FAN7385MX

FAN7385MX

  • 厂商:

    ONSEMI(安森美)

  • 封装:

    SOIC14

  • 描述:

    FAN7385 是单片 IC,设计用于工作电压最高可达 +600 V 的高电压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境...

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FAN7385MX 数据手册
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor’s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclature that utilizes an underscore (_), the underscore (_) in the Fairchild part numbers will be changed to a dash (-). This document may contain device numbers with an underscore (_). Please check the ON Semiconductor website to verify the updated device numbers. The most current and up-to-date ordering information can be found at www.onsemi.com. Please email any questions regarding the system integration to Fairchild_questions@onsemi.com. ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 特性 说明  浮动通道可实现高达 +600V 的自举运行 FAN7385 是单片高侧栅极驱动 IC,设计用于高压、高速 驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +600 V。  350mA/650mA 的典型源电流 / 灌电流驱动能力  在 VDD= VBS= 15 V 时信号传播过程中,扩展允许负      VS 摆幅低达 -9.8 V 高侧输出与输入信号同相 VDD 和 VBS 供电范围从 10 V 至 20 V 兼容 3.3V 和 5V 逻辑输入电平 内置共模 dv/dt 噪声消除电路 两个通道均内置欠压锁定 (UVLO) 功能 飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高端 驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。 先进的电平转换电路能使高侧栅极驱动器的工作偏置电压 达到 VS = -9.8 V (VBS = 15 V 时的典型值)。 UVLO 电路可防止 VBS1 和 VBS2 低于指定的阈值电压时 发生故障。 输出驱动器通常提供 350mA/650mA 的源电流 / 灌电流, 适合双通道高侧开关和半桥逆变器。 14-SOP 应用  标准半桥和全桥驱动器  PDP 能量恢复开关控制驱动器 1  开关电源 订购信息 器件编号 FAN7385M(1) FAN7385MX(1) 封装 无铅 工作温度范围 14-SOP 是 -40°C ~ 125°C 包装方法 塑料管 卷带和卷盘 注: 1. 这些器件通过了 JESD22A-111 波峰焊测试。 © 2006 飞兆半导体公司 FAN7385 Rev. 1.0.2 www.fairchildsemi.com FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 2013 年 11 月 FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 应用电路图 VS RBOOT DBOOT1 Q3 FAN7385 D3 15V IN1 IN2 1 VDD 2 NC VB1 14 HO1 13 3 IN1 VS1 12 4 NC NC 11 5 IN2 VB2 10 6 NC HO2 9 7 GND VS2 8 L1 D1 CBOOT1 To Pannel D2 Q4 D4 DBOOT2 Q1 Buffer IC Q2 C1 CBOOT2 HVIC FAN7380 FAN7382 C2 Energy Recovery Sustain Driver FAN7385 Rev.01 图 1. 浮动双向开关控制 PDP 应用 RBOOT1 VDC DBOOT1 Full-Bridge Converter 15V 1 VDD VB1 14 2 NC HO1 13 3 IN1 VS1 12 CBOOT1 C1 4 NC NC 11 5 IN2 VB2 10 6 NC HO2 9 7 GND VS2 8 Load CBOOT2 Controller RBOOT2 DBOOT2 L-CH Output R-CH Output FAN7385 Rev.01 图 2. 全桥电源应用 RBOOT DBOOT VDC Q1 15V VB1 1 VDD 2 NC HO1 13 3 IN1 VS1 12 4 NC NC 11 5 IN2 VB2 10 6 NC HO2 9 7 GND VS2 8 CBOOT INPUT1 INPUT2 L C Vout Q2 C1 Resonant Converter 14 Co C2 FAN7385 Rev.01 图 3. 半桥 LCC 谐振转换器应用 © 2006 飞兆半导体公司 FAN7385 Rev.1.0.2 www.fairchildsemi.com 2 VDD DRIVER R R S 13 HO1 12 VS1 10 VB2 9 HO2 8 VS2 Q SCHMITT TRIGGER INPUT UVLO 5 NOISE CANCELLER R S DRIVER 7 PULSE GENERATOR 500K GND NOISE CANCELLER 3 500K IN2 VB1 UVLO 1 PULSE GENERATOR IN1 14 R Q Pin 2, 4, 6 and 11 are not connection FAN7385 Rev.01 图 4. 功能框图 © 2006 飞兆半导体公司 FAN7385 Rev.1.0.2 www.fairchildsemi.com 3 FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 内部框图 FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 引脚配置 VDD 1 14 VB1 NC 2 13 HO1 IN1 3 12 VS1 NC 4 11 NC IN2 5 10 VB2 NC 6 9 HO2 GND 7 8 VS2 FAN7385 FAN7385 Rev.00 图 5. 引脚配置 (俯视图) 引脚定义 引脚号 名称 说明 1 VDD 电源 2 NC 无连接 3 IN1 通道 1 控制输入 4 NC 无连接 5 IN2 通道 2 控制输入 6 NC 无连接 7 GND 接地 8 VS2 通道 2 浮动电源返回 通道 2 输出 9 HO2 10 VB2 通道 2 浮动电源 11 NC 无连接 12 VS1 通道 1 浮动电源返回 13 HO1 通道 1 输出 14 VB1 通道 1 浮动电源 © 2006 飞兆半导体公司 FAN7385 Rev.1.0.2 www.fairchildsemi.com 4 应力超过绝对最大额定值,可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下,该器件可能无法正常工作,所以不建议 让器件在这些条件下长期工作。此外,长期在高于推荐的工作条件下工作,会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是 应力规格值。除非另有说明, TA= 25°C。 符号 参数 VS 高侧偏置电压 VS1、 VS2 最小值 最大值 单位 VB-25 VB+0.3 V VB 高侧浮动电源电压 VB1、 VB2 -0.3 625 V VHO 高侧浮动输出电压 HO1、 HO2 VS-0.3 VB+0.3 V VDD 低侧和固定逻辑电源电压 -0.3 25 V VIN 逻辑输入电压 (IN1、 IN2) -0.3 VDD+0.3 V VDD-25 VDD+0.3 V 允许的偏置电压变化速率 50 V/ns 功耗 1.0 W θJA 结至环境热阻 110 °C/W TJ 结温 150 °C TS 存储温度 150 °C GND dVS/dt PD(2)(3)(4) 逻辑地 注意: 2. 安装到 76.2 x 114.3 x 1.6 mm PCB 板 (FR-4 环氧玻璃材料)。 3. 参考以下标准: JESD51-2: 集成电路热测试方法环境条件 - 自然对流 JESD51-3: 含铅表面贴装封装的低有效导热系数测试板 4. 在任何情况下,都不要超过 PD。 推荐工作条件 推荐的操作条件表明确了器件的真实工作条件。指定推荐的工作条件,以确保器件的最佳性能达到数据表中的规格。 飞兆半导体建议不要超过推荐工作条件,也不能按照绝对最大额定值进行设计。 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V VB 高侧浮动电源电压 VS+10 VS+20 VS 高侧浮动电源偏置电压 6-VDD 600 V 20 V VDD 电源电压 10 VHO 高侧 (HO1、 HO2)输出电压 VS VB V VIN 逻辑输入电压 (IN1、 IN2) GND VDD V TA 环境温度 -40 125 °C © 2006 飞兆半导体公司 FAN7385 Rev.1.0.2 www.fairchildsemi.com 5 FAN7385 双通道高侧栅极驱动 IC 绝对最大额定值 除非另有说明,VBIAS (VDD、VBS1、VBS2) = 15.0V、TA = 25°C。VIN 和 IIN 参数以 GND 作为基准。VO 和 IO 参数以 VS1 和 VS2 作为基准,适用于各自的输出 HO1 和 HO2。 符号 特性 电源电流部分 IQDD VDD 静态电源电流 IPDD 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VIN1= VIN2= 0 V 或 5 V fIN1=fIN2=10kHz, rms value VDD 工作电源电流 28 50 μA 35 70 μA 自举电源部分 VBSUV+ VBS1 和 VBS2 电源欠压正向阈值 VBS1= VBS2= 扫描 8.2 9.1 10.2 V VBSUV- VBS1 和 VBS2 电源欠压负向阈值 VBS1= VBS2= 扫描 7.6 8.5 9.6 V VBSHYS VBS1 和 VBS2 电源欠压锁定滞回电压回 差 VBS1= VBS2= 扫描 偏置电源漏电流 VB=VS=600V IQBS1,2 VBS1 和 VBS2 静态电源电流 VIN1= 0 V 或 5 V IPBS1,2 VBS1 和 VBS2 工作电源电流 fIN1= 10 kHz, rms 值 ILK 栅极驱动器输出部分 VOH 高电平输出电压, VBIAS-VO VOL 低电平输出电压, VO IO+ 0.6 V 10 μA 50 85 μA 220 300 μA 30 mV 30 mV IO= 0 mA (空载) 输出高电平短路脉冲电流 IO= 0 mA (空载) VO= 0 V, VIN= 5 V, PW