FJN3313RTA

FJN3313RTA

  • 厂商:

    ONSEMI(安森美)

  • 封装:

    TO92-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
FJN3313RTA 数据手册
FJN3313RTA
物料型号:FJN3313R

器件简介: - 应用:开关电路、反相器、接口电路、驱动电路。 - 特点:内置偏置电阻(R1=2.2KΩ,R2=47KΩ)。 - 封装:TO-92。 - 引脚分配:1. 发射极(Emitter),2. 集电极(Collector),3. 基极(Base)。

参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):50V - 集电极-发射极电压(VCEO):50V - 发射极-基极电压(VEBO):10V - 集电极电流(Ic):100mA - 集电极功耗(Pc):300mW - 结温(TJ):150°C - 存储温度(TSTG):-55~150°C

功能详解: - 等效电路:包含内置偏置电阻R1和R2。 - 电气特性(Ta=25°C): - 集电极-基极击穿电压(BVCBO):50V - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):50V - 集电极截止电流(ICBO):≤0.1A - 直流电流增益(hFE):最小值68 - 集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):≤0.3V - 电流增益-带宽积(fT):最大值250MHz - 输出电容(Cob):3.7pF - 输入关断电压(V(off)):0.5V - 输入导通电压(V(on)):1.1V - 输入电阻(R1):1.5KΩ至2.9KΩ - 电阻比(R1/R2):0.042至0.052

应用信息: - 该器件适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路等应用。

封装信息: - 封装类型:TO-92 - 封装尺寸:具体尺寸数据以毫米为单位列出,包括长度、宽度和高度的典型值和最大值。

免责声明: - FAIRCHILD SEMICONDUCTOR保留在不另行通知的情况下对产品进行改进的权利。 - 产品不承担因应用或使用本文档中描述的任何产品或电路而引起的任何责任。 - 产品未经FAIRCHILD SEMICONDUCTOR公司明确书面批准,不得用作生命维持设备或系统中的关键组件。

产品状态定义: - 提供了不同产品状态的定义,包括设计阶段、首次生产、全面生产和停产。
FJN3313RTA 价格&库存

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