FQAF9N50

物料型号：FQAF9N50，500V N-Channel MOSFET。

器件简介：这些N-Channel增强型功率场效应晶体管使用Fairchild的专有平面条带DMOS技术生产。该技术特别设计以最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合用于高效率的开关电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。

引脚分配：文档中没有明确提供引脚分配图，但通常TO-3PF封装会有3个引脚，分别是漏极(Drain)、源极(Source)和栅极(Gate)。

参数特性： - 低栅极电荷(典型值28纳库) - 低Crss(典型值20皮法拉) - 快速开关 - 100%雪崩测试 - 提升dv/dt能力

功能详解：文档提供了详细的电气特性，包括关断特性、导通特性、动态特性和开关特性。例如，导通电阻(Rps(on))在VGs=10V, Ip=3.6A条件下的典型值为0.58欧姆。

应用信息：适用于高效率开关电源、功率因数校正、电子灯镇流器等。

封装信息：TO-3PF封装，文档提供了详细的封装尺寸。