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FAN3180
单沟道2-A低侧驱动器，带3.3-V LDO
特性
LDO
3.3-V，15-mA 输出
2.8-A 灌电流峰值 / 2.5 A 源电流（VDD = 12 V）
±1％（在25°C时），±2.5％ 总变化
栅极驱动器
启动和关断期间的受控输出脉冲
非反相逻辑配置
TTL 兼容的输入阈值电平
23-ns 典型延迟时间
19-ns / 13-ns 上升和下降时间，负载 1-nF
常规
-40°C 至+125°C 工作温度
5-V 到 18-V 工作范围
VON / VOFF UVLO of 4.75 V / 4.55 V
200-µA 最大待机电源电流
说明
FAN3180 结合了高速低侧栅极驱动器与 3.3-V 输出端低
压差 (LDO) 线性稳压器。栅极驱动器的额定峰值电流为
2.8-A（VDD12 V），并设计为在低侧开关应用中驱动 N
沟道增强型 MOSFET。FAN3180 还集成了 3.3-V、15mA LDO ， 窄 电 压 公 差 为 ±1%(25°C) ， 且 总 变 差
±2.5%，用于为外部微控制器供电。
内部电路提供了欠压锁定 (UVLO) 功能，方法为将输出保
持在低电平，直到电源电压在工作范围之内且检测到第一
个全输入脉冲。FAN3180 的 UVLO 阈值为 4.75-V VON
和 4.55-V VOFF，且最大待机电源电流为 200 µA。
该驱动器提供了快速 MOSFET 开关性能，以最大化高频
电源转换器的效率。它结合了 MillerDrive™ 架构，用于
最终输出驱动器级。这一双极性器件 /MOSFET 组合可在
MOSFET 导通/关断过程的 Miller 平台期间提供高峰值电
流，以最大限度减少开关损耗，同时提供轨到轨电压摆幅
和反向电流能力。包括热关断功能，作为一个附加的安全
功能。
无铅（Pb）绿色环保 5 引脚 SOT23 封装
应用
为 MCU 应用的栅极驱动
开关电源，消费类电子产品，便携式手工工具
图 1. 典型应用
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FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
2013 年 6 月
器件编号
输入阈值
UVLO (VON / VOFF)
封装
包装方法
卷盘数量
FAN3180TSX
TTL
4.75 V / 4.55 V
5 引脚 SOT23
卷带和卷盘
3000
功能性引脚配置
图 2. 俯视图
FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
订购信息
热特性(1)
封装
JL(2)
JT(3)
JA(4)
JB(5)
JT(6)
单位
5 引脚 SOT23
58
102
161
53
6
°C/W
注意：
1. 估计值来自于热模拟实验；实际值取决于实际应用。
2. Theta_JL (JL): 半导体结和所有引线（包括任何导散热焊盘）的底表面之间的热阻，这些引线通常焊接到 PCB
上。
3. Theta_JT (JT): 半导体结和封装顶表面之间的热阻，假设封装通过顶侧的散热片保持在统一温度。
4. Theta_JA (ΘJA): 半导体结与外界环境之间的热电阻，阻值取决于 PCB 设计、散热器和气流。所给定的值是针对自
然对流、没有使用 2S2P 板的散热片，如 JEDEC 标准 JESD51-2、JESD51-5 和 JESD51-7 中的规定，适用时。
5. Psi_JB (JB): 热特性参数，表示在说明 4 中定义的热环境下半导体结温与应用电路板参考点之间的相关性。对于
SOT23-5 封装，板参考定义为与引脚 2 相邻的 PCB 铜箔。
6. Psi_JT (JT): 热特性参数提供了半导体结温和封装顶部中央的关系，用于“指南”中定义的热环境 4。
引脚定义
引脚号
名称
说明
1
VDD
2
GND 接地。输入与输出电路的公共参考地。
电源电压端。IC 的供电电源。
3
IN+
非反向输入。与 VDD 连接时使能输出。
4
3V3
3.3-V LDO 输出，输出能力为 15 mA。
5
OUT
栅极驱动输出。保持低电平，除非所要求的输入出现，且 VDD 高于 UVLO 阈值。
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2
IN+
输出
(7)
0
1
1
0
注：
7. 默认输入信号，如果没有进行外部连接。
框图
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输出逻辑
图 3. 简化框图
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3
应力超过绝对最大额定值，可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下，该器件可能无法正常工作，所以不建议
让器件在这些条件下长期工作。此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是
应力规格值。
符号
参数
最小值
最大值
单位
VDD
VDD 到 GND
-0.3
20.0
V
VIN
IN+ 到 GND 电压
-0.3
VDD + 0.3
V
VOUT
OUT 到 GND 电压
-0.3
VDD + 0.3
V
V3V3
到 GND 的 3.3-V 输出电压引脚
6.0
V
TL
引脚焊接温度，10 秒
+260
ºC
TJ
结温
+125
ºC
+150
ºC
TSTG
-65
存储温度
推荐工作条件
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绝对最大额定值
推荐的操作条件表定义了器件的真实工作条件。指定推荐的工作条件，以确保器件的最佳性能达到数据表中的规格。
飞兆半导体建议不要超过推荐工作条件，也不能按照绝对最大额定值进行设计。
符号
参数
最小值
最大值
单位
VDD
电源电压范围
4.5
18.0
V
VIN
输入电压 IN+
0
VDD
V
CBYP
电源旁路电容
1.0
TA
工作环境温度
-40
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µF
+125
ºC
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4
除非另有说明，否则 VDD = 12 V, TJ = -40°C 到 +125°C。电流流入器件定义为正值，流出为负值。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
电源
VDD
IDD_STATIC
IDD_OPER
5
工作范围
静态电源电流
工作电源电流(8)
输入端未连接；3V3 未加载
fSW=100 kHz，无负载
0.6
fSW=1 MHz，无负载
3.8
fSW=100 kHz，1 nF 负载
1.5
fSW=1 MHz，1 nF 负载
12.5
18
V
200
µA
mA
VON
导通电压
VDD 增大
4.50
4.75
5.00
V
VOFF
关断电压
VDD 下降
4.30
4.55
4.80
V
150
200
250
mV
0.8
V
VHYS_VDD
电源电压滞回
输入
VIL_T
IN+，低电压阈值，最大
VIH_T
IN+，高电压阈值，最小
VHYS_IN
2
输入滞回电压
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电气特性
V
0.2
0.5
0.8
V
IINL
IN+ 电流，低电平
IN从 0 到 VDD
-1.00
0.05
1.00
µA
IINH
IN+ 电流，高电平
IN从 0 到 VDD
-50
-30
1
µA
3V3 LDO
VLDO
LDO 输出电压
TA=25°C
3.267
3.300 3.333
总变差
3.217
3.382
V
VLDO_LineReg
LDO 输入电压调节
VDD=5 到 13 V，IOUT=10 mA
1
10
mV
VLDO_LoadReg
LDO 负载调节
VDD=5 到 13 V，
IOUT=0.1 mA 到 10 mA
5
20
mV
ILDO_MAX
最大 LDO 电流
ILDO_I-LIM
LDO 限流
10
15
mA
35
mA
热关断
TSDON
热关断激活(8)
150
°C
TSDOFF
(8)
125
°C
热关断禁用
接下页
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5
除非另有说明，否则 VDD = 12 V, TJ = -40°C 到 +125°C。电流流入器件定义为正值，流出为负值。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值最大值 单位
输出
ISINK
OUT 电流，中压，灌电流(8)
OUT，VDD/2, C负载=0.1 µF，
f=1 kHz
2.5
A
ISOURCE
OUT 电流，中压，源电流(8)
OUT at VDD/2,
CLOAD =0.1 µF, f=1 kHz
-1.8
A
IPK_SINK
OUT 电流，峰值，灌电流(8)
CLOAD=0.1 µF, f=1 kHz
2.8
A
(8)
CLOAD=0.1 µF, f=1 kHz
-2.5
A
IPK_SOURCE
OUT 电流，峰值，源电流
tRISE
输出上升时间(9)
CLOAD=1000 pF
19
30
ns
tFALL
(9)
CLOAD=1000 pF
13
25
ns
输出下降时间
tD1
输出比例 延迟，输入上升(9)
tD2
输出比例 延迟，输入下降
(9)
IRVS
承受的输出反向电流(8)
0 - 3.3 VIN, 1 V/ns Slew Rate
12
23
36
ns
0 - 3.3 VIN，1 V/ns 压摆率
13
24
35
ns
250
mA
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电气特性
注意：
8. 未经生产测试。
9. 请参见图 4。
时序图
90%
Output
10%
IN+
VINH
VINL
tD1
tD2
tRISE
tFALL
图 4. 非反向波形
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6
200
200
175
175
IDD (µA)
IDD (µA)
典型特征的条件是 25°C 且 VDD=12 V，除非另有说明。
150
125
VDD = 12 V
150
VDD = 5 V
125
100
100
4
6
8
10
12
14
Supply Voltage (V)
16
18
-50
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 nF Load
VDD = 15 V
VDD = 12 V
VDD = 8 V
VDD = 4.5 V
0
200
400
600
800
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1000
1 nF Load
100
125
VDD = 15 V
VDD = 12 V
VDD = 8 V
VDD = 4.5 V
0
200
Switching Frequency (kHz)
400
600
800
1000
Switching Frequency (kHz)
图 7. IDD（无负载）与频率的关系
图 8. IDD（1 nF负载）vs. 频率
5.0
240
4.8
4.7
UVLO Hysteresis (mV)
4.9
UVLO Thresholds (V)
0
25
50
75
Temperature (°C)
图 6. IDD（静态）vs. 温度
IDD (mA)
IDD (mA)
图 5. IDD（静态）vs. 电源电压
-25
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典型性能特征
Device ON
4.6
4.5
Device OFF
4.4
4.3
4.2
4.1
220
200
180
160
140
120
100
4.0
-50
-25
0
25
50
75
Temperature (°C)
100
-50
125
图 9. UVLO 阈值与温度的关系
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-25
0
25
50
75
Temperature (°C)
100 125
图 10. UVLO 滞回 vs. 温度
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7
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
Input Thresholds (V)
Input Thresholds (V)
典型特征的条件是 25°C 且 VDD=12 V，除非另有说明。
VIH
VIL
0
4
8
12
Supply Voltage (V)
16
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
20
VIH
VIL
-50
80
34
70
32
60
IN+ to OUT (falling to falling)
50
40
30
20
10
IN+ to OUT (rising to rising)
0
100
125
30
IN+ to OUT ( falling to falling)
28
26
24
22
20
IN+ to OUT (rising to rising)
18
16
4
6
8
10
12
14
Supply Voltage (V)
16
18
-50
图 13. 传播延迟与电源电压
-25
0
25
50
75
Temperature (°C)
100
125
图 14. 传播延迟 vs. 温度
90
140
80
CL = 6.8 nF
70
60
CL = 4.7 nF
50
CL = 6.8 nF
120
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
0
25
50
75
Temperature (°C)
图 12. TTL 输入阈值 vs. 温度
Propagation Delays (ns)
Propagation Delays (ns)
图 11. 输入阈值与电源电压的关系
-25
FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
典型性能特征
40
CL = 3.3 nF
30
CL = 2.2 nF
20
CL = 1.0 nF
10
100
CL = 4.7 nF
80
CL = 3.3 nF
60
CL = 2.2 nF
40
CL = 1.0 nF
20
0
0
5
10
15
0
20
0
Supply Voltage (V)
图 15. 传播延迟与温度的关系
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5
10
15
Supply Voltage (V)
20
图 16. 上升时间与电源电压的关系
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8
FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
典型性能特征
典型特征的条件是 25°C 且 VDD=12 V，除非另有说明。
Rise and Fall Times (ns)
25
Rise Time
20
15
Fall Time
10
5
CL = 1.0 nF
0
-50
-25
0
25
50
75
Temperature (°C)
100
125
图 17. 上升和下降时间 vs. 温度
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图 18. 上升/下降波形，1 nF 负载
图 19. 上升/下降波形，10 nF 负载
图 20. 准静态源电流，VDD=12 V
图 21. 准静态灌电流，VDD=12 V
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9
典型特征的条件是 25°C 且 VDD=12 V，除非另有说明。
图 22. 准静态源电流，VDD=8 V
图 23. 准静态灌电流，VDD=8 V
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典型性能特征
图 24. 准静态 IOUT/VOUT 测试电路
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10
输入阶段
欠压锁定
FAN3180 输入阈值在 2 V 和 5 V 之间，满足工业标准
TTL 逻辑阈值，与 VDD 电压无关。输入上升沿阈值约为
3.3 V 的 50%，输入下降沿阈值约为 3.3 V 的 30% TTL 型
输入配置提供了约 0.7 V 的滞回电压。这些电平允许从一
系列输入逻辑信号电平驱动输入，对于这些电平，高于
2 V 的电压被视为逻辑高电平。TTL 输入的驱动信号应有
快速上升和下降沿，压摆率 6 V/µs 或更快，这样从 0 到
3.3 V 的上升时间应为 550 ns 或更小。压摆率降低时，电
路噪音可能导致驱动器输入电压超过滞回电压，然后触发
驱动器输入，导致操作异常。
FAN3180 启动逻辑经过优化，可利用欠压锁定 (UVLO)
功能驱动参考点接地的 N 沟道 MOSFET，以确保 IC 有
序地启动。当 VDD 上升但仍低于 4.5 V 工作电平时，此电
路会将输出保持在低电平，无论输入引脚的状态如何。器
件激活后，电源电压必须下降超过 0.2 V 才能重新关断器
件。当低 VDD 电源电压因功率切换而产生噪音时，该滞
回有利于防止抖动。这种配置对于驱动高侧 P 沟道
MOSFET 不适用，因为驱动器的低输出电压会在 VDD 低
于 4.5 V时导通 P 沟道 MOSFET。
VDD 旁路电容指南
MillerDrive™ 栅极驱动技术
要使此 IC 迅速导通电源设备，必须在 VDD 和 GND 引
脚之间连接一个局部的高频旁路电容 CBYP（具有低 ESR
和 ESL），且具有很短走线长度。此电容是 10µF 到
47 µF 大电容器的补充，常见于驱动器和控制器偏置电路
上。
FAN3180 的输出级具有如图 25 中所示的 MillerDrive™
架构，结合了双极性器件和 MOSFET 器件，能够在大范
围电源电压和温度变化下提供大电流。在输出为 1/3 到
2/3 VDD 之 间 的 摆 动 时 ， 双 极 性 器 件 携 带 大 电 流 ， 而
MOSFET 器件将输出拉至高或低电轨。
选择 CBYP 值的典型条件是保持 VDD 电源上的纹波电压
≤5%。这通常使用 ≥20 倍等效负载电容 CEQV 的值实现，
在此定义为 Q栅极 /VDD。通常选用 0.1 µF 到 1 µF 或更大
的陶瓷电容，因为它们是电介质（例如 X5R 和 X7R），
具有良好的温度特性和高脉冲电流能力。
MillerDrive™ 的 用 途 是 加 速 开 关 动 作 ， 其 原 理 为 在
MOSFET 的栅极至漏极电容被充电或放电时（作为导通/
关断过程的一部分），在 Miller 平台期间提供最高电流。
对于在 MOSFET 导通或关断间隔期间具有零电压开关
(ZVS) 的应用，该驱动器为快速开关动作供应高峰值电
流，即使 Miller 平台不存在。这种情况常常出现在同步整
流器的应用中，因为体二极管通常在 MOSFET 导通之前
就已经导通。
FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
应用信息
如果电路噪音影响了正常工作，则 CBYP 的值可能增加到
CEQV 的 50-100 倍，或者 CBYP 可被分割成两个电容。其
中一个应为较大的值（基于等效负载电容），另一个的值
则较小（如 1-10 nF），安装在离 VDD 和 GND 引脚最
近的地方，以承载电流脉冲的更高频部分。
输出引脚压摆率由 VDD 电压和输出端上的负载决定。它
是不可调的，但如果 MOSFET 栅极处需要更慢的上升或
下降时间，则可添加串联电阻。
3V3 内部稳压器
对于微控制器或要求低功率 3.3-V 偏置的 ASIC 应用，
FAN3180 包含一个内部 3.3-V 稳压器。该稳压器额定到
最高 15 mA，具有典型限流 35 mA，如图 26 所示。
3V3 vs I(3V3)
VDD=12V, CLoad = 1nF, VIN = 3.3V, 10kHz, 50%
3.300
3.299
3.298
3V3 (V)
3.297
3.296
3.295
3.294
3.293
3.292
3.291
3.290
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I(3V3) (mA)
图 25. MillerDrive™ 输出结构
图 26. 3V3 调节 vs. I(3V3)
正常工作期间，应在 3V3 和 GND 之间连接 0.1 µF 的陶
瓷电容。
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11
图 30. VDD 应用于 VIN 低电平时
保持输出端关断，直到第一个有效上升沿防止不完整脉冲
出现在输出端，如图 29 所示。
图 27. VDD>UVLOON3V3 前
相反，如果缓慢施加 VDD（UVLOON 在 3V3 启动 80 µs
后发生）且有有效的 VIN 信号，则不会有输出脉冲，直到
VDD 达到 UVLOON，即使 3V3 在全调节范围内。
关机
当 VDD 被移除且降至低于 UVLOOFF 时，输出立即终止开
关操作，无论 VIN 信号如何。
FAN3180 — 单沟道 2-A 低侧驱动器，带 3.3-V LDO
启动期间，有信号对 3V3 进行内部监控，防止输出端震
荡。因此，如果快速应用 VDD 且有有效的 VIN 信号，将没
有输出脉冲，直到 3V3 电压已经稳定超过 80 µs，即使
VDD>UVLOON。
图 28. 3V3，VDD>UVLOON 前
对于有效的输出端开关，以下两个条件都是必需的：
1.
VDD>UVLOON,
2.
3V3 在调节中。
图 31. 在 VIN 高电平期间关断
启动逻辑
当 VDD>UVLOON 且 3V3 在调节范围内，输出开关动作将
在 VIN 信号的第一个有效上升沿后开始。
图 32. 在 VIN 低电平期间关断
图 29.
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VDD 应用于 VIN 高电平时
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FAN3180 含有快速反应输入电路、短传播延迟，以及能
够提供电流峰值高于 1 A 的输出级，有利于电压转换时
间从低于10 ns 到超过 100 ns。强烈推荐以下操作指
南：
使高电流输出和电源接地路径与逻辑输入信号和信号
接地路径分离。这在处理 TTL 电平逻辑阈值时特别
关键。
保持驱动器尽可能地靠近负载，以使大电流导线的长
度最小化。这样可减少串联电感，提高高速开关功
能，同时减少可向驱动器输入和其他周围电路辐射
EMI 的环路面积。
许多高速功率电路都容易受噪声的影响，噪声一般来
自于其自身输出或者其它外部源，有可能导致输出再
触发。如果在模拟板或非最佳电路布局（具有长输
入、启用或输出引线）中测试电路，这些影响会特别
显著。为了获得最佳效果，引脚连线越短越直接越
好。
图 34. MOSFET 关断的电流路径
热指南
栅极驱动器驱动高频率开关 MOSFET 和 IGBT 时，会产
生显著的功耗。在应用中重要的是，确定栅极驱动器的功
耗及其引起的结温，确保器件在可接受的温度范围内工
作。
应最小化导通和关断电流路径，如以下章节所述。
图 33 所示为当栅极驱动器给栅极供电以导通 MOSFET
时的脉冲栅极驱动电流路径。这个电流由局部旁路电容
CBYP 产生，流经驱动器到 MOSFET 栅极，再到地。为了
尽可能地实现高峰值电流，通路上的电阻和电感应该最小
化。局部的 CBYP 动作，将高峰值电流脉冲包含在此驱动
器 MOSFET 电路中，防止它们干扰 PWM 控制器中的敏
感模拟电路。
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布线与连接指南
栅极驱动器中的总功耗是三种元件的总和：P栅极、P静态 、
和 P动态：
Ptotal Pgate PDynamic
(1)
栅极驱动损耗：发生在提供栅极电流、按照开关频率驱动
负 载 MOSFET 的 过 程 中 最 主 要 的 功 耗 。 由 驱 动
MOSFET 导致的功耗由以下方式确定，其中 MOSFET
处于指定栅极-源电压 VGS，带有栅极电荷 QG，以及处于
开关频率 fSW：
PGATE QG VGS fsw
(2)
动态预驱动 / 直通电流：在动态工作条件下（包括引脚上
拉/下拉电阻），源于内部电流消耗的功率损失可使用 IDD
（无负载）获得 vs. 典型性能特征中的频率图可确定实际
工作条件下从 VDD 得出的电流 IDYNAMIC：
PDYNAMIC IDYNAMIC VDD
(3)
确定了驱动器中的功耗后，可使用以下热等式评估相对于
器件引线的驱动器结温：
图 33. MOSFET 导通的电流路径
TJ PTOTAL JL TC
图 34 显示了 MOSFET 关断时的电流通路。理想地，通
过一个较小的环路，驱动器直接将电流分流到 MOSFET
的源极。为了实现快速关断，通路上的电阻和电感应该最
小化。
(4)
其中：
TJ = 驱动器结温；
θJL =从结到引线的热阻；以及
TL = 应用中器件的引线温度
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ROUT,Driver
PPKG PTOTAL
ROUT,DRIVER REXT RGATE,FET
转换，从FAN3100
许多应用使用微控制器 (MCU) 和栅极驱动器的组合，如
FAN3100 。 在 这 些 配 置 中 ， 需 要 外 部 低 压 降 调 节 器
(LDO) 来给 MCU 供电。FAN3180 含有一个 3.3-V 输出
电压调节器来给微控制器或 ASIC 供电。因此，使用
FAN3100 和类似配置的系统可以转换成 FAN3180，以
减少元件数量、板空间和成本。
(5)
FAN3180 的引脚分配也使得只需很少工作量就可以从已
使用 FAN3100TSX 的设计进行转换（SOT23-5 封装选
项）。两个器件的五个引脚中都有四个是相同的。在
FAN3180上，IN 输入端（FAN3100上 的引脚 4）已被
3V3 LDO 输出端替代。
其中：
PPKG = 驱动器封装中的功耗；
ROUT,DRIVER = 从IOUT 推算出的估算驱动器电阻 vs. VOUT
波形；
以下两个图表显示了给微控制器供电的 FAN3100 和
FAN3180 设计的典型应用示例。
REXT = 连接在驱动器输出 和 MOSFET 栅极之间的串
联外部电阻；以及
RGATE,FET = 负载 MOSFET 栅极和源连接的内部电阻
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MOSFET 栅极驱动电路中的功耗独立于驱动电路电阻，
并按比例在驱动器中各电阻、杂散串联电阻，以及电源开
关 MOSFET 内部的栅极电阻间按比例分配。驱动器中功
耗可使用以下等式估算：
图 35. FAN3100TSX（具有外部 LDO）给 MCU 供电
图 36. FAN3180TSX（具有集成 LDO）给 MCU 供电
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栅极驱动(10)
输入阈值
（灌电流/源电流）
器件编号
类型
FAN3111C
单1A
+1.1 A / -0.9 A
FAN3111E
单1A
+1.1 A / -0.9 A
FAN3100C
单2A
+2.5 A / -1.8 A
FAN3100T
单2A
FAN3180
逻辑
封装
双输入/单输出的单通道
SOT23-5,
MLP6
单同相通道，外部参考
SOT23-5,
MLP6
CMOS
双输入/单输出的单通道
SOT23-5,
MLP6
+2.5 A / -1.8 A
TTL
双输入/单输出的单通道
SOT23-5,
MLP6
单2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
单同相通道 + 3.3-V LDO
SOT23-5
FAN3216T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
双反相通道
SOIC8
FAN3217T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
双同相通道
SOIC8
FAN3226C
双2A
+2.4 A / -1.6 A
CMOS
双反相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3226T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
双反相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3227C
双2A
+2.4 A / -1.6 A
CMOS
双同相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3227T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
双同相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3229C
双2A
+2.4 A / -1.6 A
CMOS
双输入/单输出的双通道
SOIC8, MLP8
FAN3229T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
双输入/单输出的双通道
SOIC8, MLP8
FAN3268T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
20 V 同相沟道 (NMOS) 和反相沟道 (PMOS)
+ 双启用
SOIC8
FAN3278T
双2A
+2.4 A / -1.6 A
TTL
30 V 同相沟道 (NMOS) 和反相沟道 (PMOS)
+ 双启用
SOIC8
FAN3213T
双4A
+4.3 A / -2.8 A
TTL
双反相通道
SOIC8
FAN3214T
双4A
+4.3 A / -2.8 A
TTL
双同相通道
SOIC8
FAN3223C
双4A
+4.3 A / -2.8 A
CMOS
双反相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3223T
双4A
+4.3 A / -2.8 A
TTL
双反相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3224C
双4A
+4.3 A / -2.8 A
CMOS
双同相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3224T
双4A
+4.3 A / -2.8 A
TTL
双同相通道 + 双使能
SOIC8, MLP8
FAN3225C
双4A
+4.3 A / -2.8 A
CMOS
双输入/单输出的双通道
SOIC8, MLP8
FAN3225T
双4A
+4.3 A / -2.8 A
TTL
双输入/单输出的双通道
SOIC8, MLP8
FAN3121C
单9A
+9.7 A / -7.1 A
CMOS
单反相通道 + 使能
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单9A
+9.7 A / -7.1 A
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单反相通道 + 使能
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单9A
+9.7 A / -7.1 A
CMOS
单同相通道 + 使能
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+9.7 A / -7.1 A
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+12.0 A
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外部(11)
FAN3180 — 单沟道2-A低侧驱动器，带3.3-V LDO
表 1.
注意：
10. 典型电流，OUT 为 6 V 且 VDD=12 V。
11. 与外部提供的参考电压成比例的阈值。
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2.80
5
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CL
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0.95
A
4
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3.00
2.60
1.70
1.50
1
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2.60
3
(0.30)
1.00
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0.30
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C A B
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1.30
0.90
1.45 MAX
0.15
0.05
0.22
0.08
C
0.10 C
NOTES: UNLESS OTHEWISE SPECIFIED
GAGE PLANE
A) THIS PACKAGE CONFORMS TO JEDEC
MO-178, ISSUE B, VARIATION AA,
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) MA05Brev5
0.25
8?
0?
0.55
0.35
0.60 REF
SEATING PLANE
图 37. 5 引线 SOT-23
封装图纸是作为一项服务而提供给考虑选用飞兆半导体产品的客户。具体参数可能会有变化，且不会做出相应通知。请注意图纸上的
版本和/或日期，并联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款与条件，尤其指保修，保修
涵盖飞兆半导体的全部产品。
有关最新的封装图纸，请始终访问飞兆半导体的在线封装区域：
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