物料型号: BUT11F/11AF
器件简介: 这是一个NPN硅晶体管，适用于高电压电源开关应用，封装为TO-220F。
引脚分配: 1.基极(Base) 2.集电极(Collector) 3.发射极(Emitter)
参数特性:
- VCBO: BUT11F为850V，BUT11AF为1000V
- VCEO: BUT11F为400V，BUT11AF为450V
- VEBO: 发射极-基极电压为9V
- lc: 直流集电极电流为5A
- lcp: 脉冲集电极电流为10A
- lB: 直流基极电流为2A
- IBP: 脉冲基极电流为4A
- Pc: 集电极耗散功率在25°C时为40W
- T: 结温为150°C
- TSTG: 存储温度范围为-65至150°C
功能详解:
- VCEo(Sus): 维持电压，BUT11F为400V，BUT11AF为450V，条件是Ic=100mA，Ig=0
- ICES: 截止电流，BUT11F和BUT11AF在VCE=850V和VBE=0时为1mA，在VCE=1000V和VBE=0时为1mA
- EBO: 发射极截止电流在VBE=9V，Ic=0时为10mA
- Vce(sat): 饱和电压，BUT11F和BUT11AF在Ic=3A，Ig=0.6A时为1.5V，在Ic=2.5A，Ig=0.5A时也为1.5V
- VBe(sat): 基极-发射极饱和电压，在上述条件下为1.3V
- tON: 导通时间，在Vcc=250V，Ic=2.5A时为1us
- tSTG: 存储时间，在Ib1=-Ib2=0.5A时为4us
- 1F: 下降时间，在RL=100时为0.8us
应用信息: 主要用于高电压电源开关应用。
封装信息: TO-220F，具体尺寸见文档中的Package Demensions部分。
