物料型号:FJNS4212R
器件简介:FJNS4212R 是一种内置偏置电阻(R=47KΩ)的PNP外延硅晶体管,适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路,与FJNS3212R互补。
引脚分配:1.发射极(Emitter),2.集电极(Collector),3.基极(Base)
参数特性:包括绝对最大额定值和电气特性。绝对最大额定值如集-基电压(VCBO)-40V,集-射电压(VCEO)-40V,基-射电压(VEBO)-5V,集电极电流(Ic)-100mA,集电极功耗(Pc)300mW,结温(TJ)150°C,存储温度(TSTG)-55~150°C。电气特性如集-基击穿电压(BVCBO)-40V,集-射击穿电压(BVCEO)-40V,集截止电流(ICBO)-0.1A,直流电流增益(hFE)100至600,集-射饱和电压(Vce(sat))-0.3V,输出电容(Cob)5.5pF,电流增益-带宽积(fT)200MHz,输入电阻(R)47KΩ。
功能详解:文档未明确提供功能详解,但从参数特性可推断该晶体管适用于需要快速切换和高功率的应用。
应用信息:文档未明确提供应用信息,但根据器件简介,它适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。
封装信息:封装类型为TO-92S,提供了详细的尺寸数据。