BUT11FTU

物料型号: BUT11F/11AF

器件简介: 这是一个NPN硅晶体管，适用于高电压电源开关应用，封装为TO-220F。

引脚分配: 1.基极(Base) 2.集电极(Collector) 3.发射极(Emitter)

参数特性: - VCBO: BUT11F为850V，BUT11AF为1000V - VCEO: BUT11F为400V，BUT11AF为450V - VEBO: 发射极-基极电压为9V - lc: 直流集电极电流为5A - lcp: 脉冲集电极电流为10A - lB: 直流基极电流为2A - IBP: 脉冲基极电流为4A - Pc: 集电极耗散功率在25°C时为40W - T: 结温为150°C - TSTG: 存储温度范围为-65至150°C

功能详解: - VCEo(Sus): 维持电压，BUT11F为400V，BUT11AF为450V，条件是Ic=100mA，Ig=0 - ICES: 截止电流，BUT11F和BUT11AF在VCE=850V和VBE=0时为1mA，在VCE=1000V和VBE=0时为1mA - EBO: 发射极截止电流在VBE=9V，Ic=0时为10mA - Vce(sat): 饱和电压，BUT11F和BUT11AF在Ic=3A，Ig=0.6A时为1.5V，在Ic=2.5A，Ig=0.5A时也为1.5V - VBe(sat): 基极-发射极饱和电压，在上述条件下为1.3V - tON: 导通时间，在Vcc=250V，Ic=2.5A时为1us - tSTG: 存储时间，在Ib1=-Ib2=0.5A时为4us - 1F: 下降时间，在RL=100时为0.8us

应用信息: 主要用于高电压电源开关应用。

封装信息: TO-220F，具体尺寸见文档中的Package Demensions部分。