物料型号：FDC699P
器件简介：FDC699P 是一款由Fairchild Semiconductor生产的P沟道2.5V MOSFET，采用PowerTrench工艺制造，适用于电池管理和负载开关等应用。
引脚分配：源极S、栅极G、漏极D
参数特性：漏源电压(VDSS)最大-20V、栅源电压(VGSS)最大±12V、连续漏极电流(Io)最大-7A、脉冲漏极电流(Io)最大-40A、功率耗散(Po)最大2W或1.5W（取决于封装）、工作和存储结温范围(TJ,TSTG)-55至+150摄氏度
功能详解：具有极低的导通电阻(RDS(ON))，快速开关速度，采用FLMP SuperSOT-6封装，增强了热性能。
应用信息：适用于电池管理、负载开关、电池保护等。
封装信息：FLMP SuperSOT-6封装，尺寸信息和垫布局图在文档中有详细描述。
