物料型号：FDMT800100DC
器件简介：这款N沟道MOSFET采用安森美半导体的POWERTRENCH工艺制造，结合了硅片和DUAL COOL封装技术，提供了极低的导通电阻和优异的开关性能。
引脚分配：TDFNW8封装，8.3 x 8.4 mm，2P，DUAL COOL，OPTION 2 CASE 507AR。
参数特性：
- 最大漏源导通电阻（RDS(on)）：2.95 mΩ@VGS=10V，4.46 mΩ@VGS=6V
- 漏源击穿电压：100V
- 连续漏电流：24A@Tc=25°C，102A@Tc=100°C
- 雪崩能量：1536 mJ
- 功率耗散：156W@Tc=25°C，3.2W@TA=25°C
功能详解：具有低导通电阻和高效率，下一代增强型体二极管技术，低轮廓8 x 8 mm MLP封装，MSL1稳健封装设计，100% UIL测试。
应用信息：适用于OringFET/负载开关、同步整流、DC-DC转换等应用。
封装信息：TDFNW8封装，尺寸为8.3 x 8.4 mm，无铅、无卤素、符合RoHS标准。
以上信息摘自安森美半导体的FDMT800100DC数据手册。
