FQA7N80_F109

物料型号为 FQA7N80，是一款 800V N-Channel MOSFET。

以下是该器件的详细信息：

器件简介： - 该 MOSFET 使用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术生产，旨在最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。

引脚分配： - 引脚分配为 G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。

参数特性： - 导通电阻 RDS(on) 在 VGS=10V 时为 1.5Ω。

- 栅极电荷典型值为 40nC。

- 雪崩能量 EAS 为 580mJ。

- 峰值二极管恢复 dv/dt 为 4.0V/ns。

功能详解： - 适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器等。

应用信息： - 该器件适用于高效率开关模式电源供应、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

封装信息： - 封装类型为 TO-3P，提供标准和卷带包装选项。

此外，文档还包含了电气特性、热特性、最大额定值、数据表、典型性能特性、机械尺寸和商标信息。