 4 Figure 16. Inductive Storage Time Figure 17. Inductive Fall Time 800 700 t c , CROSSOVER TIME (ns) 600 500 400 300 200 100 3 4 5 6 7 hFE, FORCED GAIN 8 9 10 IC = 5 A IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH TJ = 125°C TJ = 25°C IC = 10 A Figure 18. Inductive Crossover Time http://onsemi.com 7 BUH150G TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 10 VCE dyn 1 ms dyn 3 ms 0V 90% IB 1 ms IB 3 ms TIME 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 TIME 5 6 7 8 IB 90% IB1 Vclamp 10% Vclamp 10% IC tc IC tsi 90% IC tfi Figure 19. Dynamic Saturation Voltage Measurements Figure 20. Inductive Switching Measurements Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit +15 V IC PEAK 1 mF 150 W 3W 100 W 3W MTP8P10 100 mF VCE PEAK MTP8P10 MPF930 MUR105 +10 V MPF930 A 50 W 500 mF 150 W 3W IB2 MJE210 MTP12N10 RB2 V(BR)CEO(sus) L = 10 mH RB2 = ∞ VCC = 20 Volts IC(pk) = 100 mA Inductive Switching L = 200 mH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 RBSOA L = 500 mH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 Iout IB RB1 VCE IB1 COMMON 1 mF -Voff http://onsemi.com 8 BUH150G TYPICAL THERMAL RESPONSE 1 SECOND BREAKDOWN DERATING 0.8 0.6 THERMAL DERATING 0.4 0.2 0 20 40 60 80 120 100 TC, CASE TEMPERATURE (°C) 140 160 Figure 21. Forward Bias Power Derating There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC −VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 22 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 21. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 24. At any case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be sustained simultaneously during turn−off with the base to emitter junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse biased safe operating area (Figure 23). This rating is verified under clamped conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode. POWER DERATING FACTOR 100 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10 ms EXTENDED SOA 1 ms DC 1 IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 1 ms 10 5 ms 16 14 12 10 8 6 4 2 0 300 0V -1.5 V -5 V GAIN ≥ 5 TC ≤ 125°C LC = 4 mH 0.1 0.01 1 Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area 10 100 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 1000 Figure 23. Reverse Bias Safe Operating Area 400 500 600 700 VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 800 r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 SINGLE PULSE 0.01 0.01 0.1 1 t, TIME (ms) t1 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 10 P(pk) RqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 0.83°C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) RqJC(t) 100 1000 Figure 24. Typical Thermal Response (ZqJC(t)) for BUH150 http://onsemi.com 9 BUH150G PACKAGE DIMENSIONS TO−220AB CASE 221A−09 ISSUE AF NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED. DIM A B C D F G H J K L N Q R S T U V Z INCHES MIN MAX 0.570 0.620 0.380 0.405 0.160 0.190 0.025 0.035 0.142 0.161 0.095 0.105 0.110 0.155 0.014 0.025 0.500 0.562 0.045 0.060 0.190 0.210 0.100 0.120 0.080 0.110 0.045 0.055 0.235 0.255 0.000 0.050 0.045 ----0.080 BASE COLLECTOR EMITTER COLLECTOR MILLIMETERS MIN MAX 14.48 15.75 9.66 10.28 4.07 4.82 0.64 0.88 3.61 4.09 2.42 2.66 2.80 3.93 0.36 0.64 12.70 14.27 1.15 1.52 4.83 5.33 2.54 3.04 2.04 2.79 1.15 1.39 5.97 6.47 0.00 1.27 1.15 ----2.04 −T− B 4 SEATING PLANE F T C S Q 123 A U K H Z L V G D N R J STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC. ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone : 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Europe, Middle East and Africa Technical Support: Phone: 421 33 790 2910 Japan Customer Focus Center Phone: 81−3−5773−3850 ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative http://onsemi.com 10 BUH150/D